Патенты с меткой «осаждения»

Номер патента: 24663

Опубликовано: 31.10.2016

Авторы: Рамунни Энрико, Урджеге Кристиан, Мартелли Джан Никола, Антоцци Антонио Лоренцо, Якопетти Лучано, Гулла Андреа Франческо

МПК: C23C 14/16, C23C 14/22, C23C 14/08...

Метки: помощью, электродов, непрерывном, вакуумного, активация, методов, процессе, поверхностей, осаждения

Формула / Реферат:

1. Способ получения электродов для электролитических процессов, включающий осаждение в непрерывном режиме плотного слоя благородных металлов или их оксидов на металлическую подложку методом физического осаждения из паровой фазы, причем указанный способ включает этапывведения указанной металлической подложки в виде заготовок деталей в камеру кондиционирования устройства физического осаждения из паровой фазы;гидравлического соединения указанной...

Номер патента: 24146

Опубликовано: 31.08.2016

Авторы: Гуань Хуа, Кит Ричард

МПК: C09K 8/528, C09K 8/54

Метки: способ, потоков, ингибирования, водных, солей, осаждения

Формула / Реферат:

1. Способ ингибирования осаждения и/или кристаллизации соли в водном потоке, включающий добавление от 0,1 до менее 200 ч./млн ингибитора соли в водный поток, содержащий одну или более солей в растворе, для уменьшения количества выпавшей в осадок соли в водном потоке по сравнению с количеством соли, которое выпало бы в осадок в отсутствие ингибитора, причем в качестве ингибитора соли используют хлорид кадмия или нитрат свинца.2. Способ по п.1, в...

Номер патента: 23563

Опубликовано: 30.06.2016

Авторы: Раяла Маркку, Тикканен Юха

МПК: B05D 1/02, B05D 1/10, C03C 17/00...

Метки: устройство, контроля, процесса, способ, покрытия, осаждения, методоm

Формула / Реферат:

1. Способ контроля процесса покрытия методом осаждения из паровой фазы, при котором осуществляют мониторинг концентрации ультратонких частиц, включающий зарядку частиц и измерение электрического тока, возникающего вследствие движения заряженных частиц, и на основе этого мониторинга регулируют в режиме реального времени по меньшей мере один из параметров процесса, влияющих на образование частиц.2. Способ по п.1, в котором измерение электрического...

Номер патента: 22535

Опубликовано: 29.01.2016

Авторы: Тири Жак, Курто Брюно, Оже Фредерик

МПК: C01G 43/00, C01G 43/01

Метки: концентрата, порошка, слое, производства, уранового, путем, производство, способ, указанного, осаждения, псевдоожиженном

Формула / Реферат:

1. Способ производства уранового концентрата в форме твердых частиц путем осаждения из урансодержащего раствора с использованием осаждающего агента в вертикальном реакторе (1), включающем в себя основание (7), верх, центральную часть (2), верхнюю часть (3) и нижнюю часть (6), при этом твердые частицы уранового концентрата образуют псевдоожиженный слой под действием восходящего жидкого потока, который циркулирует от основания (7) к верху реактора...

Номер патента: 21907

Опубликовано: 30.09.2015

Авторы: Досон Ричард, Боун Адам, Лиа Роберт

МПК: C23C 18/12, C04B 41/87, C04B 41/89...

Метки: керамических, осаждения, способ, пленок

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления SOFC электролита, включающий нанесение по меньшей мере двух слоев металлооксидной кристаллической керамики на поверхности основы, данный способ включает следующие стадии:(i) нанесение раствора предшественника в виде растворимой соли металлооксидной кристаллической керамики на указанную поверхность, чтобы образовать слой указанного раствора указанного предшественника в виде растворимой соли на указанной поверхности;(ii)...

