Стоянов Николай Деев
Гетероструктура на основе твердого раствора gainassb, способ ее изготовления и светодиод на основе этой гетероструктуры
Номер патента: 18300
Опубликовано: 28.06.2013
Авторы: Стоянов Николай Деев, Журтанов Бижигит Ержигитович
МПК: H01L 21/208, H01L 33/30
Метки: gainassb, изготовления, твердого, гетероструктуры, основе, способ, гетероструктура, этой, раствора, светодиод
Формула / Реферат:
1. Гетероструктура на основе твердого раствора GaInAsSb, содержащаяподложку, содержащую GaSb,активный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb и расположенный над подложкой,ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор AlGaAsSb и расположенный на активном слое,контактный слой, содержащий GaSb и расположенный на ограничительном слое,отличающаяся тем, что она содержит буферный слой, содержащий твердый раствор...