Подложка органического светоизлучающего устройства, а также органическое светоизлучающее устройство, содержащее ее

ПОДЛОЖКА ОРГАНИЧЕСКОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, А ТАКЖЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, СОДЕРЖАЩЕЕ ЕЕ Изобретение относится к подложке для органического светоиспускающего устройства (10),содержащего прозрачную подложку (1), имеющую оптический индекс n0, несущую на первой главной поверхности (11) первое прозрачное или полупрозрачное покрытие электрода (3),известного как нижний электрод, с сопротивлением листа менее или равным 6, содержащего следующий пакет слоев: антиотражательный подслой (2), имеющий заданную оптическую толщину L1 и имеющий оптический индекс n1, так что отношение n1:n0 более или равно 6:5; первый металлический слой, имеющий определенную толщину e1; первый разделительный слой, имеющий определенную оптическую толщину L2; второй металлический слой, имеющий собственную удельную электропроводность и имеющий определенную толщину е 2; и верхний слой для согласования рабочей функции, причем L1 составляет 20-120 нм, L2 составляет 75-200 нм, и сумма толщин (e1+e2) первого и второго металлических слоев менее или равна 40 нм. Предметом настоящего изобретения является подложка органического светоизлучающего устройства, а также органическое светоизлучающее устройство, содержащее ее. Известные органические светоизлучающие системы, или ОСИД (OLED) (органические светоизлучающие диоды), содержат один или более органических электролюминесцентных материалов, питаемых электричеством электродами, обычно в форме двух электропроводящих слоев, расположенных по бокам указанного или указанных материалов. Указанные электропроводящие слои обычно содержат слой на основе оксида индия, обычно оловолегированного оксида индия, лучше известного под аббревиатурой ООИ (ITO). ООИ - слои, которые хорошо изучены. Они могут быть легко нанесены магнетронным напылением либо из оксидной мишени(нереакционное напыление), либо из мишени на основе индия и олова (реакционное напыление в присутствии окислителя кислородного типа), и их толщина составляет около 100-150 нм. Однако указанный ООИ-слой имеет некоторые недостатки. Во-первых, материал и высокотемпературный (350 С) способ нанесения для улучшения проводимости вносят дополнительные затраты. Сопротивление листа остается относительно высоким (порядка 10), пока толщина слоев не увеличится до более 150 нм, что дает в результате снижение прозрачности и увеличение неровности поверхности, что является критическим для ОСИД. Кроме того, для однородного освещения больших поверхностей необходимо образовать несплошной нижний электрод, обычно путем образования электродных зон в несколько мм 2, и резко снизить расстояние между каждой электродной зоной обычно порядка десятка микрон. И для того чтобы сделать это, в частности, используют дорогостоящую технологию фотолитографии и пассивации. Поэтому разрабатываются новые электродные структуры с использованием металлической тонкой пленки вместо ООИ для того, чтобы получить ОСИД-устройства, которые испускают, по существу,дневной свет для освещения. Органическое светоизлучающее устройство известно, например, из документа US 2005/0073228A1,которое испускает, по существу, дневной свет, обеспечено электродом, обычно называемым нижним,представляющим собой пакет следующих слоев: подслой снижения поглощения; тонкий полуотражающий металлический слой, такой как, например, 22,5 нм серебряный слой; верхний слой, выполненный из прозрачного проводящего материала, такого как ООИ. Верхний электрод сам состоит из тонкого отражающего и светонепроницаемого металлического слоя, такого как, например, 75,5 нм серебряный слой. Указанные металлические слои образуют резонатор Fabry-P rot, который индуцирует эмиссионный спектр ОСИД-устройства, центрированный около длины волны заданного резонанса. Поскольку указанный эмиссионный спектр сильно зависит от угла наблюдения, ОСИД-устройство также содержит оптический элемент, способный снижать указанную угловую зависимость путем образования единичного широкополосного эмиссионного спектра в видимой области. Указанный оптический элемент представляет собой систему нарушения полного внутреннего отражения ("TIRF нарушение полного внутреннего отражения), которая расположена под нижним электродом или на противоположной стороне подложки. Причем она выполнена, например, в виде фторопластовой пленки. Целью настоящего изобретения является создание ОСИД-устройства, которое при ограничении угловой зависимости полихроматического эмиссионного спектра в видимой области имеет более простую и/или более эффективную конструкцию. Это является предметом разработки, в частности, ОСИД-устройства, которое является наиболее подходящим в обычных (архитектурных и/или декоративных) применениях освещения и/или фоновой подсветки и/или сигнальных применениях и может быть любого размера. Для этой цели первым объектом настоящего изобретения является подложка органического светоизлучающего устройства, содержащего прозрачную подложку, имеющую показатель преломления n0,несущую на первой главной поверхности первое прозрачное или полупрозрачное покрытие электрода,известного как нижний электрод, который содержит пакет следующих слоев: антиотражательный подслой, имеющий определенную оптическую толщину L1 и имеющий показатель преломления n1, такой что отношение n1:n0 больше или равно 6:5; первый металлический слой, имеющий определенную толщину e1 (образующий, таким образом,первый рефлектор); первый разделяющий слой, имеющий определенную оптическую толщину L2, расположенный на первой металлической подложке; второй металлический слой, имеющий собственную электропроводность (образующий, таким образом, второй рефлектор) и имеющий определенную толщину е 2, причем указанный второй металлический слой расположен на первом разделительном слое; и верхний слой для согласования рабочей функции, причем указанный верхний слой расположен на втором металлическом слое и имеет определенную толщину е 3.L2 составляет от 75 до 200 нм, в частности от 160 до 200 нм; сумма толщин (e1+e2) первого и второго металлических слоев менее или равна 40 нм и предпочтительно менее или равна 25 нм, для того чтобы снизить поглощение, нижний электрод имеет сопротивление листа менее или равное 6. Таким образом, выбор электродной структуры, содержащей по меньшей мере два металлических слоя, объединенный с целесообразным выбором оптических толщин L1 и L2, делает возможным значительное снижение изменения цвета как функции угла наблюдения. Более точно, присутствие двух металлических слоев в первом электроде (нижний электрод, который является электродом, наиболее близким к подложке) делает возможным создание микрополостей,которые резонируют (соответственно между первым тонким металлическим слоем и вторым электродом и между вторым тонким металлическим слоем и вторым электродом) на двух различных длинах волн в видимой области, которые достаточно отстоят друг от друга (предпочтительно отстоят по меньшей мере на 100 или даже 200 нм), например, одна - при 450 нм, а другая при 650 нм. При правильной настройке интервала значений L1 и L2 в соответствии с изобретением (что корректирует оптические расстояния двух микрополостей) указанные два пика расширяются с образованием одного широкополосного эмиссионного спектра в видимой области. Целевым спектром может быть или спектр, который является, по существу, "равномерным" в видимой области, дающим (квази)чистый дневной свет, или любой другой спектр, особенно спектры, соответствующие требованиям в областях фоновой подсветки и освещения: спектр источника света А ("желтый" свет), определенный при 0 координатами (0,45; 0,41) в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности,спектр источника света Е ("дневной" свет), определенный при 0 координатами (0,33; 0,33) в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности, и т.д. Предпочтительно для оптимального воспроизведения цвета резонансы, полученные выбором L1 иL2, не ослабляют значительно, через интерференционные эффекты, цвета эмиссионного спектра эмиссионных слоев ОСИД-системы. Например, ослабление может быть менее 70% или даже менее или равно 50%. Преимущественно для того, чтобы ограничить насколько возможно угловую зависимость:L1 меньше или равна 100 нм, еще более предпочтительно меньше или равна 80 нм; и/илиL1 меньше или равна 40 нм, еще более предпочтительно меньше или равна 50 нм; и/илиL2 меньше или равна 160 или даже 130 нм; и/илиL2 больше или равна 90 нм; и/илиL1 меньше L2, в частности L1 по меньшей мере больше или равна 1,5 L1 или даже 1,65 L1 и предпочтительно менее 2,5 L1 или даже менее 2 L1. Электрод оптимизируется не для того, чтобы быть как можно более прозрачным, а для того, чтобы получить микрополости, подходящие для широкополосных излучателей. Кроме того, что является неожиданным, введение второго серебряного слоя только ухудшает эффективность выделения оптического излучения, испускаемого ОСИД-устройством, т.е. порции выделяющейся оптической энергии, относительно общей оптической энергии, испускаемой источником. ОСИД-устройство, оборудованное таким электродом, является простым, компактным, надежным,прочным и не зависит от дополнительного функционального элемента как в решении, описанном в документе US 2005/0073228A1. Однако можно дополнительно увеличить световыделение ОСИД-устройства согласно настоящему изобретению введением указанного функционального элемента,описанного в документе US 2005/0073228A1 (объемно- и поверхностно рассеивающий слой, тефлоновая пленка и т.