C30B 25/00 — Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
Устройство для реактора послойного атомного осаждения
Номер патента: 15231
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Соининен Пекка, Снек Сами
МПК: C23C 16/00, C23C 16/458, C23C 16/455...
Метки: реактора, осаждения, послойного, атомного, устройство
Формула / Реферат:
1. Реактор послойного атомного осаждения, содержащий вакуумную камеру (2) и реакционную камеру (4), расположенную внутри вакуумной камеры (2), где реакционная камера (4) снабжена открываемой стенкой (24), загрузочное отверстие (12), образованное в боковой стенке/корпусе (22) или в торцевой стенке (6, 20) вакуумной камеры (2), загрузочное устройство, сообщающееся с загрузочным отверстием, установленное в первой или второй торцевой стенке (6, 20)...
Способ непрерывного получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем
Номер патента: 15219
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Йоон Киунг Коо, Парк Йонг Ки, Чой Вон Чоон, Ким Хее Йоунг
МПК: C30B 29/06, C30B 25/00
Метки: кремния, использованием, слоем, непрерывного, поликристаллического, способ, получения, псевдоожиженным, реактора
Формула / Реферат:
1. Способ получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем, в котором средства подачи реакционного газа для обеспечения кремнийсодержащего реакционного газа расположены внутри трубы реактора так, что выпускное отверстие реакционного газа из средства подачи реакционного газа расположено внутри слоя из частиц кремния, при этом верхнее пространство выше выпускного отверстия реакционного газа определяется как...
Способ и установка для получения гранулированного поликремния
Номер патента: 14621
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Чой Вон Чоон, Парк Йонг Ки, Йоон Киунг Коо, Ким Хее Янг
МПК: C30B 29/06, C30B 25/00
Метки: получения, установка, гранулированного, способ, поликремния
Формула / Реферат:
1. Установка для получения гранулированного поликремния, содержащаяреакторную трубу, внутреннее пространство которой содержит зону нагревания и реакционную зону, расположенную выше зоны нагревания;корпус реактора, окружающий реакторную трубу;устройство подачи псевдоожижающего газа для ввода псевдоожижающего газа в зону нагревания через выпуск псевдоожижающего газа устройства распределения газа, расположенного внизу зоны нагревания;устройство...
Реактор для послойного атомного осаждения
Номер патента: 12961
Опубликовано: 26.02.2010
Авторы: Кето Лейф, Соининен Пекка
МПК: C23C 16/44, C23C 16/00, C23C 16/455...
Метки: реактор, осаждения, атомного, послойного
Формула / Реферат:
1. Реакционная камера реактора послойного атомного осаждения, содержащая нижнюю стенку, верхнюю стенку и боковые стенки, проходящие между верхней стенкой и нижней стенкой и определяющие контур реакционной камеры с образованием внутренней части (28) реакционной камеры, причем реактор содержит также одно или несколько впускных отверстий (30) для подачи газа в реакционную камеру и одно или несколько выпускных отверстий (40) для отвода поданного в...