Элемент остекления и его применение
Формула / Реферат
1. Элемент остекления, содержащий прозрачную подложку (6), в частности стеклянную, по меньшей мере на одной из сторон которой нанесено противоотражающее покрытие, по меньшей мере, для видимого и близкого инфракрасного диапазона, выполненное в виде набора (А) тонких слоев из диэлектрического материала с попеременно высоким и низким показателями преломления, причем набор последовательно содержит
первый слой (1) с высоким показателем, у которого показатель преломления n1 при 550 нм составляет от 1,8 до 2,3 и геометрическая толщина e1 составляет от 15 до 35 нм,
второй слой (2) с низким показателем, у которого показатель преломления n2 при 550 нм составляет от 1,30 до 1,70 и геометрическая толщина e2 составляет от 15 до 35 нм,
третий слой (3) с высоким показателем, у которого показатель преломления n3 при 550 нм составляет от 1,8 до 2,3 и геометрическая толщина e3 составляет от 130 до 160 нм,
четвертый слой (4) с низким показателем, у которого показатель преломления n4 при 550 нм составляет от 1,30 до 1,70 и геометрическая толщина е4 составляет от 80 до 110 нм,
второй слой (2) с низким показателем и/или четвертый слой (4) с низким показателем выполнен на основе оксида кремния, оксинитрида и/или оксикарбида кремния, или смешанного оксида кремния и алюминия, отличающийся тем, что первый слой с высоким показателем (1) и/или третий слой с высоким показателем (3) выполнены на основе смешанного оксида цинка и олова с соотношением, выраженным в атомном процентном отношении между оловом и цинком, превышающим 1.
2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что упомянутая подложка выполнена из стекла, прозрачного или сверхпрозрачного и предпочтительно закаленного.
3. Элемент по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что набор (А) включает последовательность следующих слоев:
SnZnOx или Si3N4/SiO2/SnZnOx или Si3N4/SiO2
с соотношением Sn/Zn>1, выраженным в атомном процентном соотношении.
4. Элемент по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что первый слой с высоким показателем и/или третий слой с высоким показателем образован(ы) двойным слоем типа Si3N4/SnZnOx или SnZnOx/Si3N4.
5. Элемент по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что набор (А) включает следующую последовательность слоев:
SnZnOx/SiO2/Si3N4/SnZnOx/SiO2
с соотношением Sn/Zn>1, выраженным в атомном процентном соотношении.
6. Элемент по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что набор (А) включает следующую последовательность слоев:
SnZnOx/SiO2/SnZnOx/Si3N4/SiO2
с соотношением Sn/Zn>1, выраженным в атомном процентном соотношении.
7. Элемент по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что суммарное пропускание в диапазоне длин волн от 300 до 1200 нм составляет по меньшей мере 90%.
8. Применение элемента остекления по одному из пп.1-7 в качестве внешней прозрачной подложки солнечных модулей (10), содержащих множество солнечных элементов (9) типа поглощающего агента на основе Si или CdTe или халькопирита.
9. Солнечный модуль (10), содержащий множество солнечных элементов (9) типа Si, CIS, CdTe, a-Si, GaAs или GaInP, отличающийся тем, что в качестве внешней подложки он содержит элемент остекления по одному из пп.1-7.
10. Солнечный модуль (10) по п.9, отличающийся тем, что он дополнительно содержит вторую стеклянную подложку (6, 8), при этом солнечные элементы (9) размещены в межстекольном пространстве, которое залито отверждаемым полимером (7).
11. Способ получения подложки (6) по одному из пп.1-7, отличающийся тем, что противоотражающий набор (А) наносят катодным распылением.
