H01L 21/223 — диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую
Поликристаллическая кремниевая пластина p-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, и способ ее получения
Номер патента: 15668
Опубликовано: 31.10.2011
Авторы: Тронстад Рагнар, Энебакк Эрик, Петер Кристиан, Раабе Бернд
МПК: H01L 21/223, H01L 31/042, H01L 21/322...
Метки: время, носителей, неосновных, кремниевая, получения, жизни, пластина, p-типа, способ, имеющая, большое, заряда, поликристаллическая
Формула / Реферат:
1. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, отличающаяся тем, что она получена посредством диффузии фосфора и геттерирования фосфором при температуре выше 950°С кремниевой пластины, содержащей 0,2-2,8 млн.д.ат. бора и 0,06-2,8 млн.д.ат. фосфора и/или 0,06-2,8 млн.д.ат. мышьяка.2. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа по п.1, отличающаяся тем, что поликристаллическая...