C30B 17/00 — Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса

Номер патента: 9436

Опубликовано: 28.12.2007

Авторы: Заварцев Юрий Дмитриевич, Загуменный Александр Иосифович, Кутовой Сергей Александрович

МПК: C04B 35/16, C09K 11/77, C09K 11/08...

Метки: сцинтилляционное, вещество, варианты

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционное вещество на основе кристалла силиката, содержащего лютеций Lu и церий Се, отличающееся тем, что состав вещества выражается химической формулой CexLu2+2y-xSi1-yO5+y где х - от 1_10-4 до 0,02 ф.ед.; у - от 0,024 до 0,09 ф.ед. 2. Сцинтилляционное вещество по п.1, отличающееся тем, что состав вещества в виде монокристалла выражается химической формулой CexLu2,076-xSi0,962О5,038 где х - от 1_10-4 до 0,02 ф.ед. 3. Способ получения...

Номер патента: 3419

Опубликовано: 24.04.2003

Автор: Блецкан Николай Иванович

МПК: C30B 17/00, C30B 29/20

Метки: монокристаллов, способ, выращивания, блецкану, сапфира, устройство

Формула / Реферат:

1.Способ выращивания монокристаллов сапфира, включающий получение расплава исходного материала в тигле, введение в контакт с расплавом затравочного кристалла сапфира, управление скоростью подъема последнего и регулирование температурного поля расплава, отличающийся тем, что выращивание осуществляют в объеме призмы, соосной затравочному кристаллу, причем грани призмы параллельны кристаллографическим граням последнего. 2. Способ по п.1,...