Журтанов Бижигит Ержигитович
Гетероструктура на основе твердого раствора gainassb, способ ее изготовления и светодиод на основе этой гетероструктуры
Номер патента: 18300
Опубликовано: 28.06.2013
Авторы: Стоянов Николай Деев, Журтанов Бижигит Ержигитович
МПК: H01L 21/208, H01L 33/30
Метки: раствора, твердого, gainassb, изготовления, этой, гетероструктуры, способ, гетероструктура, светодиод, основе
Формула / Реферат:
1. Гетероструктура на основе твердого раствора GaInAsSb, содержащаяподложку, содержащую GaSb,активный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb и расположенный над подложкой,ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор AlGaAsSb и расположенный на активном слое,контактный слой, содержащий GaSb и расположенный на ограничительном слое,отличающаяся тем, что она содержит буферный слой, содержащий твердый раствор...