H01L 29/32 — с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки

Номер патента: 11592

Опубликовано: 28.04.2009

Авторы: Эймери Жоэль, Жантиль Паскаль

МПК: H01L 29/15, H01L 21/329, H01L 29/32...

Метки: гетероструктур, планарным, получения, резонансных, переносом, способ

Формула / Реферат:

1. Устройство для переноса электронов, содержащее по меньшей мере один слой (6) переноса, в котором дислокации и/или дефекты образуют по меньшей мере одну периодическую решетку; средства (4, 60, 62, 64, 70, 72) для направления электронов в плоскости указанной периодической решетки, при этом периодическая решетка в первом направлении имеет первый период и во втором направлении, отличающемся от первого направления, имеет второй период, причем...