д.). Электрод согласно настоящему изобретению может распространяться на большую площадь поверхности, например площадь поверхности более или равную 0,02 м 2, или даже более или равную 0,05 м 2, или более или равную 1 м 2. Электрод согласно настоящему изобретению сохраняет удовлетворительные электропроводящие свойства или даже улучшает их, когда первый разделительный слой не является изоляционным. Термин "слой" в значении настоящего изобретения должен пониматься в том смысле, что им может быть слой, выполненный из единственного материала (монослой), или нескольких слоев (мультислой),выполненных из различных материалов. В значении настоящего изобретения, если не указано иное, толщина соответствует геометрической толщине. В значении настоящего изобретения выражение "на основе" обычно понимается как слой, определенно содержащий рассматриваемый материал, т.е. содержащий по меньшей мере 50% указанного материала в массе. В значении настоящего изобретения выражение "в интервале", естественно, понимается как ограничение указанных значений. В настоящем изобретении ссылка делается на низлежащий слой "х" или на слой "х" под другим слоем "у, это, естественно, означает, что слой "х" ближе к подложке, чем слой "у". Для показателей преломления n0, n1 может быть выбрано значение на 550 нм. Возможно, чтобы антиотражательный подслой (подобно первому разделительному слою) был мультислоем, оптическая толщина L1 (или L2), естественно, представляет собой сумму оптических толщин каждого рассматриваемого слоя, и показатель преломления n1 представляет собой показатель мультислоя. Поэтому берется сумма для всех слоев произведения: толщина слоя, умноженная на показатель преломления слоя. Естественно, антиотражательный подслой (опционально базовый слой, и/или опционально выравнивающий слой, и/или контактный слой) и первый разделительный слой (произвольный дополнительный слой, и/или произвольный выравнивающий слой, и/или контактный слой) являются предпочтительно (по существу) диэлектрическими (т.е. неметаллическими). Естественно, антиотражательный подслой, первый разделительный слой и верхний слой предпочтительно состоят из тонких слоев. Предпочтительно первый и/или второй металлический слой может быть на основе: чистого материала, выбранного в качестве первого варианта из серебра, золота, алюминия или меди или в качестве второго варианта из других менее проводящих металлов, таких как молибден; или одного из вышеуказанных материалов, сплавленных с или легированных по меньшей мере одним другим материалом, выбранным из Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co илиSn, в частности на основе сплава серебра и палладия, и/или золота, и/или меди для улучшения влагостойкости серебра. Первый металлический слой может быть, в частности, выполнен из молибдена, особенно когда не требуется электропроводность электрода. Первый и второй металлические слои могут быть выполнены из одного и того же материала. В предпочтительной конструкции первый и второй металлические слои являются основанными на серебре (т.е. выполнены из чистого серебра или из металлического сплава, который содержит, главным образом, серебро) и опционально: толщина e1 менее или равна 15 нм, в частности 6-15 нм, или даже менее или равна 13 нм и/или менее или равна 13 нм; и/или толщина е 2 менее или равна 15 нм, в частности 6-15 нм, или даже менее или равна 7 нм и/или более или равна 10 нм; и/или толщина e1 больше толщины е 2 (от 1 до нескольких нанометров). Естественно, первым и/или вторым металлическим слоем может быть мультиметаллический слой. Предпочтительно нижний электрод согласно настоящему изобретению может иметь сопротивление листа менее или равное 3, особенно для толщины (функционального) второго металлического слоя от 6 нм и, опционально, толщины первого металлического слоя, также выбранного как функциональный, от 6 нм; и/или светопропускание TL более или равное 50% и предпочтительно 60-90% или даже больше, если не ухудшаются характеристики ОСИД. Естественно, электрод может содержать последовательность слоев, опционально, повторяющихся один или более раз, между вторым металлическим слоем и верхним слоем, причем последовательность образуется из другого разделительного слоя, выполненного из такого материала, как перечисленные для первого разделительного слоя, опционально выполненного из такого же материала как первый разделительный слой, и/или имеющего оптическую толщину в интервале, приведенном для первого разделительного слоя, и который является предпочтительно проводящим; из покрытого (прямо или непрямо) другого металлического слоя, выполненного из такого материала, как перечисленные для металлических слоев, опционально выполненного из одного и того же материала, как второй металлический слой, в частности материала на основе серебра. Тогда может быть предпочтительным, чтобы сумма толщин металлических слоев составляла менее или равна 40 нм. Антиотражательный подслой может содержать один или более слоев, которые не препятствуют антиотражательной функции, особенно когда указанный слой или указанные слои, каждый, имеют небольшую толщину, обычно менее 10 нм и, например, показатель преломления, близкий к индексу подложки. Предпочтительно антиотражательный подслой может иметь по меньшей мере одну из следующих характеристик: может быть предпочтительно нанесен непосредственно на подложку; и/или является однослойным, двуслойным, трехслойным; и/или имеет показатель преломления n1 более или равный 1,8 или даже 2, в частности, для подложки,имеющей показатель преломления около 1,5, или подложки с высоким индексом; и/или большая часть или даже весь комплект слоев, образующих антиотражательный подслой (или даже весь комплект слоев между подложкой и первым металлическим слоем), имеет показатель преломленияn1 более или равный 1,8 или даже 2; и/или весь комплект слоев между подложкой и первым металлическим слоем имеет оптическую толщину менее или равную 120 нм; и/или содержит базовый слой, т.е. слой, наиболее близкий к подложке, предпочтительно, по существу,покрывающий главную поверхность подложки и предпочтительно образующий барьер для щелочных металлов (если необходимо), и/или (сухой и/или влажный) останавливающий вытравливание слой, и/или выравнивающий слой. В качестве примера базового слоя может быть указан титан-оксидный или олово-оксидный слой. Базовый слой, который образует барьер для щелочных металлов (если необходимо), и/или останавливающий вытравливание слой предпочтительно может быть на основе: оксикарбида кремния (общей формулы SiOC); нитрида кремния (общей формулы SixNy), наиболее часто на основе Si3N4; оксинитрида кремния (общей формулы SixOyNz); оксикарбонитрида кремния (общей формулы SixOyNzCw); или оксида кремния (общей формулы SixOy), для толщины менее 10 нм. Также могут быть выбраны другие оксиды и/или нитриды, в частности: оксид ниобия (Nb2O5); оксид циркония (ZrO2); оксид титана (TiO2); оксид алюминия (Al2O3); оксид тантала (Ta2O5); или еще нитриды алюминия, галлия или кремния и их смеси, опционально Zr-легированные. Возможно, чтобы азотирование базового слоя было слегка субстехиометрическим. Базовый слой может быть, таким образом, барьером для щелочных металлов, располагающихся ниже электрода. Он защищает произвольный низлежащий слой (слои), особенно контактный слой под первым металлическим слоем от любого загрязнения (загрязнения, которое может дать в результате механические дефекты, такие как расслоения); он также сохраняет электропроводность первого металлического слоя, а также предотвращает загрязнение органической структуры ОСИД устройства щелочными металлами, которое действительно значительно снижает срок службы ОСИД. Миграция щелочных металлов может иметь место в процессе изготовления устройства, что приводит к потере надежности, и/или после изготовления снижает его срок службы. Базовый слой может улучшить соединительные свойства контактного слоя без заметного увеличения неровности всего пакета слоев, даже в случае одного или более слоев, расположенных между базовым слоем и контактным слоем (выравнивающим слоем и т.д.). Базовый слой опционально легируется, особенно для того, чтобы увеличить его индекс. Базовый слой может предпочтительно иметь толщину более или равную 3 или даже 5 нм. Для получения желаемой оптической толщины L1 можно выбрать антиотражательный подслой, для которого по меньшей мере половина или даже 60% или более его геометрической толщины состоят из базового слоя. Это, в частности, может быть: слой SixNy (Si3N4, в частности) в отдельности или в базовом пакете;SnO2 в отдельности или в базовом пакете типа SixNy/SnO2; или даже TiO2 в отдельности или в базовом пакете типа SixNy/SnO2, причем TiO2, опционально, ограничен по толщине благодаря его высокому показателю преломления. Антиотражательный подслой может предпочтительно содержать останавливающий вытравливание слой, в частности слой на основе оксида олова. Более конкретно, для простоты останавливающий вытравливание слой может быть частью или быть базовым слоем; он может быть предпочтительно на основе нитрида кремния, или он может быть слоем на основе оксида кремния, или на основе оксинитрида кремния, или на основе оксикарбида кремния, или еще на основе оксикарбонитрида кремния и с оловом для усиления характеристики антивытравливания, а именно, слоем общей формулы SnSiOCN. Останавливающий вытравливание слой используется для защиты подложки в случае операции химического травления или реакционного плазменного травления. Посредством останавливающего вытравливание слоя базовый слой остается присутствовать даже в вытравленных ("обработанных по шаблону") зонах. Также может быть прекращена миграция щелочных металлов посредством краевого эффекта между подложкой в вытравленную зону и смежную часть электрода (или даже органическую структуру). Базовый/останавливающий вытравливание слой, главным образом выполненный из легированного или нелегированного нитрида кремния Si3N4, может быть наиболее предпочтительным. Нитрид кремния осаждается очень быстро и образует превосходный барьер для щелочных металлов. Первый металлический слой, в частности на основе серебра, может быть предпочтительно нанесен в кристаллической форме на тонкий диэлектрический (неметаллический) слой, называемый первым кон-4 021647 тактным слоем, который является также предпочтительно кристаллическим. Альтернативно или совокупно, второй металлический слой, в частности на основе серебра, может быть предпочтительно нанесен в кристаллической форме на тонкий диэлектрический (неметаллический) слой, называемый вторым контактным слоем, который является также предпочтительно кристаллическим. Контактный слой поддерживает подходящую кристаллическую ориентацию металлического слоя,нанесенного на него. Первый и/или второй контактный слой выполнен предпочтительно на основе по меньшей мере одного из следующих оксидов металлов, опционально легированных: оксида хрома, оксида индия, оксида цинка, опционально субстехоиметрического, оксида алюминия, оксида титана, оксида молибдена, оксида циркония, оксида сурьмы, оксида олова, оксида тантала или оксида кремния (для простоты кремний считается здесь металлом). Легирование обычно понимается как введение элемента в количестве менее 10 мас.