H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 15205

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Цой Броня, Цой Татьяна Сергеевна, Цой Валерьян Эдуардович, Когай Юрий Васильевич

МПК: H01L 29/06, H01L 29/68

Метки: полупроводниковый, прибор, варианты

Формула / Реферат:

1. Полупроводниковый прибор, содержащий по меньшей мере одну р-область и по меньшей мере одну n-область с прилегающими к каждой из указанных областей электродами, отличающийся тем, что он содержит N>1 (где N - целое число) областей с одноименной проводимостью и одну область с противоположной проводимостью с образованием N отдельных однотипных р-n-переходов, причем электроды, прилегающие к каждой из N областей с одноименной проводимостью,...

Номер патента: 15000

Опубликовано: 29.04.2011

Авторы: Кавеев Андрей Камильевич, Будный Андрей Николаевич

МПК: H01L 21/312, H01L 31/18

Метки: нанесения, указанным, кремний, нанесенным, способом, кремниевый, покрытием, просветляющим, способ, оптический, элемент, полиэтилена

Формула / Реферат:

1. Способ нанесения полиэтиленового покрытия на кремний, содержащий следующие шаги: соединяют поверхности кремния и полиэтилена; соединенные кремний и полиэтилен нагревают до температуры выше 150°С, после чего соединенные кремний и полиэтилен перемещают в объем с температурой ниже 100°С и охлаждают соединенные кремний и полиэтилен до комнатной температуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что полиэтилен нагревают до температуры в диапазоне от...

Номер патента: 14606

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Жотар Ив, Рейаль Жан-Пьер

МПК: E04D 13/18, F24J 2/52, H01L 31/048...

Метки: конструкция, крепления, таких, предназначенных, здания, стене, панелей, монтажа, фотоэлектрические, панели, каркасов

Формула / Реферат:

1. Конструкция (1) для монтажа на стене здания по меньшей мере одного каркаса (50, 80), образованного прямоугольной рамой (51), отличающаяся тем, что содержит остов (2), образованный по меньшей мере двумя стойками (3) и по меньшей мере двумя поперечинами (4), соединенными между собой с образованием прямоугольной опоры (15), выполненной с возможностью установки в ней каркаса (50), и средства крепления по меньшей мере одного каркаса на остове, при...

Номер патента: 13884

Опубликовано: 30.08.2010

Автор: Чэн Цзен-Шуань

МПК: H01L 23/34, F21V 29/00, F21W 101/10...

Метки: мощный, модуль, полупроводниковый, светоизлучающий, теплоизоляцией

Формула / Реферат:

1. Полупроводниковый светоизлучающий модуль, включающийрассеивающую теплоту деталь, имеющую изоляционный элемент, соединенный с первой стороной рассеивающей теплоту детали, причем рассеивающая теплоту деталь имеет вторую сторону напротив первой стороны, изоляционный элемент имеет третью сторону напротив первой стороны;теплопроводящее устройство, имеющее плоский торец и контактную часть, причем контактная часть размещена между рассеивающей...

Номер патента: 13788

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Цой Татьяна Сергеевна, Цой Валентин Эдуардович, Идрисов Идрис Магомедович, Будишевский Юрий Дмитриевич

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, электромагнитного, излучения

Формула / Реферат:

1. Преобразователь электромагнитного излучения, содержащий по меньшей мере одну р-область и по меньшей мере одну n-область, а также первый и второй электроды, отличающийся тем, что он содержит N>1, где N - целое число, областей с одноименной проводимостью и одну область с противоположной проводимостью с образованием N отдельных однотипных p-n-переходов, и при этом первый электрод прилегает к каждой из указанных N областей с одноименной...

Номер патента: 13649

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Калем Сереф

МПК: H01L 21/20, H01L 21/28, G06F 21/00...

Метки: высоких, проницаемостью, низкой, микрокристаллические, применения, нанокристаллические, диэлектрической, структуры, области, технологий

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза микрокристаллических и нанокристаллических структур с низкой диэлектрической проницаемостью, имеющих свойства сегнетоэлектриков и способность к излучению в оптическом диапазоне, в тефлоновом контейнере на подложках на основе германия (Ge), алмаза (С) и/или кремния (Si), включающий следующие стадии:a) заполнение тефлонового контейнера (3) смесью реагентов HF и HNO3и образование в нем паров реагентов,b) контактирование смеси с...

