C30B 11/00 — Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера

Печь для плавления-затвердевания с изменяющимся теплообменом через боковые стенки

Загрузка...

Номер патента: 19628

Опубликовано: 30.05.2014

Авторы: Гаранде Жан-Поль, Пеллетье Давид

МПК: C30B 11/00, C30B 33/02, C30B 35/00...

Метки: печь, стенки, плавления-затвердевания, изменяющимся, теплообменом, боковые

Формула / Реферат:

1. Печь (1) для плавления и последующего отверждения кристаллического материала (3), содержащаятигель (2), имеющий дно (4) и боковые стенки (5);боковую теплоизоляционную систему (6), расположенную по периферии тигля (2) вокруг боковых стенок (5);устройство для нагревания электромагнитной индукцией,отличающаяся тем, что боковая теплоизоляционная система (6) содержит по меньшей мере два смежных субэлемента, образующих кольцо, которое имеет вид...

Кремниевое исходное сырьё для солнечных элементов

Загрузка...

Номер патента: 9791

Опубликовано: 28.04.2008

Авторы: Энебакк Эрик, Тронстад Рагнар, Детлофф Кристиан, Фрьестад Кеннет, Захеди Кирус

МПК: C01B 33/00, C03B 13/00, C01B 33/037...

Метки: солнечных, исходное, кремниевое, сырьё, элементов

Формула / Реферат:

1. Кремниевое исходное сырье для производства получаемых направленной кристаллизацией Чохральского, зонной плавкой поликристаллических слитков, тонких листов или лент кремния для изготовления кремниевых пластин для ФЭ солнечных элементов, отличающееся тем, что оно содержит от 0,3 до 5,0 амд бора и от 0,5 до 3,5 амд фосфора, менее 50 амд элементов-металлов и менее 100 амд углерода. 2. Кремний для изготовления пластин солнечных элементов,...

Сцинтилляционное вещество (варианты)

Загрузка...

Номер патента: 9436

Опубликовано: 28.12.2007

Авторы: Загуменный Александр Иосифович, Кутовой Сергей Александрович, Заварцев Юрий Дмитриевич

МПК: C09K 11/77, C04B 35/16, C09K 11/08...

Метки: вещество, сцинтилляционное, варианты

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционное вещество на основе кристалла силиката, содержащего лютеций Lu и церий Се, отличающееся тем, что состав вещества выражается химической формулой CexLu2+2y-xSi1-yO5+y где х - от 1_10-4 до 0,02 ф.ед.; у - от 0,024 до 0,09 ф.ед. 2. Сцинтилляционное вещество по п.1, отличающееся тем, что состав вещества в виде монокристалла выражается химической формулой CexLu2,076-xSi0,962О5,038 где х - от 1_10-4 до 0,02 ф.ед. 3. Способ получения...

Получение блоков галогенидов редкоземельных металлов

Загрузка...

Номер патента: 9230

Опубликовано: 28.12.2007

Автор: Ильти Ален

МПК: C01F 17/00, C30B 11/00, C09K 11/77...

Метки: металлов, получение, галогенидов, редкоземельных, блоков

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического блока по меньшей мере 10 г галогенида формулы AeLnfX(3f+e), в которой Ln означает один или более редкоземельных металлов, X означает один или более атомов галогена, выбранных из Cl, Br или I, А означает один или более щелочных металлов, таких как K, Li, Na, Rb или Cs, e означает число, которое может быть равно 0, быть меньше или равно 3f, и f означает число, которое больше или равно 1, где упомянутый блок...

Материал-сцинтиллятор на основе редкоземельных элементов с пониженным радиоактивным фоновым шумом

Загрузка...

Номер патента: 9229

Опубликовано: 28.12.2007

Автор: Ильти Ален

МПК: C30B 15/00, G01T 1/202, C30B 11/00...

Метки: фоновым, основе, материал-сцинтиллятор, радиоактивным, шумом, элементов, пониженным, редкоземельных

Формула / Реферат:

1. Неорганический материал-сцинтиллятор формулы AnLnpX(3p+n), в которой Ln представляет собой один или более редкоземельных элементов, X представляет собой один или более атомов галогена, выбранных из F, Cl, Br или I, и А представляет собой один или более щелочных металлов, таких как K, Li, Na, Rb или Cs, n и p представляют собой такие величины, что n, которое может быть равно 0, меньше или равно 2р, и что p больше или равно 1, отличающийся тем,...