Элемент остекления
Формула / Реферат
1. Элемент остекления, содержащий прозрачную подложку, снабженную тонкопленочным стеком, содержащим совокупность слоев, отличающийся тем, что указанный тонкопленочный стек содержит по меньшей мере три слоя из серебра, при этом каждый слой из серебра располагается между по меньшей мере одним нижним диэлектрическим слоем на основе ZnO и одним верхним диэлектрическим слоем на основе Si3N4, AlN или на основе смеси этих двух соединений для формирования для каждого функционального слоя следующей структуры: ZnO/Ag/...ZnO/Si3N4, и предпочтительно следующей структуры: ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4, при этом упомянутый стек имеет удельное поверхностное сопротивление слоя R<1,5 W на квадрат и упомянутая подложка способна выдержать по меньшей мере одну тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500°C.
2. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что имеет величину пропускания света Tl³70%.
3. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что имеет величину пропускания света Tl³40%.
4. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что имеет величину пропускания света Tl³40% и удельное поверхностное сопротивление слоя R£1,1 W на квадрат.
5. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что подложка включает по меньшей мере четыре слоя из серебра.
6. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что общая толщина слоев из серебра превышает или равна 25 нм и предпочтительно составляет от 35 до 50 нм в том случае, если стек содержит три слоя из серебра, и от 28 до 64 нм в том случае, если стек содержит по меньшей мере четыре слоя из серебра.
7. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что упомянутые диэлектрические слои на основе ZnO являются легированными алюминием.
8. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что подложка непосредственно покрыта слоем на основе Si3N4, AlN или на основе смеси этих двух соединений.
9. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что по меньшей мере для одного слоя из серебра и предпочтительно для каждого слоя из серебра верхний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, расположен между указанным слоем из серебра и по меньшей мере одним верхним диэлектрическим слоем.
10. Элемент остекления по любому из пп.1-9, отличающийся тем, что по меньшей мере для одного слоя из серебра и предпочтительно для каждого слоя из серебра нижний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, расположен между по меньшей мере одним нижним диэлектрическим слоем и указанным слоем из серебра.
11. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что составляющие слои в упомянутой структуре в случае трехслойного стека имеют следующую толщину: ZnO/Ag/...ZnO/Si3N4и предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 5-15/10-17/... 5-15/25-65 нм, предпочтительно 5-15/10-17/0,2-3/5-15/25-65 нм.
12. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что составляющие слои в упомянутой структуре в случае четырехслойного стека имеют следующую толщину: ZnO/Ag/...ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 5-15/7-15/... 5-15/23-65 нм, предпочтительно 5-15/7-15/0,2-3/5-15/23-65 нм.
13. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что указанная подложка выполнена из стекла.
14. Способ изготовления элемента остекления, содержащего прозрачную подложку, в частности, изготовленную из стекла, снабженную тонкопленочным стеком, содержащим совокупность слоев из серебра, отличающийся тем, что располагают по меньшей мере три слоя из серебра на упомянутой подложке и для каждого слоя из серебра по меньшей мере один нижний диэлектрический слой на основе ZnO распологается под указанным слоем из серебра и верхний диэлектрический слой на основе Si3N4, AlN или на основе смеси этих двух соединений располагается на указанном слое из серебра для формирования для каждого слоя из серебра следующей структуры: ZnO/Ag/...ZnO/Si3N4, и предпочтительно следующей структуры: ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4, при этом упомянутый стек имеет удельное поверхностное сопротивление слоя R<1,5 W на квадрат и упомянутая подложка выполнена с возможностью выдержать по меньшей мере одну тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500°C.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что размещают по меньшей мере четыре слоя из серебра на упомянутой подложке.
16. Способ по п.14 или 15, отличающийся тем, что общая толщина размещенных слоев из серебра превышает или равна 25 нм и предпочтительно составляет от 35 до 50 нм в том случае, если стек включает три слоя из серебра, и от 28 до 64 нм в том случае, если стек включает по меньшей мере четыре слоя из серебра.
17. Способ по любому из пп.14-16, отличающийся тем, что упомянутые диэлектрические слои на основе ZnO являются легированными алюминием.
18. Способ по любому из пп.14-17, отличающийся тем, что покрывают упомянутую подложку непосредственно слоем на основе Si3N4, AlN или на основе смеси этих двух соединений.
19. Способ по любому из пп.14-18, отличающийся тем, что по меньшей мере для одного слоя из серебра, предпочтительно для каждого слоя из серебра, располагают верхний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, поверх слоя из серебра и по меньшей мере под одним верхним диэлектрическим слоем.