% металлического элемента в слой; и выражение "на основе", таким образом, охватывает легирование. Оксид металла может быть легирован, в частности, в интервале от 0,5 до 5 мас.%, например F- или S-легированный оксид олова. В качестве первого контактного слоя может быть, в частности, выбран TiO2, ITO (ООИ), IZO (на основе индия и цинка), IGZO (на основе индия, галлия и цинка) или даже SnxZnyOz. В качестве второго контактного слоя может быть, в частности, ITO (ООИ), IZO, IGZO или дажеSnxZnyOz. Первый и/или второй контактный слой может предпочтительно быть на основе оксида цинка, легированного Al (AZO), Ga (GZO) или даже В, Sc или Sb, для лучшей стабильности способа нанесения. Кроме того, предпочтительным является слой оксида цинка ZnOx, предпочтительно с х менее 1, более предпочтительно еще в интервале 0,88-0,98, особенно от 0,90 до 0,95. Первый и/или второй контактный слой может предпочтительно быть на основе нитрида металла, в частности Si3N4 или AlN или еще GaN, InN (обычно более дорогостоящий). Первый контактный слой затем может быть объединен с базовым слоем, в частности, когда базовый слой выполнен на основе нитрида кремния. Кроме того, для поддержания введения тока и/или ограничения значения рабочего напряжения может быть предпочтительно обеспечено следующее условие: первый разделительный слой состоит из слоя (слоев) (кроме тонкого блокирующего слоя, описанного ниже), имеющего электрическое удельное сопротивление (в объемном состоянии, как известно в литературе) менее или равное 107 Омсм, предпочтительно менее или равное 106 Омсм или даже менее или равное 104 Омсм; и/или антиотражательный слой (и/или верхний слой) состоит из слоя (слоев) (кроме тонкого блокирующего слоя, описанного ниже), имеющего электрическое удельное сопротивление (в объемном состоянии,как известно в литературе) менее или равное 107 Омсм, предпочтительно менее или равное 106 Омсм или даже менее или равное 104 Омсм. Таким образом, можно, например, исключить один или более слоев (по меньшей мере, имеющих(общую) толщину более или равную 15 нм или даже более или равную 10, даже 5 нм) на основе нитрида кремния, оксида кремния, оксинитрида кремния, оксикарбида кремния, на основе оксикарбонитрида кремния или еще на основе оксида титана. Первый и/или второй металлические слои могут быть предпочтительно нанесены непосредственно на их контактный слой (без учета блокирующего снизу слоя (слоев), описанного ниже). Естественно, для простоты первый и второй контактные слои могут быть выполнены из одного и того же материала. Толщина первого и/или второго контактного слоя предпочтительно более или равна 3 или даже более или равна 5 нм, а также менее или равна 20 или даже 10 нм. В случае повторяющейся последовательности (последовательностей) (электрод имеет три или более металлических слоя), как уже описано, один или каждый введенный металлический слой может быть на контактном слое, выполненном из одного или более материалов, указанных выше для контактных слоев. Подложка согласно настоящему изобретению, покрытая нижним электродом, предпочтительно имеет низкую неровность, так что разность между самой низкой точкой и самой высокой точкой (высота"пик-впадина") на верхнем слое менее или равна 10 нм. Подложка согласно настоящему изобретению, покрытая нижним электродом, предпочтительно имеет на верхнем слое CKB (RMS)-неровность менее или равную 10 нм, даже менее или равную 5 или 3 нм, предпочтительно даже менее или равную 2 нм, 1,5 нм или даже менее или равную 1 нм, с тем, чтобы избежать "пичковых" эффектов, которые резко снижают срок службы и особенно надежность ОСИД. СКВ-неровность означает среднеквадратичную неровность. Это является мерой среднеквадратичного отклонения неровности. Указанная СКВ-неровность поэтому, в частности, определяется количественно по средней высоте пиков и впадин неровности относительно средней высоты. Таким образом,-5 021647 СКВ-неровность 2 нм означает среднюю двойную пиковую амплитуду. Она может быть измерена различными путями: например, атомной микроскопией системой с механическим зондом (с использованием, например, измерительных приборов, поставляемых фирмойVEECO под торговой маркой DEKTAK) и оптической интерферометрией. Измерение обычно осуществляют на площади 1 мкм 2 атомной микроскопией, а на большей площади от 50 мкм 2 до 2 мм 2 системой с механическим зондом. Указанная низкая неровность, в частности, достигается, когда подложка содержит первый выравнивающий слой, в частности некристаллический выравнивающий слой, причем указанный первый выравнивающий слой расположен непосредственно под первым контактным слоем и выполнен из материала,иного, чем материал контактного слоя. Первый выравнивающий слой представляет собой предпочтительно слой легированного или нелегированного одиночного или смешанного оксида на основе оксида одного или более следующих металлов: Sn, Si, Ti, Zr, Hf, Zn, Ga, и, в частности, представляет собой слой опционально легированного смешанного оксида на основе цинка и олова, или слой смешанного оксида индия-олова (ООИ), или слой смешанного оксида индия-цинка ЦОИ) (IZO. Первый выравнивающий слой может быть, в частности, на основе смешанного оксида цинка и олова SnxZnyOz, в частности, который является нестехиометрическим и находится в аморфной фазе, и является опционально легированным, в частности, сурьмой, или на основе смешанного оксида индия и олова(ООИ), в частности, который наносится при низкой температуре, или на основе смешанного оксида индия и цинка (ЦОИ). Указанный первый выравнивающий слой может быть предпочтительно на базовом слое или еще непосредственно на подложке. Можно также использовать второй выравнивающий слой непосредственно под вторым контактным слоем и выполненный из материалов, уже перечисленных для первого выравнивающего слоя. Естественно, для простоты первый и второй выравнивающие слои могут быть выполнены из одного и того же материала. Более широко можно использовать слой легированного или нелегированного SnxZnyOz, который является опционально нестехиометрическим по кислороду, непосредственно под первым металлическим слоем (кроме опционального блокирующего снизу слоя), и/или слой легированного или нелегированногоSnxZnyOz непосредственно под вторым металлическим слоем (кроме опционального блокирующего снизу слоя). Первый разделительный слой может содержать под вторым контактным слоем и под произвольным вторым выравнивающим слоем первый дополнительный слой опционально легированного оксида металла, такого как оксид цинка (легированный, например, алюминием), оксид олова, и/или второй дополнительный слой на основе нитрида кремния. Предпочтительно дополнительный слой выполнен из материала второго контактного слоя, в частности, на основе ZnO. Было установлено, что дополнительный слой на основе ZnO (с или без блокирующего сверху слоя,как описано подробно ниже) или даже на основе ООИ является особенно совместимым с серебряным слоем. Толщина дополнительного слоя (точно так же, как толщина первого и/или второго контактного слоя) предпочтительно более или равна 3 нм или даже более или равна 5 нм и может также составлять менее или равна 20 или даже 10 нм. Для получения желаемой оптической толщины L2 можно ограничить толщину оптического дополнительного слоя и/или второго контактного слоя, как указано, и/или можно выбрать первый разделительный слой, для которого по меньшей мере половина или даже 60, 70, 75% или более его геометрической толщины состоит из выравнивающего слоя (опционально, образующего контактный слой), в частности, SnxZnyOz в отдельности, SixNy в отдельности или в комбинации с вышележащим SnxZnyOz илиSnO2. Например, предусматривается следующее (под произвольным контактным слоем, в частности, на основе ZnO): Si3N4/SnxZnyOz, Si3N4/SnO2, SnxZnyOz в отдельности. Для получения желаемой оптической толщины L1 можно ограничить толщину первого контактного слоя, как указано, и/или можно выбрать подслой, для которого по меньшей мере половина или даже 60,80% или более его геометрической толщины состоит из базового слоя и/или предпочтительно из первого выравнивающего слоя (опционально, образующего базовый слой), в частности слои SixNy, SnO2, TiO2 в отдельности или в пакете, и/или выравнивающий слой SnxZnyOz, предпочтительно непосредственно на подложке. Например, предусматривается следующее: Si3N4/SnxZnyOz, SnO2/SnxZnyOz, SnO2/TiO2,TiO2/SnxZnyOz, SnxZnyOz в отдельности. В случае дополнительной последовательности (электрод имеет три или более металлических слоя),как уже описано, слой