Номер патента: 21077

Опубликовано: 31.03.2015

Автор: Фендли Брайан

МПК: B01D 21/02

Метки: использующий, стесненного, осаждения, жидкостной, технологию, сепаратор

Формула / Реферат:

1. Жидкостной сепаратор со стесненным осаждением, предназначенный для воздействия на разделяемый материал в жидкой среде и содержащийбак, образованный стенками, обеспечивающими удерживание жидкой среды, и содержащий камеру осаждающейся фракции и камеру плавающей фракции, а также вход и выход для жидкости;колонну для восходящего потока, установленную в вертикальном положении в камере осаждающейся фракции и заходящую под поверхность жидкой среды,...

Номер патента: 20763

Опубликовано: 30.01.2015

Автор: Машвитц Питер

МПК: H01L 21/469, H05H 1/00

Метки: плазменно-химического, источник, нанесения, способы, осаждения, плазмы, покрытий, фазы, газовой, тонкопленочных, использованием

Формула / Реферат:

1. Источник плазмы, включающий источник питания, первую электронно-активную поверхность и вторую электронно-активную поверхность, причем электронно-активные поверхности разделены пространством для газа и электрически соединены с источником питания, выполненным с возможностью попеременного изменения полярности напряжения и подачи напряжения на вторую электронно-активную поверхность, сдвинутого по фазе относительно напряжения, подаваемого на...

Номер патента: 18887

Опубликовано: 29.11.2013

Авторы: Яухиайнен Мика, Соининен Пекка

МПК: C30B 25/14, C23C 16/455

Метки: атомного, послойного, осаждения, устройство, реактора

Формула / Реферат:

1. Устройство для реактора послойного атомного осаждения, включающего реакционную камеру, средний элемент, два реверсивных элемента, патрубки для подачи реакционного газа и его отвода и патрубки для подачи барьерного газа, при этом патрубки для подачи и отвода реакционного газа и подачи барьерного газа содержат средний элемент (3), имеющий множество параллельных каналов (4 и 6), проходящих через этот элемент, и первый и второй реверсивные...

Номер патента: 18265

Опубликовано: 28.06.2013

Авторы: Лааксо Симо, Вахваселкэ Марьятта, Хокканен Санна, Пастинен Осси

МПК: C12P 7/64

Метки: мыла, кислоты, получения, исходного, осаждения, липида, ферментации, металлов, спирт, путем, способ, включающий, стадию, содержащего, щелочно-земельных, жирные, сырья

Формула / Реферат:

1. Способ получения липида или смеси липидов из исходного сырья, содержащего по меньшей мере один спирт и мыло или предшественник мыла, характеризующийся следующими стадиями:добавление к исходному сырью реагента, образующего ионы металла, обеспечивающего осаждение мыла с получением смеси, содержащей нерастворимую и жидкую фазы;отделение нерастворимой фазы от жидкой с выделением осадка;приведение в контакт микроорганизма - продуцента липида с...

Номер патента: 18147

Опубликовано: 30.05.2013

Авторы: Лонгстафф Адам Дэниел, Бланн Адам Джастин

МПК: C25B 1/14, C25C 1/00, C25B 9/10...

Метки: гидроксидов, металлов, кислоты, серной, устройство, кислотных, катионных, извлечения, способ, осаждения, растворов

Формула / Реферат:

1. Электрохимический способ осаждения катионных частиц гидроксида (или оксида) металла и извлечения серной кислоты из сильнокислых растворов, где упомянутый способ включает следующие этапы, на которых:(i) пропускают электрический ток через электролизную ячейку, имеющую по меньшей мере один катод и один анод, в которой ячейка разделена анионообменной мембраной на катодное отделение и анодное отделение, где катодное отделение содержит кислотный...

Номер патента: 17676

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Харченко Андрий, Дюрандо Анн, Надо Николя

МПК: C03C 17/245, C03C 17/36, C03C 17/34...