20. Способ по любому из пп.14-19, отличающийся тем, что по меньшей мере для одного слоя из серебра, предпочтительно для каждого слоя из серебра, располагают нижний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, по меньшей мере поверх одного нижнего диэлектрического слоя и под слоем из серебра.
21. Способ по п.14, отличающийся тем, что составляющие слои в структуре в случае трехслойного стека имеют следующую толщину: ZnO/Ag/...ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N45-15/10-17/... 5-15/25-65 нм, предпочтительно 5-15/10-17/0,2-3/5-15/25-65 нм.
22. Способ по п.14, отличающийся тем, что составляющие слои в упомянутой структуре в случае четырехслойного стека имеют следующую толщину: ZnO/Ag/...ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N45-15/7-15/... 5-15/23-65 нм, предпочтительно 5-15/7-15/0,2-3/5-15/23-65 нм.
23. Способ по любому из пп.14-22, отличающийся тем, что слои из серебра наносят, пропуская упомянутую подложку несколько раз через одну производственную установку.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что в том случае, когда упомянутый стек включает четыре слоя из серебра, слои из серебра наносят парами, пропуская упомянутую подложку дважды через одну производственную установку.
25. Способ по п.24, отличающийся тем, что толщина нанесенных слоев из серебра, по существу, одинакова во время каждого из двух проходов.
26. Способ по любому из пп.14-25, отличающийся тем, что в том случае, когда подложка подвергается операции трансформации, включающей тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500°C, ее удельное поверхностное сопротивление слоя R предпочтительно снижается по меньшей мере на 10% или даже по меньшей мере на 15%.
27. Остекление с целью теплового контроля, и/или электромагнитного экранирования, и/или нагревания, включающее по меньшей мере один элемент остекления по любому из пп.1-13.
28. Применение элемента остекления по любому из пп.1-13 для осуществления, альтернативно или кумулятивно, теплового контроля, и/или электромагнитного экранирования, и/или нагревания для плавления льда или для испарения конденсата.
Текст
Предметом данного изобретения является элемент остекления, содержащий прозрачную подложку, снабженную блоком, включающим множество функциональных слоев, отличающийся тем,что упомянутый тонкопленочный блок включает по меньшей мере три функциональных слоя на основе серебра, тем, что упомянутый блок имеет удельное поверхностное сопротивление слояR1,5 на квадрат, и тем, что упомянутая подложка способна выдержать по меньшей мере одну операцию трансформации, включающую тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C, таким образом обеспечивая осуществление при помощи упомянутой подложки, альтернативно или кумулятивно, теплового контроля и/или электромагнитного экранирования и/или нагревания. 015109 Изобретение относится к области застекления, которое может быть использовано альтернативно или кумулятивно в трех случаях, а именно, тепловой контроль (солнечный контроль и тепловая изоляция), электромагнитное экранирование и нагретые окна, и при этом предпочтительно способно выдержать по меньшей мере одну операцию трансформации, включающую тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C (в частности, это может быть термическое улучшение, отжиг или сгибание). Тепловой контроль представляет собой возможность воздействия на солнечное излучение и/или длинноволновое инфракрасное излучение, проходящее через застекление, которое отделяет наружную среду от внутренней среды и предназначено либо для наружного отражения солнечного излучения (застекление для "солнечного контроля"), либо для внутреннего отражения инфракрасного излучения,имеющего длину волны более 5 мкм (тепловая изоляция при помощи застекления, называемая, в частности, "застеклением с низкой эмиссионной способностью"). Электромагнитное экранирование представляет собой возможность устранения или, по меньшей мере, снижения уровня прохождения электромагнитных волн через застекление. Такую возможность часто сочетают с возможностью воздействия на инфракрасное излучение, проходящее через застекление. Подобное экранирование может быть наилучшим образом использовано в области электроники, особенно при производстве экранированных электромагнитным образом окон, также называемых "электромагнитными фильтрами", предназначенными, например, для размещения на лицевой панели экрана дисплея с использованием плазменной технологии. Нагретое окно представляет собой окно, температура которого может подниматься при пропускании через него электрического тока. Окно такого типа может быть использовано в автомобилях или даже в зданиях для получения оконных стекол, предотвращающих образование или устраняющих обледенение или запотевание, либо устраняющих ощущение холодной стены в районе остекления. Более конкретно настоящее изобретение касается прозрачной