Текст
Объектом изобретения является элемент остекления, содержащий прозрачную подложку(6), в частности стеклянную, содержащую по меньшей мере на одной из своих сторон противоотражающее покрытие, выполненное в виде набора тонких слоев с чередованием высокого и низкого показателей преломления. Набор отличается тем, что первый слой с высоким показателем(1) и/или третий слой с высоким преломлением (3) выполнены на основе смешанного оксида цинка и олова с соотношением, выраженным в атомном процентном отношении между оловом и цинком,превышающем 1. 017400 Изобретение касается элемента остекления, содержащего прозрачную подложку, в частности стеклянную, снабженную по меньшей мере на одной из своих сторон противоотражающим покрытием. Противоотражающие покрытия в самом простом варианте образованы тонким интерференционным слоем, показатель преломления которого находится между показателем преломления подложки и таковым воздуха, либо, в более сложных случаях, набором тонких слоев (обычно чередованием слоев на основе диэлектрических материалов с высокими и низкими показателями преломления). При самом обычном применении их используют для уменьшения светового отражения подложек для увеличения их светопередачи. Речь идет, например, об остеклениях, предназначенных для защиты табло, изготовления прилавков или магазинных витрин. Их оптимизация осуществляется с учетом только длин волн видимого диапазона. Однако оказывается, что имеется необходимость увеличить пропускание прозрачных подложек не только в видимой области, но и для особых применений. Известно, что элементы, способные собирать свет типа фотоэлектрических солнечных элементов,содержат поглощающий агент, обеспечивающий преобразование света в электрическую энергию. Трехкомпонентные халькопиритные соединения, которые могут играть роль поглощающего агента,содержат обычно медь, индий и селен. Речь идет о том, что называют слоями поглощающего агентаCISe2. К слою поглощающего агента можно также добавить галлий (например, Cu(In, Ga)Se2 илиCuGaSe2), алюминий (например, Cu(In, Al)Se2), или серу (например, CuIn(Se, S). Обычно и ниже в описании их обозначают термином - слои халькопиритного поглощающего агента. Другое семейство тонкослойных абсорбирующих агентов выполнено на основе кремния, который может быть аморфным или микрокристаллическим, либо на основе кадмиевого теллура (CdTe). Существует также другое семейство абсорбирующих агентов на основе подложек из поликристаллического кремния, нанесенного толстым слоем, составляющим от 50 до 250 мкм, в противовес использованию аморфного или микрокристаллического кремния, который нанесен тонким слоем. Для этих абсорбирующих агентов, нанесенных с помощью различных технологий, известно, что их фотоэлектрическая отдача (энергетическое преобразование) значительно уменьшается, если светопередача на весь спектр не является максимальной. Представляется предпочтительным для увеличения их отдачи оптимизировать передачу солнечной энергии через это стекло в длинах волн, которые поступают в солнечные элементы. Первое решение заключается в использовании сверхчистых стекол с очень малым содержанием оксидов железа. Речь идет, например, о стеклах, поставляемых в серии DIAMANT компанией SaintGobain Glass, или о стеклах, поставляемых в серии ALBARINO компанией Saint-Gobain Glass. Другое решение заключается в нанесении на стекло с внешней стороны противоотражающего покрытия, образованного монослоем оксида пористого кремния, при этом пористость материала позволяет уменьшить показатель преломления. Однако это покрытие в один слой не является эффективным. Кроме того, оно имеет недостаточную стойкость к влажности. Другое решение состоит в нанесении на стекло с внешней стороны отражающего покрытия из чередующихся тонких слоев диэлектрического материала с высокими и низкими показателями преломления,как это описано в заявках WO 01/94989 и WO 04/05210. Тем не менее, представляется, что противоотражающие покрытия этого типа, слои с высоким показателем преломления которых выполнены на основе смеси оксидов олова и цинка, и слои с низким показателем преломления которых выполнены на основе диоксида кремния, имеют тот основной недостаток,что они отстают от подложки, когда попадают в определенные условия и подвергаются воздействию некоторых климатических факторов (в особенности, сильной относительной влажности). Это неприятный феномен особенно проявляется в многослойных конструкциях, в которых все слои с высоким показателем преломления выполнены на