или каждый введенный разделительный слой может содержать выравнивающий слой и/или контактный слой, выполненный из вышеуказанных материалов, с опциональными блокирующими сверху и/или блокирующими снизу слоями. Верхний слой для настройки работы выхода может иметь работу выхода, начиная от 4,5 эВ и предпочтительно более или равную 5 эВ. Верхний слой согласно настоящему изобретению выполнен предпочтительно на основе одиночного или смешанного оксида на основе по меньшей мере одного из следующих опционально легированных оксидов металла: оксида олова, оксида индия, оксида цинка, опционально субстехиометрического, оксида алюминия, оксида хрома, оксида титана, оксида молибдена, оксида циркония, оксида сурьмы, оксида тантала, оксида кремния или оксида ниобия. Верхний слой, в частности, может быть выполнен из оксида олова, опционально легированного F,Sb, или выполнен из оксида цинка, опционально легированного алюминием, или быть опционально на основе смешанного оксида, в частности смешанного оксида индия-олова (ООИ), смешанного оксида индия-цинка (ЦОИ) или смешанного оксида цинка и олова SnxZnyOz. Указанный верхний слой может предпочтительно иметь толщину е 3 менее или равную 40 нм, в частности менее или равную 30 нм, например от 15 до 30 нм. Верхним слоем согласно настоящему изобретению может быть, альтернативно, тонкий металлический слой, особенно на основе никеля, платины или палладия, например, имеющий толщину менее или равную 5 нм, в частности от 1 до 2 нм, отделенный от второго металлического слоя лежащим снизу слоем, называемым промежуточным слоем, выполненным из одиночного или смешанного оксида металла,такого как указанные выше для верхнего слоя либо выравнивающего или контактного слоев. Нижний электрод согласно настоящему изобретению является легким для изготовления, в частности, при выборе материалов пакета, материалов, которые могут быть нанесены при температуре окружающей среды и которые не требуют термического отжига для получения правильной удельной электропроводности, таких как ООИ. Еще более предпочтительно большая часть или даже все слои пакета наносятся в вакууме (предпочтительно успешно) предпочтительно напылением, опционально,магнетронным напылением, обеспечивающим значительную производительность. Для дополнительного снижения стоимости нижнего электрода может быть предпочтительным, чтобы общая толщина материала, содержащего (предпочтительно с массовым процентным содержанием индия более или равным 50%) индий, данного электрода составляла менее или равнялась 60 нм или даже менее или равнялась 50, 40 или даже 30 нм. Могут быть указаны, например, ООИ и ЦОИ в качестве слоя(слоев), для которых предпочтительно ограничить толщину. Предпочтительно антиотражательный подслой представляет собой бислой (кроме тонкого блокирующего слоя), в частности состоящий из выравнивающего слоя и контактного слоя, выполненный из оксидов металла; и/или первый разделительный слой (кроме тонкого блокирующего слоя (слоев представляет собой бислой, выполненный из оксидов металла, с выравнивающим слоем и контактным слоем или трислой, выполненный из оксидов металла, с дополнительным слоем в качестве первого слоя. Можно также предусмотреть одно или даже два очень тонких покрытия, называемых "блокирующими покрытиями", нанесенными непосредственно под, сверху или на каждую сторону первого и/или второго металлического слоя, особенно когда указанные слои являются на основе серебра. Блокирующее снизу покрытие, расположенное ниже металлического слоя (первого и/или второго) в направлении подложки, является соединительным, зародышеобразующим и/или защитным покрытием. Блокирующее сверху покрытие, расположенное ниже металлического слоя (первого и/или второго),служит как защитное, или "удаляемое покрытие, с тем, чтобы предотвратить повреждение металлического слоя при воздействии и/или миграции кислорода из слоя, который покрывает его, а также миграции кислорода, если слой, покрывающий его, нанесен напылением в присутствии кислорода. Металлический слой (первый и/или второй) может быть, таким образом, расположен по меньшей мере на одном низлежащем блокирующем покрытии и/или непосредственно по меньшей мере под одним лежащим сверху блокирующим покрытием, причем каждое покрытие имеет толщину предпочтительно от 0,5 до 5 нм. В контексте настоящего изобретения, когда определено, что осаждение слоя или покрытия (содержащего один или более слоев) образуется непосредственно под или непосредственно на другом осаждении, какой-либо слой между указанными двумя осаждениями отсутствует. По меньшей мере одно блокирующее покрытие предпочтительно содержит слой металла, нитрида металла и/или оксида металла на основе по меньшей мере одного из следующих металлов: Ti, V, Mn, Fe,Co, Cu, Zn, Zr, Hf, Al, Nb, Ni, Cr, Mo, Ta, W или на основе сплава по меньшей мере одного из указанных материалов предпочтительно на основе Ni или Ti, на основе сплава Ni или на основе сплава NiCr. Например, блокирующее покрытие может состоять из слоя на основе ниобия, тантала, титана, хрома и никеля или на основе сплава, образованного по меньшей мере из двух указанных металлов, такого как хромо-никелевый сплав. Тонкий блокирующий слой образует защитный слой или даже удаляемый слой, который предотвращает повреждение металла металлического слоя (первого и/или второго), особенно в одной и/или другой из следующих конфигураций: если слой, который покрывает металлический слой (первый и/или второй), наносится с использованием реакционной (кислородной, азотной и т.д.) плазмы, например, если оксидный слой, который покрывает его, наносится напылением; если композиция слоя, который покрывает металлический слой (первый и/или второй), подвергается варьированию в процессе промышленного получения (варьирование условий нанесения, заданного типа изнашивания и т.д.), особенно если варьируется стехиометрия типа оксида и/или нитрида слоя, с изменением в результате качества металлического слоя и поэтому свойств (сопротивление листа, светопропускание и т.д.) электрода; и если электродное покрытие подвергается термообработке после нанесения. Указанный защитный, или удаляемый, слой значительно улучшает воспроизводимость электрических и оптических свойств электрода. Это является очень важным для промышленного подхода, в котором приемлем только небольшой разброс в свойствах электродов. Особенно предпочтительным является тонкий блокирующий слой на основе металла, выбранного из ниобия Nb, тантала Та, титана Ti, хрома Cr или никеля Ni, или на основе сплава, образованного по меньшей мере из двух указанных металлов, особенно сплава ниобия/тантала (Nb/Ta), сплава ниобия/хрома (Nb/Cr), или сплава тантала/хрома (Ta/Cr), или сплава никеля/хрома (Ni/Cr). Указанный тип слоя на основе по меньшей мере одного металла имеет особенно сильный газопоглощающий эффект. Тонкий металлический блокирующий слой может быть легко получен без ухудшения металлического слоя (первого и/или второго). Указанный металлический слой может быть предпочтительно нанесен в инертной атмосфере (т.е. в которую преднамеренно не введен кислород или азот), состоящей из инертного газа (He, Ne, Xe, Ar, Kr). Не исключается и не является проблематичным для указанного металлического слоя быть окисленным на поверхности в процессе последующего нанесения слоя на основе оксида металла. Тонкий металлический блокирующий слой также обеспечивает превосходные механические характеристики (особенно устойчивость к истиранию и царапанию). Однако для использования металлического блокирующего слоя необходимо ограничить толщину металлического слоя и поэтому светопоглощение для того, чтобы сохранить достаточное светопропускание прозрачных электродов. Тонкий металлический блокирующий слой может быть частично окисленным. Указанный слой наносится в неметаллической форме и поэтому наносится не в стехиометрической форме, а в субстехиометрической форме типа MOx, где M представляет собой материал и х представляет собой число меньше чем для стехиометрии оксида материала, или типа MNOx для оксида двух материалов M и N (или более двух). Например, могут быть указаны TiOx и NiCrOx. Предпочтительно х составляет от 0,75 до 0,99 числа для нормальной стехиометрии оксида. Для монооксида х может быть, в частности, выбран в интервале 0,5-0,98, а для диоксида х может быть в интервале 1,5-1,98. В одном частном варианте тонкий блокирующий слой выполнен на основе TiOx, где х, в частности,может быть таким, что 1,5 х 1,98, или 1,5 х 1,7, или даже 1,7 х 1,95. Тонкий металлический блокирующий слой может быть частично азотированным. Он поэтому наносится не в стехиометрической форме, а в субстехиометрической форме типа MNy, где M представляет собой материал и у представляет собой число меньше чем для стехиометрии нитрида материала, причем у предпочтительно составляет от 0,75 до 0,99 числа для нормальной стехиометрии оксида. Аналогично, тонкий металлический блокирующий слой может быть частично оксиазотированным. Указанный тонкий окисленный и/или азотированный блокирующий слой может быть легко получен без ухудшения функционального слоя. Он предпочтительно наносится с использованием керамической мишени в неокислительной атмосфере, состоящей предпочтительно из инертного газа (He, Ne, Xe,Ar, Kr). Тонкий блокирующий слой может быть предпочтительно выполнен из субстехиометрического нитрида и/или оксида для того, чтобы дополнительно улучшить воспроизводимость электрических и оптических свойств электрода. Выбор тонкого блокирующего слоя субстехиометрического оксида и/или нитрида может быть предпочтительно основан на металле, выбранном по меньшей мере из одного из следующих металлов:Ti, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zn, Zr, Hf, Al, Nb, Ni, Cr, Mo, Та, W, или на оксиде субстехиометрического сплава на основе по