подложки, в частности, изготовленной из стекла, снабженного тонкопленочным стеком, включающим множество функциональных слоев,которая (подложка) может быть использована, альтернативно или кумулятивно, для теплового контроля,электромагнитного экранирования и нагретых окон. Известно получение тонкопленочных стеков для обеспечения теплового контроля, более конкретно,солнечного контроля, способных одновременно сохранять свои тепловые свойства и свои оптические свойства после тепловой обработки, при этом сводя к минимуму возникновение оптических дефектов, до настоящего времени характеризуемых тем, что они снабжены тонкопленочными стеками постоянного оптического/теплового действия, независимо от того, подвергаются ли они в дальнейшем одной или более тепловой обработке. Первое решение данной проблемы было предложено в заявке на Европейский патентEP 718250. Оно заключалось в использовании, поверх функционального слоя (слоев) на основе серебра, кислороднодиффузионных граничных (барьерных) слоев, особенно слоев на основе нитрида кремния, и прямом осаждении серебряных слоев на субприлежащее диэлектрическое покрытие без использования заливочных слоев или металлических защитных слоев. В частности, в данной патентной заявке описан блок следующего типа: подложка/Si3N4 или AlN/ZnO/Ag/Nb/ZnO/Si3N4. Второе решение было предложено в заявке на Европейский патентEP 847965. Оно основано на использовании стеков, включающих два серебряных слоя, и описывает использование как граничного слоя поверх серебряных слоев (известного ранее), так и абсорбента или стабилизирующего слоя, прилежащего к упомянутым серебряным слоям и обеспечивающего их стабилизацию. В частности, в данной патентной заявке описан блок следующего типа: подложка/SnO2/ZnO/Ag1/Nb/Si3N4/ZnO/Ag2/Nb/SnO2/Si3N4. В двух вышеупомянутых решениях необходимо отметить, что присутствие абсорбирующего,"верхнего блокирующего" металлического слоя, в данном случае состоящего из ниобия или даже титана,на серебряных слоях предотвращает возможность контакта серебряных слоев с окисляющей или азотирующей реакционноспособной атмосферой во время осаждения путем реакционноспособного напыления слоя SnO2 или слоя Si3N4, соответственно. Третье решение было описано в заявке на международный патентWO 03/01105. Оно включает нанесение абсорбирующего, "блокирующего" металлического слоя не на (или каждый) функциональный слой, а под ним таким образом, чтобы позволить функциональному слою стабилизироваться во время тепловой обработки и улучшить оптические свойства стека после тепловой обработки. В частности, в данной патентной заявке описан стек следующего типа: подложка/Si3N4/ZnO/TI/Ag1/ZnO/Si3N4/ZnO/Ti/Ag2/ZnO/Si3N4. Однако в рамках указанных диапазонов толщины такой блок не может быть использован для получения нагретого окна или экранированного электромагнитным образом окна, имеющего приемлемый внешний вид (оптические характеристики). Известны из уровня техники также тонкопленочные стеки на подложке, которые могут быть использованы для теплового контроля и для нагретых окон при воздействии на них электрического тока. Например, в заявке на международный патентWO 01/14136 описан стек, включающий двойной слой-1 015109 серебра, выдерживающий тепловую обработку с целью термического улучшения, который может быть использован для солнечного контроля и для получения теплоты при воздействии на него электрического тока. Однако удельное сопротивление такого стека не позволяет достичь истинной эффективности электромагнитного экранирования, поскольку его удельное поверхностное сопротивление слоя R не может приблизиться и, априори, быть ниже 1,5 Ом на квадрат (/) или R. Кроме того, при нагревании окон в автомобилях такое высокое удельное поверхностное сопротивление слоя (/) требует использования батареи с высоким напряжением на ее полюсах (около 42 В,стандартное напряжение, предлагаемое на рынке) с целью обеспечения нагревания по всей высоте окна. Конкретно, в соответствии с формулой P(W) =U2/ (Rxh2), если удельное поверхностное сопротивление слоя R=1,5 Ом на квадрат (/), для достижения P=600 W/м 2 (расчетная мощность, рассеиваемая для правильного нагревания) и получения высоты h0,8 метров необходимо, чтобы U24 В. Известно также получение тонкопленочных стеков для электромагнитного экранирования с использованием подложки, снабженной электромагнитным защитным стеком, обеспечивающим хорошую электромагнитную защиту и позволяющим пользователю легко видеть изображение на дисплее благодаря высокому коэффициенту пропускания света вместе с низким коэффициентом отражения. В заявке на международный патентWO 01/812 62 также описан стек для обеспечения электромагнитного экранирования следующего типа: подложка/Si3N4/ZnO/Ag1/Ti/Si3N4/ZnO/Ag2/Ti/ZnO/Si3N4. Такой стек способен выдержать тепловую обработку с целью термического улучшения или сгибания. Однако такой стек не обеспечивает достижение удельного поверхностного сопротивления слоя(/), намного меньшее 1,8 Ом на квадрат с предположительно приемлемыми оптическими характеристиками (TL, RL, цвет и т.