основе Zn75Sn25O (выраженного в массовых процентах), Zn0,85Sn0,15O (выраженного в атомных процентах), или Zn50Sn50O (выраженного в массовых процентах) или Zn0,65Sn0,35O (выраженного в атомных процентах). Также отмечено, что оксид Zn100Sn0O (выраженный в массовых процентах) не обладает никаким гидролитическим сопротивлением и что, напротив, Zn0Sn100O (выраженный в массовых процентах) обладает этим свойством. Из этого, делая вывод и учитывая, что под действием термической обработки смешанный оксидSnZnO (обозначенный SnZnOx) остается аморфным, тогда как взятые отдельно SnO2 и ZnO при той же термической обработке имеют тенденцию кристаллизоваться, заявитель неожиданно и удивительным образом обнаружил, что особая композиция смешанного оксида, а также материала с высоким коэффициентом преломления слоев противоотражающего набора слоев (слои с низким показателем преломления выполнены из SiO2), позволяют получить очень твердый после термической обработки набор, обеспечивающий также то преимущество, что он является мало поглощающим в диапазоне длин волн между ультрафиолетом и синим, диапазоне, в котором солнечные элементы на базе кремния имеют пик эффективности энергетического преобразования. Таким образом, задачей изобретения является предложение нового противоотражающего покрытия,-1 017400 которое было бы механически твердым независимо от условий термической обработки и которое было бы способно еще больше увеличить передачу (значительно уменьшить отражение) через прозрачную подложку, на которую он нанесен, и это в широком диапазоне длин волн, в том числе одновременно в видимом, инфракрасном и даже ультрафиолетовом. Дополнительно, задачей изобретения является предложение нового противоотражающего покрытия, адаптированного для солнечных элементов. Дополнительно, задачей изобретения является предложение таких покрытий, которые были бы,кроме того, способны выдерживать термические обработки, причем это, в частности, касается случая,когда подложка-носитель выполнена из стекла, которое в конечном применении должно быть подвергнуто отжигу или закалке. Дополнительно задачей изобретения является предложение таких покрытий, которые должны быть достаточно твердыми для наружного использования. Объектом изобретения является, таким образом, элемент остекления, содержащий прозрачную подложку, в частности стеклянную, содержащую по меньшей мере на одной из своих сторон противоотражающее покрытие, в частности, по меньшей мере, в видимом или близком к нему инфракрасном диапазоне, выполненное в виде набора тонких слоев из диэлектрического материала с чередующимися высоким и низким коэффициентами преломления, содержащее последовательно: первый слой с высоким показателем, показатель преломления n1 при 550 нм составляет от 1,8 до 2,3, при этом геометрическая толщина слоя е 1 составляет от 15 до 35 нм,второй слой с высоким показателем, показатель преломления n2 при 550 нм составляет от 1,30 до 1,70, при этом геометрическая толщина е 2 составляет от 15 до 35 нм,третий слой с высоким показателем, показатель преломления n3 при 550 нм составляет от 1,8 до 2,3,при этом геометрическая толщина е 3 составляет от 130 до 160 нм,четвертый слой с низким показателем, показатель преломления n4 при 550 нм составляет от 1,30 до 1,70, при этом геометрическая толщина е 4 составляет от 80 до 110 нм,второй слой с низким показателем или четвертый слой с низким показателем выполнен на основе оксида кремния, оксинитрида или оксикарбида кремния или смешанного оксида кремния и алюминия, и в котором первый слой с высоким показателем и/или третий слой с высоким показателем (3) выполнены на основе смеси оксидов цинка и олова с соотношением, выраженным в атомном процентном соотношении между оловом и цинком, превышающим 1, или на основе нитрида кремния. В описании изобретения под слоем понимают либо единственный слой, либо набор слоев, каждый из которых имеет соответствующий ему показатель преломления и где сумма их геометрических толщин остается также величиной, соответствующей рассматриваемому слою. В соответствии с изобретением слои выполнены из диэлектрического материала, в частности, типа оксида или нитрида, как это будет детально описано в дальнейшем. Однако не исключается, что по меньшей мере один из них будет изменен так, чтобы стать, по меньшей мере, несколько проводящим,например, путем легирующей примеси металлического оксида, например, для придания, в случае необходимости противоотражающему покрытию также антистатической функции. Изобретение