Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 20430

Опубликовано: 28.11.2014

Авторы: Кармоков Ахмет Мацевич, Карамурзов Барасби Сулейманович

МПК: C30B 30/06, C30B 15/00, C30B 29/06...

Метки: выращивания, способ, расплава, кремния, монокристаллов

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, включающий вращение тигля со скоростью 0,2-2,0 об./мин и вращение кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об./мин со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2, отличающийся тем, что на межфазную границу кристалл-расплав воздействуют ультразвуком с частотой от 8 до 20 кГц, интенсивностью от 0,1 до 0,5 Вт/см2, причем воздействие...

Номер патента: 7574

Опубликовано: 29.12.2006

Автор: Костин Владимир Владимирович

МПК: C30B 15/14

Метки: вытягивания, устройство, монокристаллов

Формула / Реферат:

1. Устройство для вытягивания монокристаллов, содержащее тигель с подставкой, нагреватель и по меньшей мере один теплоизолирующий экран, отличающееся тем, что нагреватель выполнен из исходного гибкого углеродсодержащего материала в виде полого цилиндра, торцы которого закреплены между коаксиально расположенными жесткими кольцами из углеродного материала, подсоединенными к источнику тока, причем нагреватель выполнен с толщиной стенки,...

Номер патента: 3419

Опубликовано: 24.04.2003

Автор: Блецкан Николай Иванович

МПК: C30B 29/20, C30B 17/00

Метки: выращивания, блецкану, сапфира, устройство, способ, монокристаллов

Формула / Реферат:

1.Способ выращивания монокристаллов сапфира, включающий получение расплава исходного материала в тигле, введение в контакт с расплавом затравочного кристалла сапфира, управление скоростью подъема последнего и регулирование температурного поля расплава, отличающийся тем, что выращивание осуществляют в объеме призмы, соосной затравочному кристаллу, причем грани призмы параллельны кристаллографическим граням последнего. 2. Способ по п.1,...