д.) и особенно видимым низким световым отражением RL. Стеки на основе серебряной пленки получают в очень сложных производственных установках. Основной недостаток известных способов заключается в том, что производственная линия должна быть подвергнута существенной модификации при желании использовать ее для размещения на подложке тонкопленочного стека, имеющего иное назначение, чем стек, производившийся ранее на данной линии. В целом, такая операция продолжается от нескольких часов до нескольких дней, является утомительной и требует весьма существенных финансовых затрат, поскольку во время такого переходного/наладочного периода застекление невозможно. В частности, в каждом случае, когда материал изделия отличается от одного продукта к другому,перед заменой объекта в камере должно быть восстановлено атмосферное давление, затем воздух должен быть выкачан до вакуума (порядка 106 бар), что, без сомнения, требует много времени и является утомительным. Поэтому целью данного изобретения является устранение упомянутых недостатков путем использования подложки с тонкопленочным стеком и способа изготовления такой подложки, позволяющего получить продукт, который может быть использован, альтернативно или кумулятивно, для теплового контроля, и/или электромагнитного экранирования и/или нагревания. В частности, целью данного изобретения является обеспечение возможности получения широкого ряда продуктов без необходимости открывать установку для нанесения слоев при замене объекта, чтобы сэкономить время, необходимое для удаления атмосферы, и, прежде всего, время для восстановления вакуума в установке после замены объекта. Таким образом, настоящее изобретение предлагает конкретный стек, определяемый с точки зрения состава различных слоев и их толщины, который может быть использован для всех перечисленных видов использования одновременно, а также вид стека, определяемый с точки зрения состава различных слоев,диапазонов толщины и/или оптических характеристик, в которых определенные значения толщины благоприятствуют использованию по определенному назначению. Такой стек примечателен тем, что он имеет низкое удельное поверхностное сопротивление слоя (R1,5 или даже 1,3 на квадрат) и при этом, по существу, сохраняет свои свойства при тепловой обработке типа сгибания или термического улучшения. Таким образом, благодаря такому типу стека согласно данному изобретению, при изготовлении стеков, предназначенных для одного конкретного назначения или всего лишь для двух конкретных назначений, или трех конкретных назначений, один или более параметров могут быть изменены, например толщина определенных слоев, но состав обычно остается одинаковым. Таким образом, достаточно нескольких часов для модификации производственной линии и переключения с производства продукта,имеющего одно или более предпочтительных назначений, на другой продукт, имеющий одно или более других предпочтительных назначений. Таким образом, объектом настоящего изобретения является прозрачная подложка, предпочтительно изготовленная из стекла, согласно п.1 формулы изобретения. Такая подложка снабжена тонкопленочным стеком, включающим множество функциональных слоев, при этом упомянутый тонкопленочный стек включает по меньшей мере три функциональных слоя и имеет удельное поверхностное сопротивлениеR1,5 или даже 1,3 на квадрат, а упомянутая подложка способна выдержать по меньшей мере одну-2 015109 операцию трансформации, включающую тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C таким образом, чтобы обеспечить при помощи подложки, альтернативно или кумулятивно, тепловой контроль и/или электромагнитное экранирование, и/или нагревание. Выражение "упомянутая подложка подвергается по меньшей мере одной операции трансформации,включающей тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C", означает, что такая обработка не ухудшает оптические свойства и не вызывает точечной коррозии, видимой невооруженным глазом, и/или помутнение при прохождении при осуществлении операций по сгибанию, термическому улучшению или отжигу при температуре по меньшей мере 500 или более 500C. Более того, заявленное удельное поверхностное сопротивление R слоя, при отсутствии иных указаний, измеряют до такой необязательной тепловой обработки. В соответствии с первым видом применения, для изготовления автомобильных окон, подложка согласно данному изобретению имеет величину пропускания света TL70% и удельное поверхностное сопротивление слоя R1,5 или даже 1,3, или еще лучше 1,2 на квадрат. В соответствии со вторым видом применения, для изготовления строительных окон, прозрачная подложка согласно данному изобретению имеет величину пропускания света TL40% или даже 50%,предпочтительно, с отражением света в видимом спектре RL10% или даже 8%, и при ее сочетании по меньшей мере с одной другой подложкой для получения комплекта для застекления такой комплект имеет избирательность 2 или даже 2. Напомним, что избирательность определяется отношением величины пропускания света (TL) к солнечному коэффициенту (SF), т.