меньшей мере одного из указанных материалов. Особенно предпочтительным является слой на основе оксида или оксинитрида металла, выбранного из ниобия Nb, тантала Та, титана Ti, хрома Cr или никеля Ni, или на основе сплава, образованного по меньшей мере из двух указанных металлов, особенно сплава ниобия/тантала (Nb/Ta), сплава ниобия/хрома (Nb/Cr), или сплава тантала/хрома (Ta/Cr), или сплава никеля/хрома (Ni/Cr). В качестве субстехиометрического нитрида металла также можно выбрать слой, выполненный из нитрида кремния SiNx, или нитрида алюминия AlNx, или нитрида хрома CrNx, или нитрида титана TiNX,или нитрида нескольких металлов, такого как NiCrNx. Тонкий блокирующий слой может иметь градиент окисления, например M(N)Oxi с переменным xi,причем часть блокирующего слоя в контакте с металлическим слоем менее окислена, чем часть указанного слоя, наиболее отстоящая от металлического слоя, использующая конкретную атмосферу нанесения. Блокирующее покрытие может также представлять собой мультислой и, в частности, содержит: с одной стороны, "граничный" слой непосредственно в контакте с указанным функциональным слоем, причем указанный граничный слой выполнен из материала на основе нестехиометрического оксида, нитрида или оксинитрида металла, таких как указанные выше; с другой стороны, по меньшей мере, один слой, выполненный из металлического материала, такого как указанные выше, причем указанный слой находится непосредственно в контакте с указанным "граничным" слоем. Граничным слоем может быть оксид, нитрид или оксинитрид металла или металлов, который присутствует или присутствуют в опциональном смежном металлическом слое. Естественно, для простоты первый и второй сверху блокирующие слои могут быть выполнены из одного и того же материала и/или блокирующие снизу слои могут быть выполнены из одного и того же материала. Подложка, кроме того, предпочтительно содержит шинную структуру нижнего электрода поверх покрытия нижнего электрода, причем указанная нижняя шинная электродная структура находится в электрическом контакте с указанным электродным покрытием. Шинная структура нижнего электрода находится в форме слоя для подачи тока перед травлением: она предпочтительно имеет толщину от 0,5 до 10 мкм и предпочтительно находится в форме монослоя,выполненного из одного из следующих металлов: Mo, Al, Cr, Nd или выполненного из сплава, такого какMoCr, AlNd, или в форме мультислоя, такого как MoCr/Al/MoCr. Все слои электрода предпочтительно наносятся технологией вакуумного осаждения, но, однако, не исключено, что первый слой или слои пакета могут быть нанесены другой технологией, например технологией термического разложения пиролизного типа. Все слои электрода могут быть предпочтительно вытравлены по одному и тому же шаблону и предпочтительно единичным травлением, за исключением базового слоя, который не вытравливают. Останавливающий вытравливание слой, если он присутствует, также предпочтительно является цельным,но может быть слегка вытравленным, например, на десятую часть его начальной толщины. То же самое справедливо для базового слоя, если останавливающий вытравливание слой не присутствует. Подложка может быть плоской или изогнутой, а также жесткой, эластичной или полуэластичной. Ее главные поверхности могут быть прямоугольными, квадратными или даже любой другой формы(круглой, овальной, многоугольной и т.д.). Указанная подложка может быть большого размера, например иметь площадь поверхности более 0,02 м 2, или даже 0,5 м 2, или 1 м 2 и с нижним электродом (опционально разделенным на несколько зон, известных как электродные поверхности), занимающим, по существу,всю площадь (кроме структурирующих зон и/или кроме зон травления). Подложка является, по существу, прозрачной. Она может иметь светопропускание TL более или равное 70%, предпочтительно более или равное 80 или даже 90%. Подложка может быть неорганической или выполненной из пластика, такого как поликарбонат(ПК), или полиметилметакрилат (ПММА), или еще полиэтиленнафталат (ПЭН), сложный полиэфир, полиимид, сложный полиэфирсульфон (ПЭС), ПЭТФ, политетрафторэтилен (ПТФЭ), листа термопластичной смолы, например поливинилбутираля (ПВБ), полиуретана (ПУ), или выполненной из сополимера этилен/винилацетат (СЭВА), или выполненной из термоотверждающейся однокомпонентной или многокомпонентной смолы (эпоксида, ПУ), или УФ-отверждающейся однокомпонентной или многокомпонентной смолы (эпоксида, акриловой смолы) и т.д. Подложка может быть выполнена предпочтительно из стекла, минерального стекла, силикатного стекла, особенно натриево-кальциевого стекла или натриево-кальциевого силикатного стекла, прозрачного или экстрапрозрачного стекла, флоат-стекла. Она может быть стеклом с высоким показателем (в частности, имеющим показатель выше 1,6). Подложкой может быть предпочтительно стекло, имеющее коэффициент поглощения менее 2,5 м-1,предпочтительно менее 0,7 м-1 при длине волны ОСИД-излучений. Например, выбирается натриево-кальциевое силикатное стекло с менее 0,05% Fe III или Fe2O3, в частности стекло DIAMANT от Saint-Gobain Glass, стекло OPTIWHITE от Pilkington или стекло В 270 отSchott. Могут быть выбраны все композиции экстрапрозрачного стекла, описанные в документеWO 04/025334. При излучении ОСИД-системы через толщину прозрачной подложки одна часть испускаемого излучения направляется в подложку. Таким образом, в одной предпочтительной конструкции изобретения толщина выбранной стеклянной подложки может быть по меньшей мере 1 мм, например предпочтитель-9 021647 но по меньшей мере 5 мм. Это обеспечивает снижение числа внутренних отражений и, таким образом,обеспечивает большее выделение излучения, направленного в стекло, увеличивая в результате яркость светящейся зоны. В одной дополнительной конфигурации подложка согласно настоящему изобретению содержит на второй главной поверхности функциональное покрытие, выбранное из антиотражательного мультислоя,слоя против помутнения или загрязнения, ультрафиолетового фильтра, в частности слоя из оксида титана, слоя фосфора, зеркального слоя или зоны выделения светового рассеивания. Кроме того, обычно предпочтительно обеспечивать электродное покрытие с шинным электродом перед нанесением ОСИД-системы. Слой, который образует шинный электрод, предпочтительно вытравливается в то же самое время, что и электродное покрытие. Можно использовать подложку, как определено выше для ОСИД-устройства, содержащую по меньшей мере одну (сплошную) электродную зону размером более или равную 11 или 55 см 2, даже 1010 см 2 и более. Можно использовать подложку, как определено выше для ОСИД-устройства, которая образует панель освещения (по существу дневного и/или однородного света) или панель фоновой подсветки, в частности, имеющую площадь поверхности (сплошного) электрода размером более или равную 11 или 55 см 2, даже 1010 см 2 и более. Таким образом, ОСИД-устройство может быть разработано для образования единичного освещающего дорожного камня (с единичной электродной площадью поверхности), который освещает (по существу, дневным) полихроматическим светом, или множества освещающих дорожных камней (с несколькими электродными площадями поверхности), которые освещают (по существу, дневным) полихроматическим светом, причем каждый освещающий дорожный камень обеспечен (сплошной) электродной площадью поверхности более или равной 11 см 2 или 55 см 2, 1010 см 2 и более. Таким образом, в ОСИД-устройстве согласно настоящему изобретению, в частности, для освещения может быть выбран непикселированный электрод. Он отличается от дисплейного электрода (ЖКД(LCD) и т.д.), образованного из 3 расположенных рядом пикселей, обычно очень малых размеров, и который каждый испускает заданное квазимонохроматическое (обычно красное, зеленое или голубое) излучение. Для того чтобы получить ОСИД-устройство, подложка согласно настоящему изобретению также содержит ОСИД-систему поверх нижнего электрода, как определено выше, предусмотренную для испускания полихроматического излучения, определенного при 0 координатами (x1, y1) в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности, причем координаты даны здесь для излучения к нормали. ОСИД-устройство может быть излучающим снизу и, опционально, также излучающим сверху, когда верхний электрод является отражательным или полуотражательным или даже прозрачным (в частности, имеющим TL, сравнимое с анодом, обычно начиная с 60% и предпочтительно более или равное 80%). ОСИД-устройство может также содержать: верхний электрод поверх указанной ОСИД-системы; предпочтительно верхнюю шинную электродную структуру поверх покрытия верхнего электрода,причем указанная шинная электродная структура находится в электрическом контакте с указанным покрытием верхнего электрода. Более предпочтительно получают ОСИД-устройство, которое со спектром выходного излучения,определяемым при 0 его колориметрическими координатами (х 2, у 2) в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности, так что x1-x22+(y1-y2)2) меньше 0,1, еще более предпочтительно меньше или равно 0,08 или даже меньше или равно 0,03. ОСИД-система может быть приспособлена для испускания (по существу) дневного света, насколько возможно ближе к координатам (0,33; 0,33) или к координатам (0,45; 0,41), в частности, при 0. Для получения, по существу, дневного света возможны несколько способов: смешение соединений(красное, зеленое, голубое излучение) в единый слой; создание на поверхности электродов пакета трех органических структур (красное, зеленое, голубое излучение) или двух органических структур (желтое и голубое). ОСИД-устройство может быть приспособлено для получения в качестве выхода (по существу) дневного света, насколько возможно ближе к координатам (0,33; 0,33) или к координатам (0,45; 0,41), в частности, при 0. Также оценку различия в цвете при 0 можно делать, например, для (x1; y1) координат (0,33; 0,33) или координат (0,45; 0,41). Кроме того, для определения угловой зависимости цвета, изготовленного ОСИД-устройства, различие в цвете оценивается как функция угла Vcolour, т.