касается предпочтительно стеклянных подложек, но может использоваться также с прозрачными подложками на основе полимера, например из поликарбоната. Изобретение касается, таким образом, противоотражательного набора четырехслойного типа. Это является хорошим компромиссом, так как число слоев достаточно велико для того, чтобы их противоотражающее взаимодействие позволяло получить значительный противоотражающий эффект. Однако такое количество остается весьма достаточным для того, чтобы можно было изготавливать изделие в крупных масштабах на промышленной линии, на подложках больших размеров, например, с использованием техники осаждения в вакууме методом катодного распыления (с использованием магнитного поля). Критерии выбора композиции материала, образующего слои с высоким показателем преломления,используемые в изобретении, позволяют получить противоотражающий эффект, стойкий, с широкой полосой пропускания, со значительным увеличением пропускания подложки-носителя, не только в видимой области, но и вне ее, от ультрафиолета до близкой инфракрасной. Речь идет о противоотражающем покрытии, эффективном в диапазоне длин волн по меньшей мере от 300 до 1200 нм. Наиболее подходящими материалами для образования первого и/или третьего слоя с высоким показателем, являются материалы на основе оксида(ов) металла(ов), выбранных из оксида цинка ZnO, оксида олова SnO2. Можно также говорить о смешанном оксиде Zn и Sn, типа станната цинка, и в соответствии с соотношением Sn/Zn (выраженным в атомном процентном соотношении), превышающим 1. Они могут быть также на основе нитрида(ов) кремния Si3N4. Использование слоя нитрида для того или другого из слоев с высоким показателем, в частности по меньшей мере третьего, позволяет добавить функциональность набору, а именно способность лучше выдерживать термические обработки без значительного ухудшения его оптических свойств для толщин, меньших 100 нм. Таким образом, именно функциональность является важной для стекол, которые должны являться частью солнечных элементов, так как эти стекла должны выдерживать термическую обработку при высокой температуре, типа закалки, когда стекла должны быть нагреты до 500-700 С. Становится, таким образом, предпочтительной возможность-2 017400 беспроблемно нанести тонкие слои перед термической обработкой, так как в промышленном плане проще нанести покрытия перед термической обработкой. Можно также иметь единственную конфигурацию противоотражательного покрытия, чтобы стекло-носитель было или нет предназначено для того, чтобы подвергнуться термической обработке. В соответствии с другой характеристикой изобретения первый и/или третий слой, т.е. слои с высоким показателем, могут быть действительно образованы наложением нескольких слоев с высоким показателем. Особенно речь может идти о двойном слое типа SnZnO/Si3N4 или Si3N4/SnZnO. Таким образом,первый слой с высоким показателем и/или третий слой с высоким показателем могут быть образованы исключительно из смешанного оксида цинка и олова, или двухслойными вышеупомянутого типа с соотношением, выраженным в атомном процентном отношении между оловом и цинком, превышающим 1. Преимущество заключается в следующем: Si3N4 обладает, по существу, меньшей поглощающей способностью, чем смешанный оксид олова и цинка, что позволяет при общей одинаковой толщине объединить преимущества жесткости набора и оптических свойств. В частности, для третьего слоя, который является наиболее толстым и наиболее важным для защиты набора от возможных разрушений вследствие термической обработки, может быть интересным раздвоить слой таким образом, чтобы сделать точной достаточную толщину Si3N4 для получения эффекта защиты от необходимых термических обработок и оптически дополнить слой смешанным оксидом цинка и свинца типа станната цинка. Наиболее подходящими материалами для второго и/или четвертого слоев, слоев с низким показателем, являются материалы на базе оксида кремния и/или оксикарбида кремния, или также на базе смешанного оксида кремния и алюминия. Такой смешанный оксид стремится иметь лучшую прочность, в частности химическую, чем чистый SiO2 (пример этого представлен в патенте ЕР-791562). Можно уточнить соответствующее соотношение двух оксидов для получения увеличения ожидаемой твердости без значительного увеличения показателя преломления слоя. Стекло, выбранное для подложки, покрытой набором по изобретению или для других подложек,которые подходят для формирования остекления, может быть, в частности, например, сверхпрозрачным