е. TL/SF, при этом солнечный коэффициент представляет сумму непосредственной передачи энергии (TE) застекления и энергии, поглощенной застеклением и вновь переданной внутрь здания. В соответствии с третьим видом применения, для получения защищенного электромагнитным образом застекления, прозрачная подложка согласно данному изобретению имеет величину пропускания света TL40% или даже 50%, а еще лучше 55%, и удельное поверхностное сопротивление слоя Rl,2 или даже 1 на квадрат. Основное преимущество, заключающееся в том, что защищенная электромагнитным образом подложка выдерживает тепловую обработку типа термического улучшения или т.п., приводит к тому, что в результате может быть использована более легкая подложка. Более того, эксперименты показали, что всегда более практично, с промышленной точки зрения, использовать подложку, защищенную стеком,выдерживающим термическую обработку, а не использовать подложку, подвергнутую термической обработке, а затем размещать на ней стеком. Подложка, на которой размещают стек, предпочтительно выполнена из стекла. Обычно в контексте настоящего изобретения, поскольку стек размещают на подложке, такая подложка представляет собой нулевой уровень, а слои, размещенные поверх нее, представляют собой верхние уровни, которые могут быть пронумерованы в возрастающем порядке для их различения. В данном документе нумерация использована только для различения функциональных слоев и порядка их нанесения. Термин "верхний слой" или "нижний слой" подразумевает слой, необязательно нанесенный строго вверху или внизу, соответственно, функционального слоя во время изготовления стека, при этом один или более слоев могут быть размещены между ними. Поскольку каждый функциональный слой связан с одним или несколькими слоями, расположенными под функциональным слоем или на нем, присутствие которых в стеке оправдано относительно такого функционального слоя, можно сказать, что связь, т.е. функциональный слой с его одним или более нижним и/или верхним слоем (слоями), составляет "признак". Согласно одному из вариантов данного изобретения подложка включает по меньшей мере четыре функциональных слоя на основе серебра. Общая толщина функциональных слоев на основе серебра предпочтительно составляет более 25 нм или равна 25 нм. Такая общая толщина предпочтительно по существу составляет от 35 до 50 нм в том случае, если блок включает три функциональных слоя, и, по существу, от 28 до 64 нм в том случае, если блок включает по меньшей мере четыре функциональных слоя. Согласно одному из вариантов сумма величин толщины серебряных слоев составляет менее 54 нм. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения подложка включает по меньшей мере три одинаковых признака функциональных слоев, при этом каждый функциональный слой связан в каждом функциональном признаке по меньшей мере с одним нижним и/или верхним слоем. Согласно другому варианту осуществления данного изобретения по меньшей мере один функциональный слой, предпочтительно каждый функциональный слой, расположен между по меньшей мере одним нижним диэлектрическим слоем и одним верхним диэлектрическим слоем, при этом упомянутые диэлектрические слои предпочтительно имеют основу из ZnO, необязательно легированного алюминием. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения по меньшей мере один функциональный слой, предпочтительно каждый функциональный слой, включает верхний слой на основеSi3N4, AlN или на основе смеси данных соединений. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения подложка непосредственно покрыта слоем на основе Si3N4, AlN или на основе смеси данных соединений. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения по меньшей мере в одном функциональном признаке, предпочтительно в каждом функциональном признаке, верхний абсорбирующий металлический слой (называемый "верхний блокирующий слой"), предпочтительно на основеTi, расположен между функциональным слоем на основе серебра и по меньшей мере одним верхним диэлектрическим слоем. Согласно другому варианту осуществления данного изобретения по меньшей мере в одном функциональном признаке, предпочтительно в каждом функциональном признаке, нижний абсорбирующий металлический слой (называемый "нижний блокирующий слой"), предпочтительно на основе Ti, расположен между по меньшей мере одним нижним диэлектрическим слоем и функциональным слоем на основе серебра. Верхний или нижний абсорбирующий металлический слой может также включать металл или сплав на основе никеля, хрома, ниобия, циркония, тантала или алюминия. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения по меньшей мере один функциональный признак, предпочтительно каждый функциональный признак, имеет следующую структуру:ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, предпочтительно следующую структуру: ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4. Согласно данному варианту составляющие слои в упомянутом признаке в трехслойном стеке предпочтительно имеют следующую толщину: ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 5-15/10-17/ 5-15/25-65 нм, предпочтительно 5-15/10-17/0,2-3/5-15/25-65 нм или 7-15/10-17/ 7-15/25-65 нм, предпочтительно 7-15/10-17/0,2-2/7-15/25-65 нм. Также согласно данному варианту осуществления изобретения составляющие слои в упомянутом признаке в четырехслойном блоке предпочтительно имеют следующую толщину: ZnO/Ag/ZnO/Si3N4,предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 5-15/7-15/ 5-15/23-65 нм, предпочтительно 5-15/7-15/0,2-3/515/23-65 нм или 7-15/7-15/ 7-15/23-65 нм, предпочтительно 7-15/10-17/0,2-2/7-15/23-65 нм. Объектом настоящего изобретения также является способ изготовления прозрачной подложки, в частности, изготовленной из стекла, снабженной тонкопленочным стеком, включающим множество функциональных слоев, отличающийся тем, что по меньшей мере три функциональных слоя на основе серебра размещены на упомянутой подложке, так что упомянутый стек имеет удельное поверхностное сопротивление слоя R1,5 или даже 1,3 на квадрат и что упомянутая подложка способна выдержать по меньшей мере одну операцию трансформации, включающую тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C таким образом, чтобы обеспечить при помощи подложки, альтернативно или кумулятивно, тепловой контроль и/или электромагнитное экранирование, и/или нагревание. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения на упомянутой подложке размещают по меньшей мере четыре функциональных слоя на основе серебра. Общая толщина размещенных функциональных слоев на основе серебра предпочтительно составляет более 25 нм или равна 25 нм. Такая общая толщина предпочтительно по существу составляет от 35 до 50 нм в том случае, если стек включает три функциональных слоя, и, по существу, от 28 до 64 нм в том случае, если стек включает по меньшей мере четыре функциональных слоя. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения три идентичных признака функциональных слоев размещены на упомянутой подложке, при этом каждый функциональный слой в каждом функциональном признаке связан с по меньшей мере одним нижним и/или верхним слоем. Согласно одному из вариантов данного изобретения по меньшей мере для одного функционального слоя, предпочтительно для каждого функционального слоя, по меньшей мере один нижний диэлектрический слой расположен под упомянутым функциональным слоем, а верхний диэлектрический слой расположен на упомянутом функциональном слое, при этом упомянутые диэлектрические слои предпочтительно имеют основу из ZnO, необязательно легированного алюминием. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения верхний слой на основе Si3N4,AlN или на основе смеси данных соединений размещают поверх по меньшей мере одного функционального слоя, предпочтительно поверх каждого функционального слоя. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения упомянутая подложка непосредственно покрыта слоем на основе Si3N4, AlN или на основе смеси данных соединений, нанесенным ранее при нанесении всех других слоев. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения по меньшей мере в одном функциональном признаке, предпочтительно в каждом функциональном признаке, верхний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, нанесен на функциональный слой на основе серебра и под по меньшей мере одним верхним диэлектрическим слоем. Согласно другому варианту осуществления данного изобретения по меньшей мере в одном функциональном признаке, предпочтительно в каждом функциональном признаке, нижний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, нанесен поверх по меньшей мере одного нижнего-4 015109 диэлектрического слоя и под функциональный слой на основе серебра. Согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения по меньшей мере один функциональный признак, предпочтительно каждый нанесенный функциональный признак, имеет следующую структуру: ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, предпочтительно следующую структуру: ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4. Согласно данному варианту осуществления нанесенные составляющие слои в упомянутом признаке в трехслойном стеке предпочтительно имеют следующую толщину: ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 - 5-15/10-17/ 5-15/25-65 нм, предпочтительно 5-15/10-17/0,2-3/5-15/25-65 нм или 7-15/10-17/ 7-15/25-65 нм, предпочтительно 7-15/10-17/0,2-2/7-15/25-65 нм. Также согласно данному варианту осуществления изобретения