е. длины пути в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности между спектром, испускаемым при 0, и спектром, испускаемым при 60, при прохождении по меньшей мере через один промежуточный угол, такой как, например, 30. Указанный путь может иметь различные формы, такие как, например, прямая линия или дуга. Определение различия в цвете осуществляется измерением спектра светоизлучающего устройства под различными углами (например, 0 и заданным критическим углом c, равным 60, через каждые 5) спектрофотометром. Затем колориметрические координаты для каждого спектра под угломвыражают парой (x(i), y(i в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности. Длина пути Vcolour может быть рассчитана с использованием следующего уравнения: Длина пути Vcolour минимизируется и может составлять, таким образом, менее или равна 0,1, еще более предпочтительно менее или равна 0,08 или менее или равна 0,05, даже 0,03. Она может быть дополнительно оптимизирована минимизацией длины пути между 0 и 85. Устройство может образовывать часть многослойного остекляющего блока, в частности вакуумного остекляющего блока или блока с воздушным слоем или слоем другого газа. Устройство может быть также монолитным и содержать монолитный остекляющий блок для того, чтобы быть более компактным и/или более легким. ОСИД-система может быть соединена или предпочтительно ламинирована с другой плоской подложкой, называемой кожухом, предпочтительно прозрачной, такой как стекло, с использованием промежуточного ламинирующего слоя, особенно экстрапрозрачного промежуточного слоя. Ламинированные остекляющие блоки обычно состоят из двух жестких подложек, между которыми помещается термопластичный полимерный лист или наложение таких листов. Настоящее изобретение также включает в себя то, что называется "асимметричными" ламинированными остекляющими блоками, использующими подложку, в частности жесткую несущую подложку стеклянного типа, и в качестве подложки - кожуха с одним или более защитных полимерных листов. Настоящее изобретение также включает в себя ламинированные остекляющие блоки, имеющие по меньшей мере один лист промежуточного слоя на основе одностороннего или двустороннего клеевого полимера эластомерного типа (т.е. не требуется операция ламинирования в традиционном значении термина, т.е. ламинирования, требующего обычно нагревания под давлением с тем, чтобы размягчить термопластичный лист промежуточного слоя и сделать его адгезирующим). В данной конфигурации средством скрепления кожуха с несущей подложкой может быть тогда промежуточный слой ламинирования, в частности лист термопласта, например полиуретана (ПУ), поливинилбутираля (ПВБ) или сополимера этилен/винилацетат (СЭВА), или термоотверждающейся однокомпонентной или многокомпонентной смолы (эпоксида, ПУ), или УФ-отверждающейся однокомпонентной или многокомпонентной смолы (эпоксида, акриловой смолы). Предпочтительно лист имеет (по существу) такие же размеры, как кожух и подложка. Промежуточный слой ламинирования может предотвращать изгибание кожуха, в частности, для крупных устройств, например, площадью более 0,5 м 2. В частности, СЭВА обладает многими преимуществами: содержит мало воды по объему или не содержит воду; не требует обязательно высокого давления для его переработки. Промежуточный слой опционально включает в себя ряд электрических проводников на его внутренней поверхности, обращенной к верхнему электроду, и/или электропроводящий слой или электропроводящие полосы на внутренней поверхности кожуха. ОСИД-система может быть предпочтительно помещена внутри двойного остекляющего блока, особенно со слоем инертного газа (например, аргона). Верхний электрод может представлять собой электропроводящий слой, предпочтительно выбранный из оксидов металла, в частности из следующих материалов: легированный оксид цинка, в частности алюминий-легированный оксид цинка ZnO:Al или галлийлегированный оксид цинка ZnO:Ga; или легированный оксид индия, в частности олово-легированный оксид индия (ООИ) или цинклегированный оксид индия (ЦОИ). Обычно можно использовать любой тип прозрачного электропроводящего слоя, например слой прозрачного проводящего оксида ППО) (ТСО, например, толщиной от 20 до 1000 нм, обычно 120 нм для ООИ. Также можно использовать тонкий металлический слой, известный как прозрачное проводящее покрытие ППП) (ТСС, например, выполненный из Ag, Al, Pd, Cu, Pt, In, Mo или Au и обычно имеющий толщину от 5 до 150 нм в зависимости от желаемого светопропускания/светоотражения. Например, слой серебра является прозрачным ниже 15 нм и непрозрачным от 40 нм. Не требуется, чтобы электрод был непрерывным. Верхний электрод может содержать множество проводящих полос или проводящих проволок (сетку). Кроме того, можно предпочтительно вводить покрытие, имеющее заданную функциональность, на противоположной поверхности от подложки, несущей электрод, согласно настоящему изобретению или на дополнительной подложке. Это может быть слой против помутнения (использующий гидрофильный слой), слой против загрязнения (светокаталитическое покрытие, содержащее TiO2, по меньшей мере, частично кристаллизованный в анатазной форме) или еще антиотражательный пакет, например, типаSi3N4/SiO2/Si3N4/SiO2, или еще УФ-фильтр, такой как, например, слой оксида титана (TiO2). Им может быть также один или более слоев фосфора, зеркальный слой или, по меньшей мере, зона выделения светорассеивания. Настоящее изобретение также относится к различным применениям, в которых могут быть размещены указанные ОСИД-устройства, причем указанные устройства образуют одну или более светящихся поверхностей, которые являются прозрачными и/или отражающими (функция зеркала), используемых как для наружных, так и для внутренних применений. Устройство может образовывать, альтернативно или в комбинации, освещающую, декоративную,архитектурную и т.д. систему или индикаторную панель дисплея, например, схематического, лого- или альфа-числового индикаторного типа, систему, в частности панель аварийного выхода. ОСИД-устройство может быть сконструировано для получения однородного полихроматического света, особенно для гомогенного освещения, или для получения различных светящихся зон равной интенсивности или различной интенсивности. Наоборот, может быть разработано полихроматическое освещение. Органическое светоизлучающее устройство (ОСИД) дает зону прямого света, а другая светящаяся зона получается при выделении ОСИД-излучения, которое направлено при общем отражении в толщу подложки, которая выбрана выполненной из стекла. Для образования указанной другой светящейся зоны зона выделения может быть смежной с ОСИДсистемой или на другой стороне от подложки. Зона или зоны выделения могут служить, например, для увеличения освещения, обеспечиваемого зоной прямого света, в частности для архитектурного освещения, или для светящейся панели. Зона или зоны выделения находятся предпочтительно в форме одной или более, в частности, однородных полос света, и они предпочтительно помещаются на периферии одной из поверхностей. Указанные полосы могут, например, образовывать сильно светящуюся раму. Выделение достигается по меньшей мере одним из следующих средств, помещенных в зоне выделения: светорассеивающим слоем, подложкой, выполненной светорассеивающей, особенно текстурированной или шероховатой подложкой. Когда электроды и органическая структура ОСИД-системы выбираются прозрачными, в частности,может быть получено освещающее окно. Улучшение освещения комнаты тогда не является вредом для светопропускания. Также путем ограничения светоотражения, особенно на наружной стороне освещающего окна можно регулировать уровень отражения, например, с тем, чтобы отвечать антиослепляющим стандартам по силе для стен зданий. Более широко устройство, особенно частично или полностью прозрачное устройство, может быть предназначено: для применения для зданий, в частности наружное светящееся остекление, внутренняя светящаяся перегородка или светящаяся остекленная дверь (или часть двери), особенно скользящая дверь; для применения для транспортного средства, в частности светящаяся крыша, светящееся боковое окно (или часть окна), внутренняя светящаяся перегородка наземного, водного или воздушного транспортного средства (автобуса, грузовика, поезда, самолета, лодки и т.