Номер патента: 13222

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Кугимия Тосихиро, Кобори Такаси, Аомине Нобутака, Хаяси Казуси, Аосима Юки

МПК: H01L 21/31, C23C 16/505

Метки: пленки, способ, формирования, тонкой

Формула / Реферат:

1. Способ формирования тонкой пленки в атмосфере с давлением по меньшей мере 900 ГПа, в котором подают реакционный газ и подают электрическое питание на цилиндрический вращающийся электрод, центральная ось вращения которого параллельна подложке, для генерирования плазмы в промежутке между этим вращающимся электродом и подложкой, причем плазма химически активирует подаваемый реакционный газ с образованием тонкой пленки на подложке, при этом зазор...

Номер патента: 12532

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Мэй Джейсон, Ричман Чарльз И., Ганнерман Рудольф В.

МПК: H01L 41/06, H02N 2/00, H01L 41/12...

Метки: преобразователем, ультразвуковым, нагрузкой, силовая, возбуждения, схема, управления, переменной

Формула / Реферат:

1. Ультразвуковой генератор для подачи ультразвуковой энергии высокой мощности к переменной нагрузке, содержащий генератор колебаний переменной частоты, источник напряжения, магнитострикционный преобразователь с катушкой, выполненной с возможностью приёма усиленного сигнала, чтобы подавать ультразвуковую энергию высокой мощности к переменной нагрузке, полномостовую схему, включающую в себя две полумостовые схемы, каждая из которых содержит два...

Номер патента: 12305

Опубликовано: 28.08.2009

Авторы: Депине Николь, Данилко Йоахим

МПК: H01L 31/00, C08J 7/04, B32B 27/00...

Метки: ламинатов, устойчивых, солнечных, элементов, систем, условиям, изготовления, герметизации, способ, атмосферным

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления герметизирующего материала (1, 1') для фотоэлектрического модуля (18), причем герметизирующий материал (1, 1') состоит, по существу, из одного атмосферостойкого слоя (2, 2') и подложки (4, 4'), к которой примыкает слой (5, 5') адгезионного материала в качестве промотора адгезии для заделывающего слоя (6, 6') для системы (7) солнечных элементов, отличающийся тем, что на поверхность (4, 4') подложки наносят по меньшей мере...

Номер патента: 12095

Опубликовано: 28.08.2009

Авторы: Белитс Валерий, Белитс Алекс

МПК: F28F 7/00, F28D 15/00, F28F 9/00...

Метки: плоская, электронных, устройств, основе, других, термосифона, компьютеров, охлаждающая, система

Формула / Реферат:

1. Компьютерная система, включающая: a) корпус компьютера, имеющий ширину не более 17 дюймов, высоту не более 1,75 дюйма и длину не более 28 дюймов; b) по меньшей мере один источник тепла внутри указанного корпуса компьютера, где по меньшей мере одним источником тепла является CPU (центральный процессор); и c) по меньшей мере одно термосифонное устройство внутри указанного корпуса компьютера, где указанное термосифонное устройство содержит: (i)...

Номер патента: 11698

Опубликовано: 28.04.2009

Автор: Хинкл Джеймс Эрнст

МПК: H01L 23/58

Метки: внешних, подложек, система, плоских, поверхностей, способ, удаления, границ, пленки

Формула / Реферат:

1. Система удаления пленки с множества периферийных участков поверхности практически плоской подложки, содержащая установку подачи, установку вывода, транспортный механизм возвратно-поступательного движения, размещенный между установкой подачи и установкой вывода и сконфигурированный так, чтобы транспортировать подложку из первой конечной позиции рядом с установкой подачи и второй конечной позиции на расстоянии от установки подачи, причем первая...

Номер патента: 11592

Опубликовано: 28.04.2009

Авторы: Эймери Жоэль, Жантиль Паскаль

МПК: H01L 29/15, H01L 29/32, H01L 21/329...

