H01L 21/36 — нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание
Способ регулирования концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях pb1-xsnxse
Номер патента: 9720
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Пашаев Ариф Мирджалалович, Енукашвили Мери Ильинична, Алиев Вугар Амирович, Зломанов Владимир Павлович, Даварашвили Омар Ильич
МПК: H01L 21/36
Метки: эпитаксиальных, pb1-xsnxse, носителей, слоях, заряда, способ, регулирования, концентрации
Формула / Реферат:
1. Способ регулирования концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Pb1-xSnxSe, включающий размещение ориентированной в плоскости (111) или (100) подложки BaF2, источника сплава Pb1-xSnxSe, дополнительного источника Se в отдельных температурных зонах, создание вакуума, изоляцию подложки и нагрев температурных зон, при достижении заданных температур деизоляцию подложки, отличающийся тем, что в состав используемого источника сплава входят...