д.); для применения в городском или профессиональном оборудовании, таком как панель навеса автобуса, стенка счетчика дисплея или витрина магазина, стенка теплицы или светящаяся черепица; для применения во внутреннем оборудовании, таком как элемент полки или кабинета, фасад кабинета, светящийся изразец, потолок, светящаяся полка рефрижератора, стенка аквариума; для фоновой подсветки электронного оборудования, в частности экрана дисплея, опционально двойного экрана, такого как телевизионный или компьютерный экран, предохранительный экран. Для образования освещающего зеркала верхний электрод может быть отражательным. Он также может быть зеркалом. Светящаяся панель может служить для освещения ванной комнаты или рабочей поверхности кухни или может быть потолком. ОСИД-устройства обычно подразделяются на два широких семейства в зависимости от используемого органического материала. Если электролюминесцентные слои представляют собой небольшие молекулы, устройства называются органическими светоизлучающими диодами с небольшими молекулами НМ-ОСИД) (SM-OLED. Обычно структура НМ-ОСИД состоит из пакета слоя инжекции дырок (HIL) и слоя переноса дырок(HTL), эмиссионного слоя и слоя переноса электронов (ETL). Примеры органических светоизлучающих пакетов, например, описаны в документе "Светоизлучающие диоды дневного света четырех длин волн, использующие 4,4-бис-[карбазоил-(9)]стильбен в качестве глубокого голубого эмиссионного слоя" (C.H. Jeong et al.), опубликованном в Organics Electronics,8 (2007), p. 683-689. Если органические электролюминесцентные слои являются полимерами, устройства называются полимерными светоизлучающими диодами ПСИД) (PLED. Органический ОСИД-слой (слои) обычно имеет (имеют) индекс, начиная от 1,8 или выше (1,9 или даже больше). Предпочтительно ОСИД-устройство содержит ОСИД-систему, которая является более или менее толстой, например от 50 до 350 или 300 нм, в частности от 90 до 130 нм или даже от 100 до 120 нм. Положение излучателей каждого семейства в полостях может влиять на тонкое регулирование L2 и/или L1. Настоящее изобретение будет теперь описано более подробно с помощью неограничительных примеров и чертежей: на фиг. 1 схематически представлено поперечное сечение органического светоизлучающего устройства для однородного освещения, которое включает в себя нижний электрод согласно настоящему изобретению в первом варианте; на фиг. 2 представлен частичный вид, показывающий указанный нижний электрод более подробно; на фиг. 3 представлен вид диаграммы хроматичности, показывающий различные длины пути; и на фиг. 4 представлены спектры ОСИД-устройств. Для ясности должно быть указано, что различные элементы объектов (включая углы) показаны и опционально вычерчены в масштабе. Фиг. 1 является преднамеренно очень схематичной. Она показывает поперечное сечение органического светоизлучающего устройства 10 (с эмиссией через подложку, или "донной эмиссией"), последовательно содержащего плоскую подложку 1 из, опционально, прозрачного или экстрапрозрачного натриево-кальциевого силикатного стекла, например, имеющего толщину, начиная от 0,7 мм, с первой и второй главными поверхностями 11, 12, причем первая главная поверхность 11 прежде всего содержит (полу)прозрачный нижний электрод 3, включающий в себя следующий пакет слоев (см. фиг. 2): антиотражательный подслой, содержащий базовый слой 2, нанесенный непосредственно на первую главную поверхность 11, выполненный из нитрида кремния и покрывающий, по существу, всю первую главную поверхность 11,первый выравнивающий слой 31, выполненный из SnyZnzOx, легированного сурьмой Sb, который как вариант нанесен непосредственно на поверхность 11,первый контактный слой 32, выполненный из алюминий-легированного ZnOx,первый металлический слой 30, предпочтительно выполненный из серебра, например чистого серебра; первый разделительный слой, содержащий опционально, сверхлежащее блокирующее сверху покрытие 33 непосредственно на металлическом слое 32; опционально, дополнительный слой 34, выполненный из алюминий-легированного ZnOx; второй выравнивающий слой 31, выполненный из SnyZnzOx, легированного сурьмой Sb; второй контактный слой 32, выполненный из алюминий-легированного ZnOx; второй металлический слой 30, предпочтительно выполненный из серебра, например чистого серебра; опционально, блокирующее сверху покрытие 33; верхний слой 35 для согласования рабочей функции, выполненный из ООИ. Устройство 10 также содержит на электроде 3 органическую светоизлучающую систему 4, например НМ-ОСИД, испускающую дневной свет, образованную из: 45 нм 2-TNATA; 15 нм NPB (10 нм); 5 нм NPB:DCJTB (0,2 мас.%); 6 нм BCS:перилен (0,5 мас.%); 1 нм Alq3:C545T (0,2 мас.%); 50 нм Alq3 и 1 нм Li. Указанные слои описаны в документе "Светоизлучающие диоды дневного света четырех длин волн,использующие 4,4-бис-[карбазоил-(9)]стильбен в качестве глубокого голубого эмиссионного слоя"(C.H. Jeong et al.), опубликованном в Organics Electronics, 8 (2007), p. 683-689. Устройство 10 также содержит ОСИД-систему 4: верхний (полу)отражательный электрод 5, в частности, на основе серебра или алюминия. Ряд примеров 1-5 нанесения пакетов для получения нижнего электрода согласно настоящему изобретению выполняют с помощью магнетронного напыления при температуре окружающей среды на обычную подложку 1. Путем сравнения также представлено следующее: созданный пример 6 электрода на основе единичного слоя серебра между отражательным подслоем и верхним слоем; и традиционный пример 7 электрода на основе ООИ. В табл. 1 обобщены природа и геометрическая толщина в нанометрах различных слоев указанных примеров, а также их главные оптические и электрические характеристики. Таблица 1 Условия нанесения для каждого из слоев следующие:Si3N4:Al-содержащие слои наносят реакционным напылением с использованием алюминийлегированной кремниевой подложки под давлением 0,25 Па в атмосфере аргона/азота;SnZn:SbOx-содержащие слои наносят реакционным напылением с использованием сурьмалегированной цинк-оловянной мишени, содержащей 65 мас.% Sn, 34 мас.% Zn и 1 мас.% Sb, под давлением 0,25 Па в атмосфере аргона/кислорода; серебросодержащие слои наносят с использованием серебряной мишени под давлением 0,8 Па в атмосфере чистого аргона;Ti-слои наносят с использованием титановой мишени под давлением 0,8 Па в атмосфере чистого аргона;ZnO:Al-содержащие слои наносят реакционным напылением с использованием алюминийлегированной цинковой мишени под давлением 0,2 Па в атмосфере аргона/кислорода; ООИ-содержащие верхние слои наносят с использованием керамической мишени под давлением 0,2 Па в атмосфере аргона/кислорода. Нижний электрод может, как вариант, содержать лежащее блокирующее снизу покрытие, содержащее, в частности, в качестве лежащего блокирующего снизу покрытия металлический слой, предпочтительно полученный с использованием металлической мишени и нейтральной плазмы, или слой, выполненный из нитрида и/или оксида из одного или более таких металлов, как Ti, Ni, Cr, предпочтительно полученный с использованием керамической мишени и нейтральной плазмы. Нижний электрод 3 выступает сверху одной стороны подложки 1. Край верхнего слоя 35, таким образом, увенчивается первой металлической токопроводящей полосой 61, предпочтительно имеющей толщину от 0,5 до 10 мкм, например 5 мкм, и в форме слоя, выполненного из одного из следующих металлов: Mo, Al, Cr, Nd, или выполненного из такого сплава, как MoCr, AlNd, или выполненного из такого мультислоя, как MoCr/Al/MoCr. Верхний электрод 3 выступает сверху противоположной стороны подложки 1. Край верхнего электрода 5 опционально покрывается второй металлической токопроводящей полосой, предпочтительно подобной первой металлической полосе. Указанная вторая полоса предпочтительно имеется в случае,когда верхний электрод имеет толщину менее или равную 50 нм. В частности, верхний электрод также может быть, как вариант, прозрачным или полупрозрачным электродом, например слоем алюминия. Он также может быть, например, идентичным или подобным нижнему электроду. В данном случае во вторую поверхность 12, опционально, вводится отражатель, на- 14021647 пример металлический слой толщиной 120 нм. Лист типа СЭВА может сделать возможным ламинирование подложки 1 к другому стеклу, предпочтительно имеющему такие же характеристики, как подложка 1. Опционально, поверхность 12 стекла 1, обращенная к листу СЭВА, обеспечивается пакетом заданной функциональности, описанной далее. Нижний электрод 3 выполняют из двух частей, отделенных друг от друга зоной вытравливания 310. Мокрое травление используют для электрического отделения нижнего электрода 3 от верхнего электрода 5 устройства 10. В табл. 2 обобщены оптические свойства ОСИД-устройства вышеуказанных примеров 1-4 и сравнительных примеров 6 и 7, в частности принимая источник света E за эталон. Таблица 2 Для расчета эффективности извлечения сначала рассчитывают внешнюю квантовую эффективностьPout/Pin, т.е. соотношение между электрической энергией Pout, введенной в ОСИД-устройство, и энергией свечения Pin, интегрированной в интервале от 0 до 85. Затем, принимая внутреннюю квантовую эффективность 25%, внешнюю квантовую эффективность делят на 0,25 с получением эффективности извлечения. В табл. 3 обобщены оптические свойства ОСИД-устройства вышеуказанного примера 5, в частности принимая источник света A за эталон. Таблица 3 Значения из табл. 2 и 3 показывают, что серебряный двуслойный электрод (примеры 1-5) делает возможным получение очень низкой угловой колориметрической зависимости и не оказывает ухудшающего воздействия на эффективность извлечения. На фиг. 3 показано изменение колориметрических координат в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности как функции угла наблюдения в воздухе для примеров 2 (кривая 100), 6 (кривая 110) и 7 (кривая 120). Можно, таким образом, видеть, что путь, который является самым коротким и самым близким к излучателю дневного света (0,33; 0,33), соответствует серебряному двуслойному электроду. На фиг. 4 показаны спектры ОСИД-устройств для примера 2 (кривая 100) и 6 (кривая 110) при 0. Можно, таким образом, видеть, что спектр 100, полученный посредством двуслойного электрода,является относительно равномерным в большей части видимого спектра в отличие от спектра 110. Само собой разумеется, что настоящее изобретение применяется аналогичным образом при использовании светоизлучающих систем, иных, чем системы, описанные в примерах. Настоящее изобретение описано выше путем примера. Понятно, что специалист в данной области техники способен получить различные варианты изобретения без отступления от объема патента, как описано в формуле изобретения. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ 1. Проводящая подложка органического светоизлучающего устройства, состоящая из прозрачной подложки (1), имеющей показатель преломления n0, несущей на первой главной поверхности (11) первое прозрачное или полупрозрачное покрытие электрода (3), известное как нижний электрод, причем проводящая подложка содержит следующий пакет слоев: антиотражательный подслой, имеющий заданную оптическую толщину L1 и показатель преломления n1, такие что отношение n1:n0 больше или равно 6:5; антиотражательный подслой содержит слой,известный как первый контактный слой (32), расположенный ниже первого металлического слоя, основанный на легированном или нелегированном оксиде цинка; первый металлический слой (30), имеющий заданную толщину e1, расположенный на антиотражательном подслое; верхний слой, выбранный из слоя, основанного на оксиде индий-олово, или слоя, основанного на оксиде индий-цинк, или слоя, основанного на оксиде цинка и олова (SNxZNyOz), имеющий заданную толщину е 3, расположенный на первом металлическом слое,причем нижний электрод (3) также содержит первый разделительный слой, являющийся диэлектрическим, имеющий заданную оптическую толщину L2, расположенный на первом металлическом слое и под верхним слоем; первый разделительный слой содержит слой, известный как второй контактный слой (32'), расположенный ниже второго металлического слоя на основе легированного или нелегированного оксида цинка; второй металлический слой (30'), имеющий собственную удельную электропроводность и заданную толщину е 2, причем указанный второй слой расположен между первым разделительным слоем и верхним слоем; отличающаяся тем, что L1 составляет 20-120 нм, L2 составляет 75-200 нм и сумма толщин e1+e2 первого и второго металлических слоев меньше или равна 40 нм, и тем, что нижний электрод имеет сопротивление листа меньшее или равное 6. 2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что L1 меньше или равна 100 нм, предпочтительно меньше или равна 80 нм и/или L2 меньше или равна 160 нм, предпочтительно 130 нм. 3. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что L1 меньше L2. 4. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что первый и второй металлические слои (30, 30') основаны на серебре, толщина e1 первого металлического слоя меньше или равна 15 нм и/или толщина е 2 второго металлического слоя меньше или равна 15 нм, предпочтительно толщина e1 больше толщины е 2. 5. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что нижний электрод имеет. сопротивление листа меньшее или равное 3 6. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что антиотражательный подслой содержит базовый слой (2), имеющий толщину более или равную 3 нм, который образует барьер для щелочных металлов, и/или останавливающий вытравливание слой, причем базовый слой предпочтительно, по существу, покрывает указанную главную поверхность (11) подложки и выполнен из опционально легированного материала на основе нитрида кремния, оксикарбида кремния, оксинитрида кремния или оксикарбонитрида кремния. 7. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что антиотражательный подслой содержит первый некристаллический выравнивающий слой (31), выполненный из одиночного или смешанного оксида, причем указанный выравнивающий слой (31) расположен непосредственно под указанным первым контактным слоем (32) и выполнен из материала, иного, чем материал первого контактного слоя, и предпочтительно расположен непосредственно на подложке. 8. Подложка по любому из пп.1, 7, отличающаяся тем, что первый разделительный слой содержит второй некристаллический выравнивающий слой (31'), выполненный из одиночного или смешанного оксида, причем указанный второй выравнивающий слой (31') расположен непосредственно под указанным вторым контактным слоем (32') и выполнен из материала, иного, чем материал второго контактного слоя. 9. Подложка по любому из пп.7, 8, отличающаяся тем, что первый и/или второй выравнивающий слой (31, 31') представляет собой слой на основе одиночного или смешанного оксида на основе одного или более из следующих металлов: Sn, Si, Ti, Zr, Hf, Zn, Ga, In, в частности представляет собой слой смешанного оксида на основе цинка и олова SnxZnyOz, или слой смешанного оксида индий-олова, или слой смешанного оксида индий-цинка. 10. Подложка по любому из пп.7-9, отличающаяся тем, что по меньшей мере 60% геометрической толщины подслоя составляет первый выравнивающий слой и/или по меньшей мере 60% геометрической толщины первого разделительного слоя составляет второй выравнивающий слой. 11. Подложка по любому из пп.7-10, отличающаяся тем, что первый выравнивающий слой (31) представляет собой слой на основе оксида, который является нестехиометрическим по кислороду и основан на цинке и олове SnxZnyOz и опционально легирован предпочтительно непосредственно на под- 16021647 ложке, и первый контактный слой (32) представляет собой слой на основе легированного или нелегированного оксида, который является нестехиометрическим по кислороду и основан на цинке ZnO, и/или второй выравнивающий слой (31') представляет собой слой на основе оксида, который является нестехиометрическим по кислороду и основан на цинке и олове SnxZnyOz и опционально легированным, и второй контактный слой (32') представляет собой слой на основе легированного или нелегированного оксида, который является нестехиометрическим по кислороду и основан на цинке ZnO. 12. Подложка по любому из пп.8-11, отличающаяся тем, что первый разделительный слой содержит под вторым контактным слоем и под опциональным вторым выравнивающим слоем дополнительный слой оксида металла, такого как оксид цинка, оксид олова, и/или дополнительный слой на основе нитрида кремния. 13. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что первый разделительный слой состоит из слоя или слоев, имеющих электрическое удельное сопротивление менее 107 Омсм,предпочтительно менее или равное 106 Омсм, и/или антиотражательный слой состоит из слоя или слоев,имеющих электрическое удельное сопротивление менее 107 Омсм, предпочтительно менее или равное 106 Омсм. 14. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что верхний слой (35) дополнительно выбран из слоя на основе по меньшей мере одного из следующих оксидов металла, опционально легированных: оксида хрома, оксида индия, оксида цинка опционально субстехиометрического,оксида алюминия, оксида титана, оксида молибдена, оксида циркония, оксида сурьмы, оксида олова, оксида тантала или оксида кремния, и тем, что верхний слой предпочтительно имеет толщину е 3 менее или равную 40 нм, и/или тем, что верхний слой (35) основан на тонком металлическом слое, в частности на основе никеля, платины или палладия, и связан с расположенным ниже промежуточным слоем, выполненным из одиночного или смешанного оксида металла. 15. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что первый металлический слой (30) расположен непосредственно по меньшей мере на одном первом расположенном ниже блокирующем снизу покрытии и/или непосредственно по меньшей мере под одним первым расположенным выше блокирующим сверху покрытием (33) и/или второй металлический слой (32) расположен непосредственно по меньшей мере на одном втором расположенном ниже блокирующем снизу покрытии и/или непосредственно по меньшей мере под одним вторым расположенным выше блокирующим сверху покрытием (33'), и тем, что по меньшей мере одно первое или второе блокирующее сверху (33, 33') или блокирующее снизу покрытие содержит слой металла, нитрида и/или оксида металла на основе по меньшей мере одного из следующих металлов: Ti, V, Mn, Fe, Со, Cu, Zn, Zr, Hf, Al, Nb, Ni, Cr, Mo, Та, W или на основе сплава по меньшей мере одного из указанных материалов, предпочтительно на основе Ni илиTi, на основе сплава Ni или на основе сплава NiCr. 16. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что общая толщина индийсодержащего материала в нижнем электроде меньше или равна 60 нм, предпочтительно 50 нм. 17. Органическое светоизлучающее устройство (10), включающее в себя подложку (1) по любому из пп.1-16 и ОСИД-систему (4) сверху нижнего электрода, которая излучает полихроматическое излучение, определяемое при 0 координатами (x1, y1) в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности. 18. Органическое светоизлучающее устройство (10) по п.17, отличающееся тем, что оно излучает как выходной спектр, определяемый при 0 колориметрическими координатами (х 2, у 2) в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности, так что x1-x2)2+(y1-у 2)2) меньше 0,1. 19. Органическое светоизлучающее устройство (10) по любому из пп.17, 18, отличающееся тем, что оно испускает выходной спектр, определяемый при 0 колориметрическими координатами (х 2, у 2) в CIEXYZ 1931 диаграмме хроматичности, и тем, что длина пути в CIE XYZ 1931 диаграмме хроматичности между спектром, испускаемым при 0, и спектром, испускаемым при 60, меньше или равна 0,1. 20. Органическое светоизлучающее устройство (10) по любому из пп.17-19, отличающееся тем, что оно предназначено для применения в строительстве, в частности наружное светящееся остекление, внутренняя светящаяся перегородка или светящаяся остекленная дверь (или часть двери), особенно скользящая дверь; для применения в транспортном средстве, в частности светящаяся крыша, светящееся боковое окно(или часть окна), внутренняя светящаяся перегородка наземного, водного или воздушного транспортного средства; для применения в городском или профессиональном оборудовании, таком как панель навеса автобуса, стенка счетчика дисплея или витрина магазина, стенка теплицы или светящаяся черепица; для внутреннего оборудования, такого как элемент полки или кабинета, фасад кабинета, светящийся изразец, потолок, светящаяся полка холодильника, стенка аквариума; для фоновой подсветки электронного оборудования, в частности экрана дисплея, опционально двойного экрана, такого как телевизионный или компьютерный экран, сенсорный экран; а также является осветительным зеркалом, в частности для освещения стенки ванной комнаты или рабочей поверхности кухни или для потолка.