Патенты с меткой «pb1-xsnxse»

Номер патента: 9720

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Пашаев Ариф Мирджалалович, Алиев Вугар Амирович, Енукашвили Мери Ильинична, Зломанов Владимир Павлович, Даварашвили Омар Ильич

МПК: H01L 21/36

Метки: концентрации, эпитаксиальных, регулирования, pb1-xsnxse, слоях, способ, носителей, заряда

Формула / Реферат:

1. Способ регулирования концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Pb1-xSnxSe, включающий размещение ориентированной в плоскости (111) или (100) подложки BaF2, источника сплава Pb1-xSnxSe, дополнительного источника Se в отдельных температурных зонах, создание вакуума, изоляцию подложки и нагрев температурных зон, при достижении заданных температур деизоляцию подложки, отличающийся тем, что в состав используемого источника сплава входят...