Метки: способ, получения, планарным, переносом, резонансных, гетероструктур

Формула / Реферат:

1. Устройство для переноса электронов, содержащее по меньшей мере один слой (6) переноса, в котором дислокации и/или дефекты образуют по меньшей мере одну периодическую решетку; средства (4, 60, 62, 64, 70, 72) для направления электронов в плоскости указанной периодической решетки, при этом периодическая решетка в первом направлении имеет первый период и во втором направлении, отличающемся от первого направления, имеет второй период, причем...

Номер патента: 10503

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Гуринович Леонид Иванович, Гапоненко Николай Васильевич, Молчан Игорь Славович, Артемьев Михаил Валентинович, Воггон Ульрике, Лютич Андрей Андреевич, Гапоненко Сергей Васильевич

МПК: H01L 31/02, H01L 31/18

Метки: высокоэффективный, преобразователь, узконаправленный, света

Формула / Реферат:

1. Оптическое спектральное конвертирующее устройство, представляющее собой плёнку прозрачного направленно структурированного материала, содержащего распределённую в порах субстанцию, преобразующую длину волны излучения, отличающееся тем, что указанная субстанция выполнена в виде ксерогеля, содержащего квантоворазмерные наноструктуры, которые обладают сильными квантоворазмерными эффектами. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ксерогель...

Номер патента: 10439

Опубликовано: 29.08.2008

Авторы: Марри Дейвид, Мак-Кэрди Майкл У., Секстон Роберт Дж., Уоллинг Линда Сью, Поттер Джеймс М.

МПК: B05D 3/00, H01L 29/06, H01P 1/18...

Метки: передачи, линия, получения, неоднородная, способ

Формула / Реферат:

1. Неоднородная линия передачи, содержащая по меньшей мере два отстоящих друг от друга проводящих слоя (102, 104), по меньшей мере один из которых является узорным за счет неоднородности в виде криволинейной части, при этом геометрические параметры узора изменяются с определенным шагом; диэлектрический слой, смежный проводящим слоям; и изоляционный слой, окружающий проводящие слои и диэлектрический слой, отличающаяся тем, что криволинейная часть...

Номер патента: 10259

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Кроук Чарльз И., Саттайл Эдвард Дж., Кахалейн Дэниел Дж.

МПК: G06F 17/50, H01L 21/027

Метки: создания, способ, заказа, фотомаску, системы, система, автоматического, сценариев, использованием, обработки, профилирования

Формула / Реферат:

1. Способ создания заказа на фотомаску, содержащий стадии создания интерфейса пользователя для общей информации, подсказывающего пользователю ввести общие данные о заказчике, размещающем заказ на фотомаску, создания интерфейса пользователя для пользовательского заказа, подсказывающего пользователю ввести специальные данные, необходимые для завершения заказа на фотомаску, на основе общих данных и/или специальных данных, ранее введенных...

Номер патента: 10171

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Альбертс Вивиан

МПК: H01L 31/032, H01L 31/18

Метки: компонентных, плёнок, групп, получения, более, способ, полупроводниковых, четырёх, сплавов, элементов

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводниковой пленки из четырех или более компонентного сплава из элементов групп IB-IIIA-VIA, причем этот способ включает в себя стадии: (i) формирование металлической пленки, содержащей смесь металлов из группы IB и группы IIIA; (ii) термическая обработка металлической пленки в присутствии источника первого элемента группы VIA (в последующем указанный первый элемент группы VIA называется как VIA1) в условиях...

Номер патента: 9720

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Зломанов Владимир Павлович, Енукашвили Мери Ильинична, Алиев Вугар Амирович, Пашаев Ариф Мирджалалович, Даварашвили Омар Ильич

МПК: H01L 21/36

Метки: эпитаксиальных, pb1-xsnxse, концентрации, способ, слоях, носителей, регулирования, заряда

Формула / Реферат:

1. Способ регулирования концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Pb1-xSnxSe, включающий размещение ориентированной в плоскости (111) или (100) подложки BaF2, источника сплава Pb1-xSnxSe, дополнительного источника Se в отдельных температурных зонах, создание вакуума, изоляцию подложки и нагрев температурных зон, при достижении заданных температур деизоляцию подложки, отличающийся тем, что в состав используемого источника сплава входят...