Метки: тонкого, способ, осаждения, слоя

Формула / Реферат:

1. Способ получения материала, содержащего подложку и по меньшей мере один тонкий слой на основе оксида титана, по меньшей мере, частично кристаллизованный и осажденный на первую сторону указанной подложки, причем указанный способ содержит следующие этапы:осаждают указанный, по меньшей мере один, тонкий слой на основе оксида титана;подвергают указанный, по меньшей мере один, тонкий слой на основе оксида титана кристаллизационной обработке,...

Номер патента: 16692

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Хяркенен Кари, Маула Ярмо

МПК: H01L 21/314, C23C 16/40, C23C 16/455...

Метки: металлов, осаждения, оксидов, способ, материалов

Формула / Реферат:

1. Способ снижения или исключения неоднородности слоя для метода послойного атомного осаждения или метода типа послойного атомного осаждения, включающий следующие фазы:a) воздействие на поверхность первым предшественником или смесью предшественников, включающих в себя по меньшей мере один галогенид металла,b) воздействие на полученную поверхность вторым предшественником, выбранным из группы, состоящей из воды, перекиси водорода, трет-бутанола и...

Номер патента: 16336

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Девактер Даан, Сиро Даниель, Левалль Андре

МПК: C08F 2/14, C08F 10/02, C08F 2/00...

Метки: передающей, между, продукта, реакторами, способ, осаждения, уменьшения, линии, петлевыми

Формула / Реферат:

1. Способ уменьшения осаждения и последующей закупорки в передающей линии от одного петлевого реактора к другому при гомо- и сополимеризации этилена и альфа-олефинов в суспензионном сдвоенном петлевом реакторе, в котором:а) устанавливают температуру в первом реакторе на 5-7°С ниже температуры набухания,б) увеличивают перепад давления δp между первым и вторым реакторами до значения δp от 1 до 5 бар и синхронизируют разгрузку...

Номер патента: 15231

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Соининен Пекка, Снек Сами

МПК: C23C 16/455, C23C 16/458, C23C 16/00...

Метки: послойного, осаждения, устройство, реактора, атомного

Формула / Реферат:

1. Реактор послойного атомного осаждения, содержащий вакуумную камеру (2) и реакционную камеру (4), расположенную внутри вакуумной камеры (2), где реакционная камера (4) снабжена открываемой стенкой (24), загрузочное отверстие (12), образованное в боковой стенке/корпусе (22) или в торцевой стенке (6, 20) вакуумной камеры (2), загрузочное устройство, сообщающееся с загрузочным отверстием, установленное в первой или второй торцевой стенке (6, 20)...

Номер патента: 12961

Опубликовано: 26.02.2010

Авторы: Соининен Пекка, Кето Лейф

МПК: C23C 16/44, C23C 16/455, C23C 16/00...

Метки: атомного, осаждения, реактор, послойного

Формула / Реферат:

1. Реакционная камера реактора послойного атомного осаждения, содержащая нижнюю стенку, верхнюю стенку и боковые стенки, проходящие между верхней стенкой и нижней стенкой и определяющие контур реакционной камеры с образованием внутренней части (28) реакционной камеры, причем реактор содержит также одно или несколько впускных отверстий (30) для подачи газа в реакционную камеру и одно или несколько выпускных отверстий (40) для отвода поданного в...

Номер патента: 11252

Опубликовано: 27.02.2009

Авторы: Тембу Н'зюди Дени, Делямотт Мари-Франс, Фор Дидье

МПК: C08J 3/07, C08J 3/05, C10L 1/14...

Метки: температуры, полимеров, парафинов, сырых, нефтей, понижения, стабильные, осаждения, получения, применения, способ, эмульсии, застывания, ингибирования

Формула / Реферат:

1. Полимерная композиция, содержащая полимеры по меньшей мере двух типов, выбранные из следующих трех типов: i) сополимеров этилена и по меньшей мере одного этиленненасыщенного мономера, например винилацетата (EVA), ii) сополимеров этилена, определенных в i), к которым привиты полимеры, которые представляют собой (со)полимеры, полученные из одного или нескольких мономеров n-алкил(мет)акрилата, с n в пределах от 6 до 40, а предпочтительно от 14...