нанесенные составляющие слои в упомянутом признаке в четырехслойном стеке предпочтительно имеют следующую толщину:ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 - 5-15/7-15/ 5-15/23-65 нм, предпочтительно 5-15/7-15/0,2-3/5-15/23-65 нм или 7-15/7-15/ 7-15/23-65 нм, предпочтительно 7-15/10-17/0,2-2/715/23-65 нм. Согласно одному из вариантов осуществления изобретения функциональные слои наносят, пропуская упомянутую подложку несколько раз через одну производственную установку. Согласно данному варианту осуществления изобретения в том случае, когда упомянутый стек включает четыре функциональных слоя на основе серебра, слои наносят парами, пропуская упомянутую подложку дважды через одну производственную установку в соответствующих условиях нанесения, по существу, идентичных для двух проходов, и предпочтительно сохраняя подложку в вакууме между двумя проходами. Также согласно данному варианту осуществления изобретения толщина нанесенных слоев предпочтительно, по существу, одинакова во время каждого из двух проходов. Более того, если подложка согласно данному изобретению подвергается операции трансформации,включающей тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C, ее удельное поверхностное сопротивление слоя R предпочтительно снижается по меньшей мере на 10% или даже по меньшей мере на 15%. Объектом настоящего изобретения также является застекление с целью теплового контроля и/или электромагнитного экранирования, и/или нагревания, включающее по меньшей мере одну подложку согласно данному изобретению. Объектом настоящего изобретения также является использование подложки согласно данному изобретению для осуществления, альтернативно или кумулятивно, теплового контроля и/или электромагнитного экранирования, и/или нагревания. Наибольшее преимущество заключается в том, что экономия, обеспечиваемая в результате применения способа согласно данному изобретению при изготовлении стека согласно данному изобретению,является огромной, поскольку больше не нужно останавливать производственную линию на несколько дней или по меньшей мере на несколько часов для изготовления стеков, предназначенных для одного или более других видов применения. Достаточно несколько часов для модификации производственных параметров на линии и получения пользующегося спросом продукта, имеющего желательное назначение(назначения). Также преимущественным является использование подложки согласно данному изобретению для получения монолитного застекления, двойного или тройного застекления или ламинированного застекления и для обеспечения, альтернативно или кумулятивно, теплового контроля и/или электромагнитного экранирования, и/или нагревания. Таким образом, при использовании в автомобилях может быть осуществлено ламинированное застекление, включающее подложку согласно данному изобретению, при этом такое застекление одновременно обеспечивает: тепловой контроль (более конкретно, солнечный контроль для отражения солнечного излучения вне транспортного средства); электромагнитное экранирование для защиты внутренней части транспортного средства от наружного электромагнитного излучения и нагревание с целью плавления льда или для испарения конденсата. Подобным образом при применении в строительстве может быть получено двойное застекление,включающее подложку согласно данному изобретению, при этом такое застекление одновременно обеспечивает тепловой контроль (солнечный контроль для отражения солнечного излучения вне помещения с таким застеклением и/или тепловая изоляция для отражения внутреннего излучения в помещении с таким застеклением); электромагнитное экранирование для защиты внутренней части помещения с таким застеклением от наружного электромагнитного излучения и нагревание с целью устранения конденсации или предотвращения ее возникновения, а также для устранения ощущения холодной стены поблизости от застекления. Преимуществом такого застекления, включающего подложку согласно данному изобретению, явля-5 015109 ется также то, что оно имеет привлекательные цвета при передаче и отражении. Настоящее изобретение станет понятнее после изучения нижеприведенного подробного описания неограничивающих иллюстративных примеров и прилагаемых к ним фигур: фиг. 1 иллюстрирует величины отражения света наружу в примерах 11 и 13 в зависимости от длины волны ; фиг. 2 иллюстрирует величины передачи света в примере 21 согласно данному изобретению и сравнительному примеру 22, соответственно, в зависимости от длины волны , а также от кривой Parry-Moon плотности D солнечной энергии в зависимости от длины волны ; фиг. 3 иллюстрирует величины передачи света в примере 21 согласно данному изобретению и сравнительному примеру 22, соответственно, в зависимости от длины волны , а также от чувствительностиY человеческого глаза, по нормализованной шкале H; фиг. 4 иллюстрирует величины передачи света в примерах 23 и 24 согласно данному изобретению и в сравнительном примере 25, соответственно, в зависимости от длины волны , а также от кривой ParryMoon плотности D солнечной энергии в зависимости от длины волны ; фиг. 5 иллюстрирует диаграмму защищенного электромагнитным образом застекленного комплекта с использованием подложки согласно данному изобретению. 