Номер патента: 9476

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Харрисон Линдси, Хайгейт Дональд Джеймс, Бурн Саймон

МПК: C08F 226/00, C08F 26/00, H01G 9/20...

Метки: элемент, фотоэлектрический

Формула / Реферат:

1. Фотоэлектрический элемент, который представляет собой мембранно-электродный узел, способный пропускать свет, в котором мембрана представляет собой материал, содержащий полимер, причем этот полимер содержит сильно ионную группу. 2. Элемент по п.1, в котором полимер является гидрофильным. 3. Элемент по п.1 или 2, в котором полимер является сшитым. 4. Элемент по любому предшествующему пункту, в котором мембрана представляет собой пластичный...

Номер патента: 9303

Опубликовано: 28.12.2007

Авторы: Хохлов Александр Евгеньевич, Левчук Николай Евгеньевич, Марышев Сергей Павлович, Ширипов Владимир Яковлевич, Хисамов Айрат Хамитович

МПК: H01L 21/203, C23C 14/46

Метки: способ, вакууме, кремния, варианты, нанесения, нитрида, пленок

Формула / Реферат:

1. Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме на неподвижно установленную подложку, при котором в вакуумную камеру подают смесь рабочих газов: азота и аргона, формируют ионный пучок по крайней мере из одного источника ионов, мишень из кремния распыляют направленным ионным пучком, а распыленный материал осаждают на подложку послойно путем сканирования ее поверхности, при этом источник ионов вместе с мишенью перемещают...

Номер патента: 9012

Опубликовано: 26.10.2007

Автор: Альбертс Вивиан

МПК: H01L 31/18, H01L 31/032, H01L 31/0264...

Метки: сплавов, i-iii-vi, пленки, компонентных, четырех, полупроводниковые, групп, более, элементов

Формула / Реферат:

1. Четырех- и более компонентный полупроводниковый сплав из элементов группы IB-IIIA-VIA, имеющий общую формулу (I) в которой А означает элемент группы IB; В означает элемент группы IIIA; С означает элемент группы IIIА, который отличается от В; D является первым элементом группы VIA (в последующем называется как VI1); Е является вторым элементом группы VIA (в последующем называется как VI2); и каждый из х и у независимо имеют значения от 0 до...

Номер патента: 8894

Опубликовано: 31.08.2007

Автор: Дюббельдам Геррит Корнелис

МПК: H01L 31/0392, H01L 31/036, H01L 27/142...

Метки: фольги, изготовления, солнечных, способ, подложки, временной, использованием, элементов

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления пленочных солнечных элементов, включающий в себя этапы, на которых на поддающуюся травлению временную подложку наносят передний слой прозрачного проводящего оксида (ППО); на слой ППО наносят фотоэлектрический (ФЭ) слой; на ФЭ слой наносят электропроводный задний слой; на задний слой наносят постоянную основу, причем каждый из переднего и заднего слоев прерывают соответственно по меньшей мере одной передней и по меньшей...

Номер патента: 8550

Опубликовано: 29.06.2007

Авторы: Мюллер Кристиан, Дупин Жан-Луи, Хейтцлер Жан-Клод

МПК: H01L 23/473, F28F 9/26

Метки: теплообменник

Формула / Реферат:

1. Теплообменник (1а-о), состоящий по меньшей мере из одной группы (200а-о), содержащей по меньшей мере два термоэлемента (2а-о), выделяющих калории и/или фригории, каждый из которых снабжен по меньшей мере одним входным отверстием (21) и по меньшей мере одним выходным отверстием (22), соединенных по меньшей мере одним каналом (20), пересекающим указанный термоэлемент (2а-о), способный принимать теплоноситель, предназначенный для сбора указанных...

Номер патента: 8519

Опубликовано: 29.06.2007

Автор: Блецкан Николай Иванович

МПК: H01L 31/18

Метки: изготовления, способ, блецкана, преобразователя, методу, фотоэлектрического, солнечного

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления солнечного фотоэлектрического преобразователя, включающий нанесение на монокристаллическую базу тоководов и слоев полупроводниковых кристаллов, в которых формируются р-п- и п-р-переходы, отличающийся тем, что в качестве базы используют полированную пластину сапфира с ориентацией <0001>, а слои полупроводниковых кристаллов наносят на обе стороны базы. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что тоководы в виде линий или...