Номер патента: 10965

Опубликовано: 30.12.2008

Автор: Нолан Джеймс Ф.

МПК: C23C 16/448, C23C 16/455, C23C 16/00...

Метки: установка, материала, подложке, осаждения, способ

Формула / Реферат:

1. Установка для осаждения материала на подложке, содержащая проницаемый элемент трубчатой формы, снабженный средством нагрева до температуры подачи; трубопровод для подачи транспортирующего газа и материала в полость проницаемого элемента; источник вспомогательного газа с множеством отверстий, размещенный в полости проницаемого элемента и обеспечивающий равномерное распределение паров материала, прошедших через проницаемый элемент; и...

Номер патента: 7072

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Смит Алек, Гочин Родни Джон

МПК: C10G 75/04, C07C 43/20, C07C 41/16...

Метки: подавления, жидкости, способ, асфальтенов, осаждения

Формула / Реферат:

1. Способ уменьшения агрегирования и осаждения асфальтенов из жидкости, содержащей асфальтены, такой как сырая нефть, который включает добавление в жидкость соединения формулы (I) или смеси таких соединений в которой А обозначает кольцевую систему, содержащую от 6 до 14 углеродных атомов, необязательно замещенную группой, выбранной из С1-С6алкила и С1-С6галоалкана, n обозначает по меньшей мере 1 и может равняться числу положений в А, доступных...

Номер патента: 6092

Опубликовано: 25.08.2005

Авторы: Таманян Астжик, Таманян Григорий

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, абляции, тонких, осаждения, способ, посредством, лазерной

Формула / Реферат:

1. Способ осаждения тонкой пленки на подложку, содержащий этапы, на которых осуществляют лазерную абляцию поверхности мишени для создания струи частиц испаряемого вещества, проходящей в направлении распространения от поверхности мишени, причем струя содержит область критической концентрации, помещают подложку в направлении распространения струи так, чтобы частицы испаряемого вещества, содержащиеся в струе, осаждались на подложку, при этом...

Номер патента: 6058

Опубликовано: 25.08.2005

Авторы: Виртанен Хенри, Рантала Ари

МПК: C25C 7/02

Метки: качества, улучшения, способ, осаждения, катод, материала

Формула / Реферат:

1. Способ улучшения качества осаждения материала на катод, отличающийся тем, что катод периодически поднимают из электролитической ячейки во время цикла роста, поверхность катода фотографируют, полученное изображение анализируют и классифицируют с помощью программного обеспечения анализа изображения и посредством сравнения с созданной ранее опорной классификацией регулируют процесс электролиза с целью обеспечения хорошего качества поверхности...

Номер патента: 5959

Опубликовано: 25.08.2005

Авторы: Такала Хейкки, Лехтинен Леэна, Лахтинен Марко

МПК: C22B 3/44

Метки: железа, форме, гематита, способ, раствора, цинка, сульфата, осаждения

Формула / Реферат:

1. Способ удаления железа из раствора сульфата цинка, содержащего железо, путем его осаждения в форме гематита, отличающийся тем, что операцию осаждения железа осуществляют при атмосферных условиях, используя негерметизированные реакторы, где температуру раствора сульфата цинка поддерживают в интервале от 80шC до температуры кипения раствора, причем в раствор подают нейтрализующий агент, чтобы повысить pH по меньшей мере до 2,7, и содержащий...

Номер патента: 5523

Опубликовано: 28.04.2005

Авторы: Фуглеберг Сигмунд, Пеккала Пертти, Талонен Пану, Риеккола-Ванханен Марья

МПК: C22B 3/08

Метки: кремния, цинковой, способ, осаждения, выщелачивания, оксида, процессе, руды

Формула / Реферат:

1. Способ выщелачивания цинксодержащего кремнистого сырья для извлечения цинка, отличающийся тем, что кремнистый материал направляют на кислотное выщелачивание (6), происходящее в сульфокислотном растворе (7), в котором наибольшее содержание кислоты и, следовательно, наиболее низкое значение pH имеют место в начале выщелачивания, в результате чего силикаты в сырье разлагаются и растворяются, выпадая в осадок в виде диоксида кремния, причем...

