H01L 21/20 — нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
Микрокристаллические и нанокристаллические структуры с низкой диэлектрической проницаемостью для применения в области высоких технологий
Номер патента: 13649
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Калем Сереф
МПК: H01L 21/20, G06F 21/00, H01L 21/28...
Метки: высоких, технологий, микрокристаллические, применения, области, диэлектрической, структуры, нанокристаллические, низкой, проницаемостью
Формула / Реферат:
1. Способ синтеза микрокристаллических и нанокристаллических структур с низкой диэлектрической проницаемостью, имеющих свойства сегнетоэлектриков и способность к излучению в оптическом диапазоне, в тефлоновом контейнере на подложках на основе германия (Ge), алмаза (С) и/или кремния (Si), включающий следующие стадии:a) заполнение тефлонового контейнера (3) смесью реагентов HF и HNO3и образование в нем паров реагентов,b) контактирование смеси с...
Способ и система защиты от коррозии проводящих конструкций
Номер патента: 4487
Опубликовано: 29.04.2004
Авторы: Спивак Артур Дж., Даулинг Дэвид Б.
МПК: C23F 13/22, H01L 21/20
Метки: проводящих, способ, система, защиты, конструкций, коррозии
Формула / Реферат:
1. Способ защиты от коррозии проводящей конструкции в контакте с коррозионной окружающей средой, причем указанный способ включает в себя стадии, на которых (a) покрывают проводящую конструкцию полупроводниковым покрытием и обеспечивают электронный фильтр, соединенный с покрытой проводящей конструкцией; (b) контролируют коррозионный шум, создаваемый покрытой проводящей конструкцией, и регулируют фильтрующие свойства указанного электронного...