Номер патента: 8187

Опубликовано: 27.04.2007

Авторы: Хисамов Айрат Хамитович, Марышев Сергей Павлович, Ширипов Владимир Яковлевич

МПК: C23C 14/46, H01L 21/3065, C23C 14/50...

Метки: очистки, производстве, варианты, дисплеев, устройство, способ, масок, реализации, теневых

Формула / Реферат:

1. Способ очистки теневых масок в производстве дисплеев, включающий формирование ионного пучка в вакуумной камере с помощью источника ионов, размещение маски в камере напротив эмиссионной поверхности источника ионов, отличающийся тем, что в вакуумной камере устанавливают охлаждаемый держатель, в котором размещают маску, при этом обрабатываемую поверхность маски, обращенную в сторону эмиссионной поверхности источника ионов, сканируют...

Номер патента: 7777

Опубликовано: 27.02.2007

Автор: Хартманн Клинтон С.

МПК: H01L 41/08

Метки: делающий, способы, различение, имеющая, изготовления, возможным, пав-метка, идентификационная, использования, встречно-штыревой, преобразователь, кодовое

Формула / Реферат:

1. Идентификационная метка на поверхностных акустических волнах (ПАВ-метка), имеющая кодированный преобразователь ("преобразователь со встроеным кодом"), содержащая пьезоэлектрическую подложку, снабженную несколькими отражателями, распределенными по группе слотов, размещенных на этой подложке в соответствии с импульсными характеристиками и фазовыми характеристиками, для кодирования некоторого числа в соответствии с импульсными и фазовыми...

Номер патента: 7524

Опубликовано: 27.10.2006

Авторы: Гидвани Джавахар М., Зуперро Антони С.

МПК: H01L 31/00

Метки: электричества, генерации, устройство

Формула / Реферат:

1. Устройство для генерации электричества, содержащее катализатор и подложку, при этом катализатор размещен на подложке, а подложка снабжена диодом для приема носителей заряда из катализатора, которые при приведении топлива и окислителя в контакт с катализатором эмитируются из катализатора, создавая на диоде разность электрических потенциалов. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что содержит диэлектрический слой между диодом в подложке и...

Номер патента: 6755

Опубликовано: 28.04.2006

Авторы: Схропп Рудольф Эммануэль Изидор, Петерс Паулус Маринус Гезина Мария, Мидделман Эрик

МПК: H01L 31/02, H01L 31/0224, H01L 31/18...

Метки: элемента, временной, подложки, способ, использованием, блока, солнечного, изготовления

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления блока солнечного элемента, включающий в себя этапы, на которых: А) обеспечивают наличие поддающейся травлению проводящей временной подложки; b) наносят слой прозрачного проводящего оксида (ППО) на упомянутую временную подложку; с) наносят фотоэлектрический слой на упомянутый слой ППО; d) наносят слой заднего электрода; е) наносят постоянный несущий элемент; f) на любом из предыдущих этапов обеспечивают наличие резиста...

Номер патента: 6560

Опубликовано: 24.02.2006

Автор: Ильянок Александр Михайлович

МПК: H01L 29/76, H01L 29/00

Метки: суперпамять, квантовая

Формула / Реферат:

1. Квантовая суперпамять, содержащая по меньшей мере два электрода, промежуток между которыми заполнен наноструктурированным в виде кластеров материалом, причем кластеры имеют характерный размер в интервале от 7,2517 до 29,0068 нм, а туннельно прозрачный промежуток между кластерами имеет толщину не более 7,2517 нм, отличающаяся тем, что кластеры расположены регулярно в виде слоев, при этом по меньшей мере в одном из слоев параметры кластеров...

Номер патента: 6539

Опубликовано: 24.02.2006

Автор: Ильянок Александр Михайлович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/76

Метки: супертранзистор, квантовый

Формула / Реферат:

1. Квантовый супертранзистор, содержащий множество кластеров токопроводящего наноструктурированного материала, имеющих размеры в интервале от 7,2517 до 29,0068 нм, и по меньшей мере три электрода, соединенные с кластером через туннельно-прозрачный промежуток, толщина которого не превышает 7,2517 нм, отличающийся тем, что кластеры расположены регулярно в виде слоев, при этом по меньшей мере в одном из слоев параметры кластеров отличаются от...

