H01L 21/31 — с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии

Номер патента: 13222

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Хаяси Казуси, Кугимия Тосихиро, Кобори Такаси, Аосима Юки, Аомине Нобутака

МПК: H01L 21/31, C23C 16/505

Метки: способ, формирования, пленки, тонкой

Формула / Реферат:

1. Способ формирования тонкой пленки в атмосфере с давлением по меньшей мере 900 ГПа, в котором подают реакционный газ и подают электрическое питание на цилиндрический вращающийся электрод, центральная ось вращения которого параллельна подложке, для генерирования плазмы в промежутке между этим вращающимся электродом и подложкой, причем плазма химически активирует подаваемый реакционный газ с образованием тонкой пленки на подложке, при этом зазор...