Кармоков Ахмет Мацевич

Номер патента: 20430

Опубликовано: 28.11.2014

Авторы: Карамурзов Барасби Сулейманович, Кармоков Ахмет Мацевич

МПК: C30B 29/06, C30B 30/06, C30B 15/00...

Метки: выращивания, расплава, способ, монокристаллов, кремния

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, включающий вращение тигля со скоростью 0,2-2,0 об./мин и вращение кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об./мин со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2, отличающийся тем, что на межфазную границу кристалл-расплав воздействуют ультразвуком с частотой от 8 до 20 кГц, интенсивностью от 0,1 до 0,5 Вт/см2, причем воздействие...