H01L 31/18 — способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей

Номер патента: 20377

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Марышев Сергей Павлович, Ширипов Владимир Яковлевич, Хохлов Евгений Александрович, Насточкин Сергей Михайлович

МПК: H01L 21/203, H01L 31/18

Метки: тонких, формирования, устройство, солнечных, способ, реализации, пленок, батарей

Формула / Реферат:

1. Способ формирования тонких пленок CIGS для солнечных батарей большого размера путем послойного нанесения в вакууме CIGS-пленки на подложку из листового стекла с предварительно нанесенным на нее слоем токопроводящего молибдена в вакуумном коридоре линии непрерывного действия, отличающийся тем, что материал наносят последовательными слоями методом реактивного распыления в парах элементарного селена с использованием последовательно расположенных...

Номер патента: 18435

Опубликовано: 30.07.2013

Автор: Кижаев Сергей Сергеевич

МПК: H01L 31/0304, H01L 21/205, H01L 31/18...

Метки: этой, способ, гетероструктур, среднего, основе, ик-диапазона, варианты, изготовления, гетероструктура, светодиод, гетероструктуры, фотодиод

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероструктур, в соответствии с которымвыращивают методом газофазной эпитаксии на подложке, содержащей InAs, барьерный слой, содержащий InSbP;выращивают методом газофазной эпитаксии на барьерном слое активный слой, содержащий InAsSbP,причем в качестве источника мышьяка используют трет-бутиларсин, а в качестве источника фосфора используют трет-бутилфосфин.2. Гетероструктура, содержащая подложку, содержащую InAs, барьерный...

Номер патента: 15668

Опубликовано: 31.10.2011

Авторы: Петер Кристиан, Энебакк Эрик, Раабе Бернд, Тронстад Рагнар

МПК: H01L 21/223, H01L 31/042, H01L 21/322...

Метки: имеющая, кремниевая, неосновных, большое, носителей, способ, получения, p-типа, время, жизни, поликристаллическая, заряда, пластина

Формула / Реферат:

1. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, отличающаяся тем, что она получена посредством диффузии фосфора и геттерирования фосфором при температуре выше 950°С кремниевой пластины, содержащей 0,2-2,8 млн.д.ат. бора и 0,06-2,8 млн.д.ат. фосфора и/или 0,06-2,8 млн.д.ат. мышьяка.2. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа по п.1, отличающаяся тем, что поликристаллическая...

Номер патента: 15000

Опубликовано: 29.04.2011

Авторы: Будный Андрей Николаевич, Кавеев Андрей Камильевич

МПК: H01L 21/312, H01L 31/18

Метки: способом, кремниевый, нанесенным, кремний, оптический, указанным, элемент, способ, покрытием, нанесения, полиэтилена, просветляющим

Формула / Реферат:

1. Способ нанесения полиэтиленового покрытия на кремний, содержащий следующие шаги: соединяют поверхности кремния и полиэтилена; соединенные кремний и полиэтилен нагревают до температуры выше 150°С, после чего соединенные кремний и полиэтилен перемещают в объем с температурой ниже 100°С и охлаждают соединенные кремний и полиэтилен до комнатной температуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что полиэтилен нагревают до температуры в диапазоне от...

Номер патента: 10503

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Гуринович Леонид Иванович, Гапоненко Николай Васильевич, Артемьев Михаил Валентинович, Воггон Ульрике, Лютич Андрей Андреевич, Гапоненко Сергей Васильевич, Молчан Игорь Славович

МПК: H01L 31/02, H01L 31/18

Метки: света, узконаправленный, высокоэффективный, преобразователь

Формула / Реферат:

1. Оптическое спектральное конвертирующее устройство, представляющее собой плёнку прозрачного направленно структурированного материала, содержащего распределённую в порах субстанцию, преобразующую длину волны излучения, отличающееся тем, что указанная субстанция выполнена в виде ксерогеля, содержащего квантоворазмерные наноструктуры, которые обладают сильными квантоворазмерными эффектами. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ксерогель...

Номер патента: 10171

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Альбертс Вивиан

МПК: H01L 31/032, H01L 31/18

Метки: способ, полупроводниковых, групп, сплавов, четырёх, компонентных, плёнок, более, получения, элементов

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводниковой пленки из четырех или более компонентного сплава из элементов групп IB-IIIA-VIA, причем этот способ включает в себя стадии: (i) формирование металлической пленки, содержащей смесь металлов из группы IB и группы IIIA; (ii) термическая обработка металлической пленки в присутствии источника первого элемента группы VIA (в последующем указанный первый элемент группы VIA называется как VIA1) в условиях...

Номер патента: 9012

Опубликовано: 26.10.2007

Автор: Альбертс Вивиан

МПК: H01L 31/032, H01L 31/18, H01L 31/0264...

Метки: групп, сплавов, элементов, пленки, полупроводниковые, более, i-iii-vi, четырех, компонентных

Формула / Реферат:

1. Четырех- и более компонентный полупроводниковый сплав из элементов группы IB-IIIA-VIA, имеющий общую формулу (I) в которой А означает элемент группы IB; В означает элемент группы IIIA; С означает элемент группы IIIА, который отличается от В; D является первым элементом группы VIA (в последующем называется как VI1); Е является вторым элементом группы VIA (в последующем называется как VI2); и каждый из х и у независимо имеют значения от 0 до...

Номер патента: 8894

Опубликовано: 31.08.2007

Автор: Дюббельдам Геррит Корнелис

МПК: H01L 31/0392, H01L 27/142, H01L 31/036...

Метки: подложки, фольги, использованием, способ, элементов, солнечных, изготовления, временной

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления пленочных солнечных элементов, включающий в себя этапы, на которых на поддающуюся травлению временную подложку наносят передний слой прозрачного проводящего оксида (ППО); на слой ППО наносят фотоэлектрический (ФЭ) слой; на ФЭ слой наносят электропроводный задний слой; на задний слой наносят постоянную основу, причем каждый из переднего и заднего слоев прерывают соответственно по меньшей мере одной передней и по меньшей...

Номер патента: 8519

Опубликовано: 29.06.2007

Автор: Блецкан Николай Иванович

МПК: H01L 31/18

Метки: методу, фотоэлектрического, солнечного, изготовления, блецкана, преобразователя, способ

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления солнечного фотоэлектрического преобразователя, включающий нанесение на монокристаллическую базу тоководов и слоев полупроводниковых кристаллов, в которых формируются р-п- и п-р-переходы, отличающийся тем, что в качестве базы используют полированную пластину сапфира с ориентацией <0001>, а слои полупроводниковых кристаллов наносят на обе стороны базы. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что тоководы в виде линий или...

Номер патента: 6755

Опубликовано: 28.04.2006

Авторы: Петерс Паулус Маринус Гезина Мария, Схропп Рудольф Эммануэль Изидор, Мидделман Эрик

МПК: H01L 31/02, H01L 31/0224, H01L 31/18...

Метки: способ, изготовления, солнечного, блока, подложки, элемента, временной, использованием

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления блока солнечного элемента, включающий в себя этапы, на которых: А) обеспечивают наличие поддающейся травлению проводящей временной подложки; b) наносят слой прозрачного проводящего оксида (ППО) на упомянутую временную подложку; с) наносят фотоэлектрический слой на упомянутый слой ППО; d) наносят слой заднего электрода; е) наносят постоянный несущий элемент; f) на любом из предыдущих этапов обеспечивают наличие резиста...