C23C 14/48 — ионное внедрение

Номер патента: 24887

Опубликовано: 31.10.2016

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Пискунова Ольга Юрьевна, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Комаровская Виктория Маратовна

МПК: C23C 14/16, C22C 14/00, C23C 14/24...

Метки: металлические, изделия, упрочняющего, нанесения, покрытия, способ

Формула / Реферат:

Способ нанесения упрочняющего покрытия на металлические изделия, включающий нанесение слоя титана, его ионную бомбардировку и последующее осаждение слоя соединений титана требуемой толщины, отличающийся тем, что ионную бомбардировку осуществляют ионами хрома, или циркония, или молибдена до достижения концентрации примеси 0,5-3,0% и толщины легированного слоя 20-500 нм.

Номер патента: 16704

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Агеев Виталий Александрович, Беляев Геннадий Яковлевич, Вершина Алексей Константинович

МПК: B23P 15/28, C23C 14/02, B23B 27/10...

Метки: способ, упрочнения, лезвийного, инструмента

Формула / Реферат:

1. Способ упрочнения лезвийного инструмента, режущая часть которого выполнена из сплавов на основе железа, включающий нанесение износостойкого покрытия, содержащего титан и инертный тугоплавкий материал на основе соединения титана, например оксид и/или оксикарбонитрид титана, отличающийся тем, что перед нанесением износостойкого покрытия осуществляют кипячение инструмента в течение 25-35 мин в водном растворе, содержащем 50-150 г/л молибденового...

Номер патента: 16703

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Вершина Алексей Константинович, Агеев Виталий Александрович

МПК: H01J 29/84, C23C 14/32, C23C 14/48...

Метки: устройство, незаряженных, очистки, испарителя, микро, макрочастиц, дугового, плазмы

Формула / Реферат:

1. Устройство для очистки плазмы дугового испарителя от незаряженных микро- и макрочастиц, содержащее электродуговой источник эрозионной металлической плазмы, который установлен на входе в плазмовод из немагнитного материала, включающий протяженный криволинейный участок, выполненный в виде четверти тора, и электрически от него изолированный прямолинейный выходной участок, поверх которых размещены катушки магнитной системы, и источник напряжения,...

Номер патента: 16701

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Вершина Алексей Константинович, Латушкина Светлана Дмитриевна

МПК: C23C 28/00, C23C 14/48, C23C 14/02...

Метки: коррозионно-стойкого, способ, покрытия, многослойного, нанесения

Формула / Реферат:

Способ нанесения многослойного коррозионно-стойкого покрытия, включающий последовательное нанесение на поверхность изделия слоя титана и нескольких слоев его тугоплавких соединений путем ионной бомбардировки каждого слоя ионами титана до достижения на поверхности изделия температуры 200-400°С и осаждения соответственно слоя титана либо нескольких слоев его тугоплавких соединений, охлаждение поверхности изделия до комнатной температуры после...

Номер патента: 16700

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Вегера Иван Иванович, Белый Алексей Владимирович, Биленко Эдуард Григорьевич

МПК: C23C 14/48, C21D 1/09

Метки: обработки, инструмента, ионно-лучевой, углеродистых, деталей, легированных, сплавов, способ

Формула / Реферат:

Способ ионно-лучевой обработки деталей и инструмента из углеродистых и легированных сталей, включающий высокотемпературную термическую обработку детали с охлаждением и последующее ее облучение ионами металла или газа, отличающийся тем, что высокотемпературную термическую обработку осуществляют токами высокой частоты с нагревом со скоростью VH=20-500°C/c до температуры выше фазовых превращений на 100-150°C, а охлаждение осуществляют с критической...

Номер патента: 9514

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Хохлов Александр Евгеньевич, Марышев Сергей Павлович, Хисамов Айрат Хамитович, Левчук Николай Евгеньевич, Савенко Владимир Анатольевич

МПК: C23C 14/48, C23C 14/35, H01J 37/317...

Метки: способ, обработки, устройство, поверхности, ионной, способа, осуществления, диэлектрика

Формула / Реферат:

1. Способ ионной обработки поверхности диэлектрика, включающий формирование направленного потока ионов и направленного потока электронов, воздействие ими на обрабатываемую поверхность диэлектрика, при этом поток электронов служит для нейтрализации положительного заряда, возникающего на поверхности диэлектрика, отличающийся тем, что поток электронов формируют с помощью плазменного катодного разряда и туннелеобразного магнитного поля, при этом...