Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 23641

Опубликовано: 30.06.2016

Авторы: Форстер Максим, Айнхаус Роланд, Ловрей Юбер, Фурмон Эрванн, Стадлер Джэки

МПК: C30B 11/04

Метки: материала, полупроводникового, легирования, способ

Формула / Реферат:

1. Способ легирования полупроводникового материала, содержащий следующие этапы:обеспечение тигля (1), содержащего сырье (4) упомянутого полупроводникового материала,размещение легирующего материала (6) в закрытом расходуемом резервуаре (5а), образованном упомянутым полупроводниковым материалом,помещение резервуара (5а) в тигель (1),плавление содержимого тигля (1).2. Способ по п.1, согласно которому закрытый расходуемый резервуар (5а) выполнен...

Номер патента: 16718

Опубликовано: 30.07.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Выговский Станислав Вячеславович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Горобец Григорий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Осипов Александр Александрович

МПК: H01L 23/045

Метки: корпус, полупроводникового, мощного, прибора

Формула / Реферат:

1. Корпус мощного полупроводникового прибора, содержащий металлическое основание с закрепленным на нем термокомпенсатором, соединенное серебросодержащим припоем с обечайкой, в обечайке выполнены два сквозных отверстия для двух выводов и выемка с размещенным в ней третьим выводом, расположенная между сквозными отверстиями, в сквозных отверстиях обечайки расположены изоляторы с внутренними отверстиями, в которых размещены выводы, выполненные с...