Номер патента: 6078

Опубликовано: 25.08.2005

Автор: Лохид Пол

МПК: H01L 31/052, F24J 2/02

Метки: способ, солнечной, преобразования, устройство, энергии

Формула / Реферат:

1. Установка для преобразования солнечной энергии в электрическую энергию, содержащая комплект сборок преобразователей солнечной энергии в электрическую энергию, систему управления (48, 50, 52) для автоматического поддержания, по существу, перпендикулярного расположения сборок преобразователей по отношению к солнечным лучам, отличающаяся тем, что каждая сборка содержит солнечные элементы, линзы Френеля и отражатель (76) солнечного излучения,...

Номер патента: 5344

Опубликовано: 24.02.2005

Авторы: Симура Хироси, Сато Томойоси, Икеда Кендзи

МПК: H01L 21/82, G06F 15/16, H03K 19/173...

Метки: интегральная, схема

Формула / Реферат:

1. Устройство, представляющее собой интегральную схему, которое содержит блок обработки данных, содержащий множество операционных блоков, расположенных в первом и во втором направлениях в виде матрицы, множество первых наборов проводников, проходящих в первом направлении, соответствующем схеме расположения множества операционных блоков в первом направлении, и обеспечивающих передачу входных данных и/или выходных данных каждого из операционных...

Номер патента: 4487

Опубликовано: 29.04.2004

Авторы: Даулинг Дэвид Б., Спивак Артур Дж.

МПК: H01L 21/20, C23F 13/22

Метки: проводящих, система, коррозии, способ, защиты, конструкций

Формула / Реферат:

1. Способ защиты от коррозии проводящей конструкции в контакте с коррозионной окружающей средой, причем указанный способ включает в себя стадии, на которых (a) покрывают проводящую конструкцию полупроводниковым покрытием и обеспечивают электронный фильтр, соединенный с покрытой проводящей конструкцией; (b) контролируют коррозионный шум, создаваемый покрытой проводящей конструкцией, и регулируют фильтрующие свойства указанного электронного...

Номер патента: 4070

Опубликовано: 25.12.2003

Авторы: Алмоснино Патрик, Муссане Ролан, Руссе Патрик, Кортез Жилль, Андре Филипп

МПК: H01L 41/113

Метки: управления, автономным, энергии, аппарат, содержащая, электрический, это, устройство, дистанционного, установка, источником

Формула / Реферат:

1. Устройство дистанционного управления с автономным источником энергии, содержащее средство (8, 9, 10) передачи, питающую схему (6, 7), соединенную со средством передачи, генератор, содержащий по меньшей мере один пьезоэлектрический элемент (1, 17, 18), воспринимающий механические напряжения, создаваемые за счет срабатывания средства управления, и подающий электрическую энергию в питающую схему, и средство (3) управления, связанное с...

Номер патента: 3909

Опубликовано: 30.10.2003

Авторы: Ютино Йосицугу, Ито Терунори, Ямасаки Хидехико

МПК: C09K 3/14, B24B 37/00, C01F 17/00...

Метки: церия, него, способы, абразив, получения, основе, материал, исходный

Формула / Реферат:

1. Исходный материал для абразивов на основе церия, включающий карбонат и оксид редкоземельного металла церия и имеющий потери при прокаливании, определенные нагревом при 1000шC в течение 1 ч, в пересчете на сухой материал от 0,5 до 25%. 2. Исходный материал для абразивов на основе церия по п.1, где потери при прокаливании составляют от 5,0 до 20%. 3. Исходный материал для абразивов на основе церия по п.1, где потери при прокаливании составляют...

