Тронстад Рагнар
Поликристаллическая кремниевая пластина p-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, и способ ее получения
Номер патента: 15668
Опубликовано: 31.10.2011
Авторы: Раабе Бернд, Энебакк Эрик, Петер Кристиан, Тронстад Рагнар
МПК: H01L 21/322, H01L 31/042, H01L 21/223...
Метки: большое, время, получения, поликристаллическая, способ, жизни, неосновных, пластина, p-типа, заряда, кремниевая, носителей, имеющая
Формула / Реферат:
1. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа, имеющая большое время жизни неосновных носителей заряда, отличающаяся тем, что она получена посредством диффузии фосфора и геттерирования фосфором при температуре выше 950°С кремниевой пластины, содержащей 0,2-2,8 млн.д.ат. бора и 0,06-2,8 млн.д.ат. фосфора и/или 0,06-2,8 млн.д.ат. мышьяка.2. Поликристаллическая кремниевая пластина р-типа по п.1, отличающаяся тем, что поликристаллическая...
Кремниевое исходное сырьё для солнечных элементов
Номер патента: 9791
Опубликовано: 28.04.2008
Авторы: Фрьестад Кеннет, Детлофф Кристиан, Захеди Кирус, Энебакк Эрик, Тронстад Рагнар
МПК: C03B 13/00, C01B 33/037, C01B 33/00...
Метки: элементов, кремниевое, солнечных, сырьё, исходное
Формула / Реферат:
1. Кремниевое исходное сырье для производства получаемых направленной кристаллизацией Чохральского, зонной плавкой поликристаллических слитков, тонких листов или лент кремния для изготовления кремниевых пластин для ФЭ солнечных элементов, отличающееся тем, что оно содержит от 0,3 до 5,0 амд бора и от 0,5 до 3,5 амд фосфора, менее 50 амд элементов-металлов и менее 100 амд углерода. 2. Кремний для изготовления пластин солнечных элементов,...