типа "Diamant" (в частности, бедным оксидами железа), или, например, сверхпрозрачным ламинированным стеклом типа "Albarino", или являться прозрачным стандартным кремниевым содо-кальциевым стеклом типа "Planilux" (три типа стекол, поставляемых фирмой Saint-Gobain Vitrage). Особо интересные примеры покрытий по изобретению содержат последовательности следующих слоев:- SnZnOx/SiO2/SnZnOx/SiO2 при Sn/Zn1, выражено в атомном процентном соотношении,- SnZnOx/SiO2/Si3N4+SnZnOx/SiO2 при Sn/Znl, выражено в атомном процентном соотношении,- SnZnOx/SiO2/SnZnOx+Si3N4/SiO2 при Sn/Znl, выражено в атомном процентом соотношении. Подложки стеклянного типа, в частности сверхпрозрачные, имеющие такой тип набора, могут также достичь интегральных значений пропускания от 300 до 1200 нм по меньшей мере в 90%, в частности для толщин, составляющих от 2 до 8 мм. Объектом изобретения являются также подложки с покрытием по изобретению, а также внешние подложки для солнечных элементов, включающие поглощающий агент на основе Si или CdTe или халькопиритовый агент (в частности, CIS). На рынок этот тип продукта обычно выпускается в форме солнечных элементов, установленных последовательно и размещенных между двумя жесткими прозрачными подложками типа стекла. Элементы удерживаются между подложками полимерным материалом (или несколькими). В соответствии с предпочтительным вариантом воплощения изобретения, который описан в патенте ЕР 0739042, солнечные элементы могут быть размещены между двумя подложками, затем полое пространство между ячейками заливается текучим полимером, способным отверждаться, в особенности на основе полиуретана,полученного в результате реакции форполимера алифатического изоцианата и полиэфирполиола. Отверждение полимера может осуществляться в горячем состоянии (30-50 С) и, при необходимости, при легком давлении, например, в автоклаве. Могут быть использованы другие полимеры, как винилацетат этилена EVA, возможны также другие виды монтажа (например, размещение элементов в наборе слоев между двумя стеклами с помощью одного или нескольких листов термопластического полимера). Именно совокупность подложек, полимера и солнечных элементов обозначают и продают под названием солнечный модуль. Объектом изобретения являются также упомянутые модули. С подложкой, выполненной по изобретению, солнечные модули могут повысить их отдачу на несколько процентов по меньшей мере 1, 1,5 или 2% и даже больше (выраженную в суммарной плотности тока) по сравнению с модулями, использующими одинаковую подложку, но лишенную покрытия. Когда известно, что солнечные модули продаются не квадратными метрами, а по выдаваемой электрической мощности (приблизительно можно считать, что квадратный метр солнечной ячейки может выдать примерно 130 Вт), каждый процент дополнительной отдачи увеличивает электрическую производительность, и, таким образом, цену солнечного модуля заданного размера. Объектом изобретения является также способ изготовления стеклянных подложек с противоотра-3 017400 жающим покрытием (А) по изобретению. Способ заключается в последовательном нанесении совокупности слоев с помощью вакуумной технологии, в частности, катодным распылением в магнитном поле или коронном разряде. Таким образом, можно нанести оксидные слои путем реактивного распыления необходимого металла в присутствии кислорода и слои нитрида в присутствии азота. Для получения SiO2 или Si3N4 можно использовать мишень из кремния, которую слегка легируют таким металлом, как алюминий, чтобы сделать ее достаточно проводящей. Для слоев на основе смешанного оксида цинка и олова в присутствии кислорода можно использовать способ совместного распыления мишеней, соответственно, из цинка и олова, или способ распыления мишени на основе желаемой смеси олова и цинка также в присутствии кислорода. Возможно также, как это уточняет WO 97/43224, чтобы часть слоев набора была нанесена техникой горячего осаждения типа CVD (химическое осаждение из паровой фазы), при этом остальной набор наносится холодным катодным распылением. В дальнейшем изобретение поясняется нижеследующим описанием, не являющимся ограничительным, со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых фиг. 1 изображает подложку, снабженную четырехслойным противоотражающим покрытием А по изобретению,фиг. 2 - солнечный модуль, включающий подложку по фиг. 1. Фиг. 1 весьма схематично изображает в разрезе стекло 6, на котором размещено противоотражающее покрытие (А) с четырьмя слоями 1, 2, 3, 4. Пример 1. В этом примере