Номер патента: 3852

Опубликовано: 30.10.2003

Автор: Ильянок Александр Михайлович

МПК: H01L 29/00

Метки: квантовый, суперконденсатор

Формула / Реферат:

1. Квантовый суперконденсатор, содержащий по меньшей мере два электрода и расположенный между ними по меньшей мере один кластер с туннельно-прозрачной оболочкой, отличающийся тем, что кластер имеет по меньшей мере один характерный поперечный размер, определяемый в интервале 7,2517 нм_r_29,0068 нм, причем толщина туннельно-прозрачной оболочки не превышает 7,2517 нм, а расстояние между электродами превышает 7,2517 нм. 2. Конденсатор по п.1,...

Номер патента: 3343

Опубликовано: 24.04.2003

Авторы: Сасаки Казухиро, Косизука Ясуо, Сасаки Макото

МПК: H01L 31/113

Метки: система, фотодатчиков, фотодатчик

Формула / Реферат:

1. Фотодатчик, содержащий электрод первого затвора; изолирующую пленку первого затвора, обеспечиваемую над упомянутым электродом первого затвора; по меньшей мере, один полупроводниковый слой, обеспечиваемый над упомянутой изолирующей пленкой первого затвора; электроды истока и стока для того, чтобы заставить ток стока течь в упомянутом полупроводниковом слое; изолирующую пленку второго затвора, обеспечиваемую над упомянутым полупроводниковым...

Номер патента: 3164

Опубликовано: 27.02.2003

Автор: Ильянок Александр Михайлович

МПК: H01L 29/00

Метки: режимы, квантово-размерные, устройства, работы, электронные

Формула / Реферат:

1. Способ работы кванто-воразмерного электронного устройства, включающий приложение электрического поля в рабочем диапазоне напряженностей к устройству, содержащему, по меньшей мере, один кластер и электроды, соединенные с кластером через туннельно-прозрачный промежуток, отличающийся тем, что создают резонансные условия для образования кольцевых электронов, для чего напряженность поля на кластере задают в диапазоне Emin_ E_ Emax 1,37Ч105 B/см_...

Номер патента: 3062

Опубликовано: 26.12.2002

Авторы: Сенгупта Сомнат, Стоувелл Стивен К., Сенгупта Луиз К., Зу Йонгфей

МПК: H01L 29/93

Метки: прохождения, блокирования, встроенными, вариконд, устройствами, тока, сегнетоэлектрический, постоянного

Формула / Реферат:

1. Вариконд, содержащий слой (16) перестраиваемого сегнетоэлектрика и первый и второй электроды (18, 20), примыкающие к нему, отличающийся тем, что он дополнительно содержит первый слой (34) неперестраиваемого диэлектрика, примыкающий к первому электроду, и третий электрод (38), примыкающий к первому слою неперестраиваемого диэлектрика, причем указанные третий и первый электроды и указанный первый слой неперестраиваемого диэлектрика образуют...

Номер патента: 2073

Опубликовано: 24.12.2001

Авторы: Любимов Владислав Алексеевич, Рейнер Виталий Валерьевич, Орентлихерман Исаак Аронович

МПК: G01V 1/40, H01L 41/083

Метки: пьезопреобразователь

Формула / Реферат:

1. Пьезопреобразователь, содержащий пьезопакеты из продольно поляризованных электрически соединенных параллельно пьезокерамических шайб, с накладками толщиной l\40 (где l - длина волны в материале накладки), армирующий стержневой элемент и стягивающий элемент, отличающийся тем, что соединение пьезопакетов выполнено в виде упругой гибкой вставки, а соединение стержневого элемента и стягивающего элемента выполнено с возможностью регулирования...

Номер патента: 1908

Опубликовано: 22.10.2001

Авторы: Моозхаймер Ульрих, Плессинг Альберт, Ланговски Хорст-Кристиан

МПК: B32B 31/00, H01L 31/048

Метки: фотогальванический, изготовления, модуль, способ, также

Формула / Реферат:

1. Фотогальванический модуль (1) в виде слоистой структуры, имеющей в качестве сердцевинного слоя систему (2) солнечных элементов, а также нанесенные на нее с обеих сторон герметизирующие материалы (3, 3'), отличающийся тем, что, по меньшей мере, один слой герметизирующего материала (3') состоит из изолирующего (4') и барьерного (6) слоев, при этом барьерный слой (6) выполнен из однослойной или многослойной полимерной пленки, покрытой...