C30B 29/06 — кремний

Номер патента: 20430

Опубликовано: 28.11.2014

Авторы: Карамурзов Барасби Сулейманович, Кармоков Ахмет Мацевич

МПК: C30B 29/06, C30B 30/06, C30B 15/00...

Метки: выращивания, монокристаллов, кремния, способ, расплава

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, включающий вращение тигля со скоростью 0,2-2,0 об./мин и вращение кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об./мин со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2, отличающийся тем, что на межфазную границу кристалл-расплав воздействуют ультразвуком с частотой от 8 до 20 кГц, интенсивностью от 0,1 до 0,5 Вт/см2, причем воздействие...

Номер патента: 17453

Опубликовано: 28.12.2012

Авторы: Йенсен Леиф, Вобенгор Пер, Ларсен Теис Лет, Петерсен Ян Эювинг, Нильсен Анна

МПК: C30B 29/06, C30B 13/26, C30B 13/32...

Метки: способ, монокристалла, устройство, получения

Формула / Реферат:

1. Способ получения монокристалла, включающий стадии, на которыхподают поликристаллический стержень в область нагревания для образования зоны плавления,прикладывают магнитное поле к зоне плавления, причем магнитное поле создают пропусканием постоянного электрического тока через соленоидную катушку, при этом магнитное поле ориентируют, по существу, аксиально относительно поликристаллического стержня посредством размещения соленоидной катушки...

Номер патента: 15387

Опубликовано: 31.08.2011

Авторы: Буасвер Рене, Леблан Доминик

МПК: C01B 33/02, C01B 33/12, C01B 33/037...

Метки: устройство, кремнийсодержащего, способ, низкокачественного, материала, очистки

Формула / Реферат:

1. Способ очистки кремнийсодержащего материала низкой чистоты, в котором в плавильном устройстве, оборудованном кислородной горелкой, плавят кремнийсодержащий материал низкой чистоты для получения расплава кремнийсодержащего материала более высокой чистоты.2. Способ по п.1, в котором плавильное устройство включает в себя барабанную печь.3. Способ по п.1, в котором указанную плавку кремнийсодержащего материала низкой чистоты в плавильном...

Номер патента: 15219

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Ким Хее Йоунг, Чой Вон Чоон, Йоон Киунг Коо, Парк Йонг Ки

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06

Метки: непрерывного, кремния, использованием, поликристаллического, реактора, псевдоожиженным, способ, получения, слоем

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем, в котором средства подачи реакционного газа для обеспечения кремнийсодержащего реакционного газа расположены внутри трубы реактора так, что выпускное отверстие реакционного газа из средства подачи реакционного газа расположено внутри слоя из частиц кремния, при этом верхнее пространство выше выпускного отверстия реакционного газа определяется как...

Номер патента: 14621

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Чой Вон Чоон, Парк Йонг Ки, Йоон Киунг Коо, Ким Хее Янг

МПК: C30B 29/06, C30B 25/00

Метки: способ, установка, гранулированного, поликремния, получения

Формула / Реферат:

1. Установка для получения гранулированного поликремния, содержащаяреакторную трубу, внутреннее пространство которой содержит зону нагревания и реакционную зону, расположенную выше зоны нагревания;корпус реактора, окружающий реакторную трубу;устройство подачи псевдоожижающего газа для ввода псевдоожижающего газа в зону нагревания через выпуск псевдоожижающего газа устройства распределения газа, расположенного внизу зоны нагревания;устройство...

Номер патента: 13675

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Парк Йонг Ки, Йоон Киунг Коо, Со Вон Воок, Ким Хее Янг, Чой Вон Чоон

МПК: C30B 25/18, C30B 29/06

Метки: стержней, установка, изготовления, сердечникового, смешанного, способ, кремния, высокочистого, использованием, средства

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления стержня из поликристаллического кремния с использованием смешанного средства сердечника, содержащий:(a) размещение первого средства сердечника, изготовленного из резистивного материала, вместе со вторым средством сердечника, изготовленным из кремниевого материала, во внутреннем пространстве реактора осаждения;(b) электрическое нагревание первого средства сердечника и предварительное нагревание второго средства сердечника...

Номер патента: 12213

Опубликовано: 28.08.2009

Авторы: Зейлема Тьякко, Робер Эрик

МПК: C30B 15/00, C01B 33/033, C01B 33/037...

Метки: sicl4, получения, жидким, путем, способ, восстановления

Формула / Реферат:

1. Способ превращения SiCl4 в металлический Si, включающий стадии введения газообразного SiCl4 в контакт с жидкой металлической фазой, содержащей Zn, с получением таким образом металлической фазы, содержащей Si, и хлорида Zn; отделения хлорида Zn от металлической фазы, содержащей Si, и очистки металлической фазы, содержащей Si, при температуре, превышающей температуру кипения Zn, с испарением таким образом Zn и получением металлического Si,...

Номер патента: 11381

Опубликовано: 27.02.2009

Автор: Фрьестад Кеннет

МПК: C30B 35/00, C30B 15/10, C30B 29/06...

Метки: способ, материала, очистки, расплавленного, устройство

Формула / Реферат:

1. Способ рафинирования материала, который включает стадии образования расплава материала в емкости; приведения температурно-регулируемой контактной поверхности элемента в контакт с поверхностью расплава, при этом указанная температурно-регулируемая контактная поверхность не контактирует со стенками емкости и поддерживаются условия для кристаллизации расплавленного материала и его удерживания на температурно-регулируемой контактной поверхности;...

Номер патента: 9887

Опубликовано: 28.04.2008

Автор: Каресев Игорь Юрьевич

МПК: C01B 33/107, C30B 29/06, C01B 33/03...

Метки: получения, поликристаллического, способ, кремния

Формула / Реферат:

Способ получения поликристаллического кремния, включающий водородное восстановление кремния, отличающийся тем, что получение кремния осуществляют путем хлорирования в солевом расплаве техногенных отходов, содержащих редкоземельные металлы, с выходом газовой фазы тетрахлорсилана, с последующей его очисткой и восстановлением в среде ионизированного водорода в плазмохимическом реакторе, при этом расплавленной средой служит электролит, содержащий...

Номер патента: 9791

Опубликовано: 28.04.2008

Авторы: Детлофф Кристиан, Фрьестад Кеннет, Захеди Кирус, Энебакк Эрик, Тронстад Рагнар

МПК: C01B 33/00, C01B 33/037, C03B 13/00...

Метки: исходное, сырьё, кремниевое, элементов, солнечных

Формула / Реферат:

1. Кремниевое исходное сырье для производства получаемых направленной кристаллизацией Чохральского, зонной плавкой поликристаллических слитков, тонких листов или лент кремния для изготовления кремниевых пластин для ФЭ солнечных элементов, отличающееся тем, что оно содержит от 0,3 до 5,0 амд бора и от 0,5 до 3,5 амд фосфора, менее 50 амд элементов-металлов и менее 100 амд углерода. 2. Кремний для изготовления пластин солнечных элементов,...