Патенты с меткой «компонентных»

Номер патента: 22835

Опубликовано: 31.03.2016

Авторы: Ковальски Джон М., Имамура Кимихико, Кошневис Ахмад, Чудхури Саянтан, Парк Кеннет Дж.

МПК: H04W 36/06, H04W 72/02, H04W 36/08...

Метки: компонентных, радиосвязи, выбора, несущих, способы, системе, системы

Формула / Реферат:

1. Система беспроводной связи, содержащаябазовые станции, включая исходную базовую станцию и целевую базовую станцию, имобильную станцию, выполненную с возможностью осуществления связи с базовыми станциями, используя одну или несколько компонентных несущих, в которойво время нахождения мобильной станции в режиме соединения осуществляется подготовка для осуществления переключения от исходной базовой станции на целевую базовую станцию;исходная...

Номер патента: 22510

Опубликовано: 29.01.2016

Авторы: Уемура Кацунари, Като Ясуюки, Охути Ватару, Ямада Сёхэй, Накасима Дайитиро

МПК: H04W 88/02, H04W 74/08, H04W 72/04...

Метки: множества, доступа, частот, способ, несущих, произвольного, детектирования, проблем, компонентных

Формула / Реферат:

1. Способ детектирования данных доступа, используемый в устройстве мобильной станции, использующем множество компонентных несущих, которые представляют собой используемые полосы частот для связи с устройством базовой станции, при этом способ обработки содержит, по меньшей мере, следующие этапы:выполняют произвольные доступы к устройству базовой станции;подсчитывают количество произвольных доступов к устройству базовой станции идетектируют ошибку...

Номер патента: 10171

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Альбертс Вивиан

МПК: H01L 31/032, H01L 31/18

Метки: компонентных, сплавов, полупроводниковых, плёнок, четырёх, более, способ, групп, получения, элементов

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводниковой пленки из четырех или более компонентного сплава из элементов групп IB-IIIA-VIA, причем этот способ включает в себя стадии: (i) формирование металлической пленки, содержащей смесь металлов из группы IB и группы IIIA; (ii) термическая обработка металлической пленки в присутствии источника первого элемента группы VIA (в последующем указанный первый элемент группы VIA называется как VIA1) в условиях...

Номер патента: 9012

Опубликовано: 26.10.2007

Автор: Альбертс Вивиан

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/032, H01L 31/18...

Метки: пленки, полупроводниковые, i-iii-vi, четырех, групп, более, компонентных, сплавов, элементов

Формула / Реферат:

1. Четырех- и более компонентный полупроводниковый сплав из элементов группы IB-IIIA-VIA, имеющий общую формулу (I) в которой А означает элемент группы IB; В означает элемент группы IIIA; С означает элемент группы IIIА, который отличается от В; D является первым элементом группы VIA (в последующем называется как VI1); Е является вторым элементом группы VIA (в последующем называется как VI2); и каждый из х и у независимо имеют значения от 0 до...