Мельхер Мартин
Прозрачное оконное стекло с нагреваемым покрытием
Номер патента: 25003
Опубликовано: 30.11.2016
Авторы: Мельхер Мартин, Офферманн Фолькмар, Лизински Зузанне, Шларб Андреас
МПК: H05B 3/84
Метки: стекло, нагреваемым, покрытием, прозрачное, оконное
Формула / Реферат:
1. Прозрачное оконное стекло (1), содержащее проводящее покрытие (8), которое проходит по меньшей мере по части поверхности оконного стекла, в частности по его полю обзора, при этом проводящее покрытие (8) электрически соединено по меньшей мере с двумя полосовыми проводниками (11, 12) так, что при приложении питающего напряжения по образованному между проводниками (11, 12) полю (23) нагревания проходит ток, отличающееся тем, что проводящее...
Композитное оконное стекло с электрически нагреваемым покрытием
Номер патента: 25002
Опубликовано: 30.11.2016
Авторы: Шларб Андреас, Мельхер Мартин, Лизински Зузанне, Офферманн Фолькмар
МПК: H05B 3/86, B60S 1/02, H05B 3/84...
Метки: композитное, электрически, оконное, нагреваемым, стекло, покрытием
Формула / Реферат:
1. Композитное оконное стекло (1) с электрически нагреваемым покрытием (2), включающеепо меньшей мере две стеклянные пластины (1.1, 1.2),промежуточный слой (7), который соединяет стеклянные пластины (1.1, 1.2) друг с другом,по меньшей мере одно прозрачное электропроводное покрытие (2) по меньшей мере на одной обращенной к промежуточному слою (7) стороне по меньшей мере одной из стеклянных пластин (1.1, 1.2), ипо меньшей мере две токопроводящие...
Барьерный слой для щелочных металлов на основе sioc
Номер патента: 24976
Опубликовано: 30.11.2016
Авторы: Юиньяр Арно, Тумазе Клер, Мельхер Мартин, Ланте Рафаэль
МПК: C03C 17/34, C23C 16/40
Метки: щелочных, барьерный, слой, основе, металлов
Формула / Реферат:
1. Остекление, содержащее прозрачную стеклянную подложку, содержащую ионы по меньшей мере одного щелочного металла, и прозрачный слой оксикарбида кремния (SiOxCy) общей толщиной E, включающее:(a) глубокую зону с высоким содержанием углерода, идущую от глубины P3 до глубины P4, где атомное отношение C/Si больше или равно 0,5, и(b) поверхностную зону с низким содержанием углерода, идущую от глубины P1 до глубины P2, где атомное отношение C/Si...