Жирон Жан-Кристоф

Номер патента: 19444

Опубликовано: 31.03.2014

Авторы: Брессан Эмили, Валентэн Эмманюэль, Дюбрена Самюэль, Жирон Жан-Кристоф, Руайе Бастьен

МПК: G02F 1/153, F24J 2/40

Метки: излучения, устройство, электрохромное, отражением, управляемым, инфракрасного

Формула / Реферат:

1. Электрохромное устройство с управляемым отражением инфракрасного излучения электроуправляемого типа, содержащее между несущей подложкой (1а), прозрачной в диапазоне инфракрасного спектра, и контрподложкой (1b) многослойный пакет, осажденный на несущую подложку (1а), при этом этот многослойный пакет содержит последовательно, начиная с несущей подложки (1а):a) металлическую сетку (3), прозрачную в диапазоне инфракрасного спектра, образующую...

Номер патента: 12048

Опубликовано: 28.08.2009

Авторы: Лерген Маркус, Руссо Жан-Поль, Фишер Клаус, Надо Николя, Янзен Манфред, Жирон Жан-Кристоф, Хофрихтер Альфред, Маттман Эрик, Бобе Кароль

МПК: C23C 14/34, C03C 17/245, C03C 17/22...

Метки: слоем, диэлектрика, покрытая, способ, изготовления, устройство, подложка

Формула / Реферат:

1. Подложка (1) для остеклений, покрытая по меньшей мере одним тонким слоем диэлектрика, полученным нанесением катодного напыления, реакционноспособным в присутствии кислорода, и облучением по меньшей мере одним пучком ионов (3), происходящим из ионного источника (4) при условиях, приводящих к получению кристаллического слоя, вышеупомянутый слой диэлектрика представляет собой слой из оксида металла или кремния, стехиометрического или...

Номер патента: 11247

Опубликовано: 27.02.2009

Авторы: Маттман Эрик, Янзен Манфред, Руссо Жан-Поль, Фишер Клаус, Бобе Кароль, Жирон Жан-Кристоф, Надо Николя, Хофрихтер Альфред, Лерген Маркус

МПК: C03C 17/245, C03C 17/22, C03C 17/36...

Метки: слоем, подложка, изготовления, способ, покрытая, диэлектрика, устройство

Формула / Реферат:

1. Способ нанесения покрытия на подложку (1), включающий формирование по меньшей мере одного тонкого слоя диэлектрика на подложку катодным напылением в камере напыления (2) и облучение его по меньшей мере одним пучком ионов (3), отличающийся тем, что пучок ионов в камере напыления формируют при помощи линейного ионного источника, при этом требуемое значение показателя преломления вышеупомянутого слоя диэлектрика задают посредством изменения...