используемый противоотражающий набор является следующим: Пример 1 представляет первый пример из известного уровня техники. Пример 2. В этом примере представлено следующее противоотражающее покрытие: Пример 2 представляет второй пример из известного уровня техники с соотношением Sn/Zn (выраженным в атомном процентном соотношении), равным 0,18 Пример 3. В этом примере представлено следующее противоотражающее покрытие: Пример 3 представляет третий пример из известного уровня техники с соотношением Sn/Zn (выраженным в атомном процентном соотношении), равным 0,55. Противоотражающее покрытие с 4-мя слоями в этих примерах нанесено на подложку 6 из сверх-4 017400 прозрачного стекла толщиной в 4 мм из упомянутой серии DIAMANT. Примеры 4, 5, 6 являются примерами по изобретению. Пример 4. В этом примере используемое антиотражающее покрытие является следующим: Пример 4 представляет пример по изобретению с соотношением Sn/Zn (выраженным в атомном процентном соотношении), равным 1,65. Пример 5. В этом примере противоотражающим покрытием является следующее: Пример 5 представляет другой пример по изобретению с соотношением Sn/Zn (выраженным в атомном процентном соотношении), равным 1,65. Третий слой является двойным слоем, содержащим слой нитрида кремния, покрытый слоем смешанного оксида цинка и олова в соответствии с указанным ранее соотношением Sn/Zn. Пример 6. В этом примере противоотражающим покрытием является следующее: Пример 6 представляет еще один пример по изобретению с соотношением Sn/Zn (выраженным в атомном процентном соотношении), равным 1,65. Третий слой является двухслойным, содержащим слой смешанного оксида цинка и олова в соответствии с представленным ранее соотношением Sn/Zn, покрытый ранее нитридом кремния. В примерах 5 и 6 слой (3) содержит 100 нм SnZnO и 50 нм Si3N4. Ниже представлена сводная таблица, дающая для 6 примеров результаты теста НН после термической обработки (например, закалки). Ниже дается описание теста НН. Этот тест является тестом на сопротивление влажному теплу. Он позволяет определить, способен ли образец длительно выдержать проникновение влажности. Были использованы следующие жесткие условия: температура испытания: 85 С 2 С; относительная влажность: 85%5%; продолжительность испытания: 1000 ч. Условия надежности испытания После теста не должны появиться большие видимые дефекты. Образец, таким образом, признается годным (ОК). Другой тест на надежность образцов заключается в том, что стекло с нанесенным слоем подвергают при постоянной температуре воздействию влажной нейтральной солевой атмосферы (Норма EN 1086). Нейтральный солевой раствор получают путем растворения NaCl, имеющего удельную проводимость,меньшую 30 мкS, ДЛЯ получения концентрации в 50 г/л (5) при 25 С (2). Продолжительность теста составляет 21 день. Как ранее было указано, после теста не должно быть больших видимых дефектов. Стекла с противоотражающим покрытием по примерам 4, 5, 6 установлены в качестве внешних стекол солнечных модулей. Фиг. 2 весьма схематично изображает солнечный модуль 10 по изобретению. Модуль 10 выполнен следующим образом: стекло 6, снабженное противоотражающим покрытием (А),соединено со стеклом 8, называемым внутренним стеклом. Это стекло 8 выполнено из закаленного стекла 4 мм толщиной типа прозрачного сверхпрозрачного ("Planidur DIAMANT"). Солнечные элементы 9 размещены между двух стекол, между которыми заливают отверждаемый полимер 7 на основе полиуретана в соответствии с рекомендациями ранее упомянутого патента ЕР 0739042. Каждый солнечный элемент 9 выполнен известным образом из кремниевой подложки, образующей р-n переход, и передний и задний печатные электрические контакты. Кремниевые солнечные элементы могут быть заменены солнечными элементами, использующими другие полупроводники (например, на основе халькопиритового вещества типа, например, на основе CIS, a-Si, GaAs, GalnP). Настоящее изобретение представляет собой усовершенствование международных заявок на патентWO 0003209 и WO 0194989, которые относятся к противоотражательным покрытиям, предназначенным для оптимизации противоотражательного эффекта при неперпендикулярном падении лучей в видимом диапазоне (в частности, используемых для ветрового стекла автомобилей). Характеристики (природа слоев, показатель, толщина) действительно близки к ранее описанным характеристикам. Предпочтительно покрытия по настоящему изобретению имеют, однако, слои, толщины которых меньше и, в частности,отобраны для предпочтительного использования в области солнечных элементов. В частности, более толстый третий слой (обычно по крайней мере 120 нм и не более 120 нм), состав которого, в частности,соотношение Sn/Zn смешанного оксида цинка и олова, выраженное в атомном процентном отношении,превышающее 1, позволяет получить более твердые наборы. Таким образом, благодаря такому особому отбору становится возможным получить слои, которые со временем не расслаиваются даже после закалки. