H01L 21/322 — для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки
Поликристаллическая кремниевая пластина p-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, и способ ее получения
Номер патента: 15668
Опубликовано: 31.10.2011
Авторы: Петер Кристиан, Тронстад Рагнар, Энебакк Эрик, Раабе Бернд
МПК: H01L 31/042, H01L 21/223, H01L 21/322...
Метки: жизни, неосновных, пластина, p-типа, имеющая, получения, способ, носителей, большое, поликристаллическая, кремниевая, заряда, время
Формула / Реферат:
1. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, отличающаяся тем, что она получена посредством диффузии фосфора и геттерирования фосфором при температуре выше 950°С кремниевой пластины, содержащей 0,2-2,8 млн.д.ат. бора и 0,06-2,8 млн.д.ат. фосфора и/или 0,06-2,8 млн.д.ат. мышьяка.2. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа по п.1, отличающаяся тем, что поликристаллическая...