H01L 29/06 — отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
Полупроводниковый прибор (варианты)
Номер патента: 15205
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Цой Броня, Цой Валерьян Эдуардович, Цой Татьяна Сергеевна, Когай Юрий Васильевич
МПК: H01L 29/68, H01L 29/06
Метки: варианты, прибор, полупроводниковый
Формула / Реферат:
1. Полупроводниковый прибор, содержащий по меньшей мере одну р-область и по меньшей мере одну n-область с прилегающими к каждой из указанных областей электродами, отличающийся тем, что он содержит N>1 (где N - целое число) областей с одноименной проводимостью и одну область с противоположной проводимостью с образованием N отдельных однотипных р-n-переходов, причем электроды, прилегающие к каждой из N областей с одноименной проводимостью,...
Микрокристаллические и нанокристаллические структуры с низкой диэлектрической проницаемостью для применения в области высоких технологий
Номер патента: 13649
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Калем Сереф
МПК: G06F 21/00, H01L 21/28, H01L 21/20...
Метки: диэлектрической, применения, микрокристаллические, проницаемостью, структуры, технологий, высоких, нанокристаллические, области, низкой
Формула / Реферат:
1. Способ синтеза микрокристаллических и нанокристаллических структур с низкой диэлектрической проницаемостью, имеющих свойства сегнетоэлектриков и способность к излучению в оптическом диапазоне, в тефлоновом контейнере на подложках на основе германия (Ge), алмаза (С) и/или кремния (Si), включающий следующие стадии:a) заполнение тефлонового контейнера (3) смесью реагентов HF и HNO3и образование в нем паров реагентов,b) контактирование смеси с...
Неоднородная линия передачи и способ ее получения
Номер патента: 10439
Опубликовано: 29.08.2008
Авторы: Поттер Джеймс М., Уоллинг Линда Сью, Мак-Кэрди Майкл У., Марри Дейвид, Секстон Роберт Дж.
МПК: H01L 29/06, H01P 1/18, B05D 3/00...
Метки: линия, передачи, получения, способ, неоднородная
Формула / Реферат:
1. Неоднородная линия передачи, содержащая по меньшей мере два отстоящих друг от друга проводящих слоя (102, 104), по меньшей мере один из которых является узорным за счет неоднородности в виде криволинейной части, при этом геометрические параметры узора изменяются с определенным шагом; диэлектрический слой, смежный проводящим слоям; и изоляционный слой, окружающий проводящие слои и диэлектрический слой, отличающаяся тем, что криволинейная часть...