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ 1. Элемент остекления, содержащий прозрачную подложку (6), в частности стеклянную, по меньшей мере на одной из сторон которой нанесено противоотражающее покрытие, по меньшей мере, для видимого и близкого инфракрасного диапазона, выполненное в виде набора (А) тонких слоев из диэлектрического материала с попеременно высоким и низким показателями преломления, причем набор последовательно содержит первый слой (1) с высоким показателем, у которого показатель преломления n1 при 550 нм составляет от 1,8 до 2,3 и геометрическая толщина e1 составляет от 15 до 35 нм,-6 017400 второй слой (2) с низким показателем, у которого показатель преломления n2 при 550 нм составляет от 1,30 до 1,70 и геометрическая толщина e2 составляет от 15 до 35 нм,третий слой (3) с высоким показателем, у которого показатель преломления n3 при 550 нм составляет от 1,8 до 2,3 и геометрическая толщина e3 составляет от 130 до 160 нм,четвертый слой (4) с низким показателем, у которого показатель преломления n4 при 550 нм составляет от 1,30 до 1,70 и геометрическая толщина е 4 составляет от 80 до 110 нм,второй слой (2) с низким показателем и/или четвертый слой (4) с низким показателем выполнен на основе оксида кремния, оксинитрида и/или оксикарбида кремния, или смешанного оксида кремния и алюминия, отличающийся тем, что первый слой с высоким показателем (1) и/или третий слой с высоким показателем (3) выполнены на основе смешанного оксида цинка и олова с соотношением, выраженным в атомном процентном отношении между оловом и цинком, превышающим 1. 2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что упомянутая подложка выполнена из стекла, прозрачного или сверхпрозрачного и предпочтительно закаленного. 3. Элемент по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что набор (А) включает последовательность следующих слоев:SnZnOx или Si3N4/SiO2/SnZnOx или Si3N4/SiO2 с соотношением Sn/Zn1, выраженным в атомном процентном соотношении. 4. Элемент по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что первый слой с высоким показателем и/или третий слой с высоким показателем образован(ы) двойным слоем типа Si3N4/SnZnOx илиSnZnOx/Si3N4. 5. Элемент по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что набор (А) включает следующую последовательность слоев:SnZnOx/SiO2/Si3N4/SnZnOx/SiO2 с соотношением Sn/Zn1, выраженным в атомном процентном соотношении. 6. Элемент по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что набор (А) включает следующую последовательность слоев:SnZnOx/SiO2/SnZnOx/Si3N4/SiO2 с соотношением Sn/Zn1, выраженным в атомном процентном соотношении. 7. Элемент по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что суммарное пропускание в диапазоне длин волн от 300 до 1200 нм составляет по меньшей мере 90%. 8. Применение элемента остекления по одному из пп.1-7 в качестве внешней прозрачной подложки солнечных модулей (10), содержащих множество солнечных элементов (9) типа поглощающего агента на основе Si или CdTe или халькопирита. 9. Солнечный модуль (10), содержащий множество солнечных элементов (9) типа Si, CIS, CdTe, aSi, GaAs или GaInP, отличающийся тем, что в качестве внешней подложки он содержит элемент остекления по одному из пп.1-7. 10. Солнечный модуль (10) по п.9, отличающийся тем, что он дополнительно содержит вторую стеклянную подложку (6, 8), при этом солнечные элементы (9) размещены в межстекольном пространстве, которое залито отверждаемым полимером (7). 11. Способ получения подложки (6) по одному из пп.1-7, отличающийся тем, что противоотражающий набор (А) наносят катодным распылением.
МПК / Метки
МПК: G02B 1/11, H01L 31/0216
Метки: применение, остекления, элемент
Код ссылки
<a href="https://eas.patents.su/9-17400-element-ostekleniya-i-ego-primenenie.html" rel="bookmark" title="База патентов Евразийского Союза">Элемент остекления и его применение</a>
Предыдущий патент: Газожидкостный сепаратор
Следующий патент: Устройство для установки железнодорожных рельсов на основании
Случайный патент: Пневмоподатчик (варианты)