Номер патента: 5306

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Хультхольм Стиг-Эрик, Нюман Брор, Сивонен Ярмо, Салми Юхани

МПК: C23G 1/36, C22B 3/44

Метки: металлов, известью, удаления, раствора, осаждения, водного, путем, способ

Формула / Реферат:

1. Способ удаления металлов из их водного раствора в виде гидроксидов металлов и гипса путем осаждения известью, отличающийся тем, что осаждение проводят с использованием по меньшей мере двух стадий нейтрализации, где основную часть исходного раствора, содержащего никель, железо и хром, направляют на первую стадию нейтрализации, на которой при помощи производного извести регулируют pH, доводя его до значения, по меньшей мере равного 10,5,...

Номер патента: 5237

Опубликовано: 30.12.2004

Автор: Фуглеберг Сигмунд

МПК: C22B 3/08

Метки: гидролитического, железа, осаждения, способ

Формула / Реферат:

1. Способ гидролитического осаждения железа в виде ярозита из сульфатсодержащего раствора в процессе извлечения цинка из цинкового кальцина, который состоит из нейтрального выщелачивания, выщелачивания феррита, электролиза цинка и стадий осаждения железа, отличающийся тем, что содержащийся в кальцине феррит выщелачивается возвратной кислотой процесса электролиза цинка, после чего образующееся при выщелачивании железо(III) восстанавливается до...

Номер патента: 2802

Опубликовано: 31.10.2002

Автор: Сундквист Ян-Эрик

МПК: C22B 3/44

Метки: выщелачивающего, способ, ценных, кислотного, осаждения, полного, металлов, раствора

Формула / Реферат:

1. Способ полного осаждения ценных металлов из выщелачивающего раствора, который подкислен серной кислотой и который практически свободен от примесей, путем нейтрализации известью и/или известняком, отличающийся тем, что нейтрализацию проводят, по меньшей мере, в две стадии, благодаря чему на первой стадии осуществляют только частичное осаждение и благодаря чему полное осаждение остающегося ценного металлического компонента осуществляют на...

Номер патента: 1359

Опубликовано: 26.02.2001

Авторы: Дангам Саймон Нейл, Осборн Кристофер Джордж, Джеймз Кит

МПК: C10L 1/22, C08G 73/04

Метки: нефти, сырой, способы, температуры, осаждения, уменьшения, отложений, парафинов, парафиновых, понижения, появления

Формула / Реферат:

1. Способ понижения температуры появления парафиновых отложений в сырой нефти, который включает добавление в нее, по меньшей мере, одного N-замещенного полиалкиленимина, который содержит, по меньшей мере, один органический заместитель, представляющий собой алкильную группу с 12-24 атомами углерода, замещенную гидроксилом, которая связана с цепью или концевым атомом азота полиалкиленимина либо непосредственно, либо через промежуточную группу,...

Номер патента: 1149

Опубликовано: 30.10.2000

Авторы: Брюнелли Жан-Франсуа, Фукей Стефан

МПК: C08F 220/18

Метки: парафинов, осаждения, акриловые, композиции, добавок, качестве, сополимеры, маслах, содержащие, сырых, ингибирования

Формула / Реферат:

1. (Со)полимеры алкилакрилатов или алкилакрилатов и винилпиридина со средней весовой молекулярной массой Mw от 5000 до 500000, предпочтительно от 40000 до 350000, в которых акрилатные мономерные звенья, участвующие в полимерной цепи, являются звеньями в которых R - это Н или СН3, Ri - это остатки насыщенных линейных алифатических спиртов Ri-OH, где i означает число углеродов в этих остатках, которое составляет от 10 до 50 атомов углерода и...