Фурмон Эрванн
Способ легирования полупроводникового материала
Номер патента: 23641
Опубликовано: 30.06.2016
Авторы: Ловрей Юбер, Стадлер Джэки, Айнхаус Роланд, Фурмон Эрванн, Форстер Максим
МПК: C30B 11/04
Метки: полупроводникового, материала, легирования, способ
Формула / Реферат:
1. Способ легирования полупроводникового материала, содержащий следующие этапы:обеспечение тигля (1), содержащего сырье (4) упомянутого полупроводникового материала,размещение легирующего материала (6) в закрытом расходуемом резервуаре (5а), образованном упомянутым полупроводниковым материалом,помещение резервуара (5а) в тигель (1),плавление содержимого тигля (1).2. Способ по п.1, согласно которому закрытый расходуемый резервуар (5а) выполнен...