H01L 31/0304 — содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A
Способ изготовления гетероструктур (варианты) для среднего ик-диапазона, гетероструктура (варианты) и светодиод и фотодиод на основе этой гетероструктуры
Номер патента: 18435
Опубликовано: 30.07.2013
Автор: Кижаев Сергей Сергеевич
МПК: H01L 31/18, H01L 21/205, H01L 31/0304...
Метки: основе, гетероструктуры, фотодиод, этой, способ, изготовления, среднего, гетероструктур, гетероструктура, ик-диапазона, варианты, светодиод
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления гетероструктур, в соответствии с которымвыращивают методом газофазной эпитаксии на подложке, содержащей InAs, барьерный слой, содержащий InSbP;выращивают методом газофазной эпитаксии на барьерном слое активный слой, содержащий InAsSbP,причем в качестве источника мышьяка используют трет-бутиларсин, а в качестве источника фосфора используют трет-бутилфосфин.2. Гетероструктура, содержащая подложку, содержащую InAs, барьерный...