H01L 21/469 — для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии
Источник плазмы и способы нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы
Номер патента: 20763
Опубликовано: 30.01.2015
Автор: Машвитц Питер
МПК: H01L 21/469, H05H 1/00
Метки: осаждения, нанесения, источник, газовой, плазмы, фазы, использованием, плазменно-химического, тонкопленочных, покрытий, способы
Формула / Реферат:
1. Источник плазмы, включающий источник питания, первую электронно-активную поверхность и вторую электронно-активную поверхность, причем электронно-активные поверхности разделены пространством для газа и электрически соединены с источником питания, выполненным с возможностью попеременного изменения полярности напряжения и подачи напряжения на вторую электронно-активную поверхность, сдвинутого по фазе относительно напряжения, подаваемого на...