H01L 33/30 — содержащие только элементы III группы и V группы периодической системы
Способ изготовления гетероструктур (варианты) для среднего ик-диапазона, гетероструктура (варианты) и светодиод и фотодиод на основе этой гетероструктуры
Номер патента: 18435
Опубликовано: 30.07.2013
Автор: Кижаев Сергей Сергеевич
МПК: H01L 31/0304, H01L 31/18, H01L 21/205...
Метки: ик-диапазона, изготовления, этой, фотодиод, гетероструктура, основе, светодиод, гетероструктуры, гетероструктур, варианты, среднего, способ
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления гетероструктур, в соответствии с которымвыращивают методом газофазной эпитаксии на подложке, содержащей InAs, барьерный слой, содержащий InSbP;выращивают методом газофазной эпитаксии на барьерном слое активный слой, содержащий InAsSbP,причем в качестве источника мышьяка используют трет-бутиларсин, а в качестве источника фосфора используют трет-бутилфосфин.2. Гетероструктура, содержащая подложку, содержащую InAs, барьерный...
Гетероструктура на основе твердого раствора gainassb, способ ее изготовления и светодиод на основе этой гетероструктуры
Номер патента: 18300
Опубликовано: 28.06.2013
Авторы: Журтанов Бижигит Ержигитович, Стоянов Николай Деев
МПК: H01L 21/208, H01L 33/30
Метки: gainassb, твердого, изготовления, способ, светодиод, гетероструктура, основе, гетероструктуры, раствора, этой
Формула / Реферат:
1. Гетероструктура на основе твердого раствора GaInAsSb, содержащаяподложку, содержащую GaSb,активный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb и расположенный над подложкой,ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор AlGaAsSb и расположенный на активном слое,контактный слой, содержащий GaSb и расположенный на ограничительном слое,отличающаяся тем, что она содержит буферный слой, содержащий твердый раствор...