H01L 33/00 — Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
Способ изготовления линзы для установки на светодиоде
Номер патента: 19225
Опубликовано: 28.02.2014
Автор: Ван Ог Маринус Йоханнес
МПК: H01L 33/00, B29C 39/10
Метки: светодиоде, установки, линзы, изготовления, способ
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления линзы (4) для установки на светодиоде (7), размещенном на печатной плате (2, 6), содержащий этапы, на которыхобеспечивают жидкий основной акрилатный материал (9), отверждаемый под воздействием ультрафиолетового (UV) излучения и являющийся прозрачным после отверждения;обеспечивают матрицу (14), форма которой соответствует форме изготавливаемой линзы (4);причем указанную матрицу (14) изготавливают из материала, который...
Панель освещения со светоизлучающими диодами
Номер патента: 17207
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Луйк Антуан, Лефевр Юг
МПК: B32B 17/10, E06B 3/66, F21K 5/00...
Метки: диодами, освещения, светоизлучающими, панель
Формула / Реферат:
1. Панель освещения, содержащая стеклянную подложку; электропроводящий покрывающий слой; множество светоизлучающих диодов (LEDs), установленных последовательно, отличающаяся тем, что панель также содержит множество цепей освещения, обеспеченных токопроводами, образованными в электропроводящем покрывающем слое, и множеством LEDs, установленных последовательно; первую и вторую разнесенные электрические шины, причём каждая шина проходит вдоль...
Микрокристаллические и нанокристаллические структуры с низкой диэлектрической проницаемостью для применения в области высоких технологий
Номер патента: 13649
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Калем Сереф
МПК: H01L 21/28, G06F 21/00, H01L 21/20...
Метки: области, применения, проницаемостью, диэлектрической, высоких, технологий, микрокристаллические, нанокристаллические, низкой, структуры
Формула / Реферат:
1. Способ синтеза микрокристаллических и нанокристаллических структур с низкой диэлектрической проницаемостью, имеющих свойства сегнетоэлектриков и способность к излучению в оптическом диапазоне, в тефлоновом контейнере на подложках на основе германия (Ge), алмаза (С) и/или кремния (Si), включающий следующие стадии:a) заполнение тефлонового контейнера (3) смесью реагентов HF и HNO3и образование в нем паров реагентов,b) контактирование смеси с...