H01L 31/042 — фотоэлектрические модули или матрицы единичных фотоэлектрических элементов
Опорный каркас фотоэлектрической панели и наружная стена здания с такими каркасами
Номер патента: 16444
Опубликовано: 30.05.2012
Авторы: Жотар Ив, Рейаль Жан-Пьер
МПК: H01L 31/042, E04D 13/18, F24J 2/52...
Метки: панели, фотоэлектрической, каркасами, стена, здания, наружная, опорный, каркас, такими
Формула / Реферат:
1. Опорный каркас панели (20), содержащий раму (1, 1'), выполненную по меньшей мере из одной предварительно вырезанной металлической полосы (30), подвергнутой операциям штамповки, сгибания и соединения при помощи сварки с образованием по меньшей мере трех опорных балок (2, 3, 4, 5, 2', 3', 4', 5'), по меньшей мере одна из которых (2, 5, 5') содержит полку (90, 100, 90') по всей ее длине, выступающую наружу параллельно верхней стороне рамы, при...
Опорный каркас электрически активной панели, такой как фотоэлектрическая панель
Номер патента: 16066
Опубликовано: 30.01.2012
Авторы: Рейаль Жан-Пьер, Жотар Ив
МПК: H01L 31/042, H01L 31/048, H01L 31/02...
Метки: каркас, панель, опорный, панели, фотоэлектрическая, электрически, активной
Формула / Реферат:
1. Опорный каркас электрически активной панели, внешняя часть (1) которого предназначена для установки на ней электрически активной панели (20), при этом внешняя часть (1) содержит внутреннее средство (14) электрического подключения, соединяющее установленную на каркасе электрически активную панель (20) по меньшей мере с одним первым наружным средством (16) электрического подключения, обеспечивающим соединение с первым средством, внешним по...
Поликристаллическая кремниевая пластина p-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, и способ ее получения
Номер патента: 15668
Опубликовано: 31.10.2011
Авторы: Тронстад Рагнар, Энебакк Эрик, Петер Кристиан, Раабе Бернд
МПК: H01L 31/042, H01L 21/223, H01L 21/322...
Метки: носителей, поликристаллическая, неосновных, получения, заряда, способ, p-типа, имеющая, жизни, большое, время, кремниевая, пластина
Формула / Реферат:
1. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, отличающаяся тем, что она получена посредством диффузии фосфора и геттерирования фосфором при температуре выше 950°С кремниевой пластины, содержащей 0,2-2,8 млн.д.ат. бора и 0,06-2,8 млн.д.ат. фосфора и/или 0,06-2,8 млн.д.ат. мышьяка.2. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа по п.1, отличающаяся тем, что поликристаллическая...