Даварашвили Омар Ильич
Способ регулирования концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях pb1-xsnxse
Номер патента: 9720
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Пашаев Ариф Мирджалалович, Зломанов Владимир Павлович, Алиев Вугар Амирович, Даварашвили Омар Ильич, Енукашвили Мери Ильинична
МПК: H01L 21/36
Метки: слоях, способ, pb1-xsnxse, носителей, заряда, регулирования, концентрации, эпитаксиальных
Формула / Реферат:
1. Способ регулирования концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Pb1-xSnxSe, включающий размещение ориентированной в плоскости (111) или (100) подложки BaF2, источника сплава Pb1-xSnxSe, дополнительного источника Se в отдельных температурных зонах, создание вакуума, изоляцию подложки и нагрев температурных зон, при достижении заданных температур деизоляцию подложки, отличающийся тем, что в состав используемого источника сплава входят...