1. Примеры стеков для нагретых окон и, более конкретно, для передних стекол автомобилей,имеющих напряжение 12 B. Рассеянная мощность для правильного нагревания обычно составляет 600 W/м 2. Конкретно, P(W)=U2/ (R(/)h2). Если U=12 B, то необходимо, чтобы удельное поверхностное сопротивление слоя R=1 Ом на квадрат для h=50 см; h соответствует высоте нагреваемого окна таким образом, чтобы предотвратить возникновение конденсации и/или образование льда (на практике напряжениеU составляет от 12 до 14 В, что соответствует напряжению на полюсах батарей большей части выпускаемых в настоящее время транспортных средств; однако такое напряжение может составлять от 12 до 24 В). Предполагается, что для использования в автомобилях удовлетворительным является стек, имеющий следующие характеристики (в виде ламинированного застекления): удельное поверхностное сопротивление слоя R1 Ом на квадрат; хорошее качество (отсутствие дефектов, видимых невооруженным глазом) после сгибания;TL70% и ограниченное RL; предположительно привлекательный цвет при отражении (предпочтительно a и b0); удовлетворительная механическая и химическая стойкость. Решения, включающие два серебряных слоя, закапсулированных в диэлектриках, не обеспечивают возможности получить как TL 70% и удельное поверхностное сопротивление слоя R1,2 на квадрат,так и приемлемый цвет. Для получения желаемого результата предпочтительно: разместить тонкопленочный стек, включающий функциональные слои на лицевой поверхности 3(лицевая поверхность 1 - самая дальняя от наружной части транспортного средства, а лицевая поверхность 4 - самая ближняя внутренняя лицевая поверхность) и нанести более двух серебряных слоев, принимая во внимание требуемую общую толщину серебряных слоев. Примеры конструкции стеков согласно данному изобретению приведены ниже, при этом стеки включают три функциональных слоя (примеры 11, 12 и 14) и четыре функциональных слоя (примеры 15 и 16), а результаты измеряют после операции по термическому улучшению при 620C в течение около 8 мин. Пример 11 согласно данному изобретению, три слоя: снаружи/стекло(2,1 мм)/PVB(0,7 6 мм) /Ag3/Ag2/Ag1/стекло(1, 6 мм)/внутри. Пример 12 согласно данному изобретению, три слоя. Такой же стек, как и в примере 11, но с титановым верхним блокирующим слоем поверх каждого функционального слоя (толщина приблизительно от 0,5 нм до 1 нм). Сравнительный пример 13, два слоя: снаружи/стекло (2,1 мм)/PVB (0,7 6 мм)/Ag3/Ag2/Ag1/стекло (1,6 мм) /внутри с дополнительным титановым нижним блокирующим слоем под каждым функциональным слоем (толщина приблизительно снаружи/стекло (2,1 мм)/PVB (0,76 мм) /Ag3/Ag2/Ag1/стекло (1,6 мм)/внутри. Полученные технические характеристики ламинированного застекления: снаружи/стекло (2,1 мм)/PVB (0,76 мм)/Ag3/Ag2/Ag1/стекло (1,6 мм)/внутри. Согласно примеру 16 подложку дважды пропускают через установку для нанесения стека, имеющего два серебряных слоя. Полученные технические характеристики ламинированного застекления: Сопротивляемость стеков, рассчитанная из удельного поверхностного сопротивления слоя (/),полученного в результате бесконтактного измерения при помощи прибора Nagy, составляет около 4,210-6 Омсм в примерах с тремя слоями согласно данному изобретению, т.е. примерах 11 и 12, в то время как в сравнительном примере 13 сопротивляемость составляет около 4,210-6 Омсм. В примерах 11, 12, 14, 15 и 16 согласно данному изобретению величины TL, RL и цвета являются относительно устойчивыми. Как и ожидалось, величины отражения энергии являются очень высокими из-за кумулятивной толщины серебра (312,75 нм). Была получена высокая селективность (TL/FS, близкая к 2 или даже выше 2,при использовании ламинированного образца). Сопротивляемость серебряных слоев, составляющих трехслойные стеки, включающие серебряные слои, имеющие толщину около 13 нм, является на удивление низкой по сравнению с величинами, полученными в результате измерения двухслойного стека, включающего серебряные слои, имеющие толщину приблизительно от 8 до 9 нм. Оптические свойства четырех образцов согласно данному изобретению после сгибания являются удовлетворительными - в нормальных условиях помутнения или точечной коррозии не наблюдается. Химическая и механическая стойкость таких стеков согласно данному изобретению также является очень хорошей. 2. Примеры стеков для теплового контроля, особенно солнечного контроля, застекления зданий. Характеристики продукта, контролирующего пропускание солнечного света, оценивают исходя из критерия селективности, т.е. отношения величины пропускания света (TL) застеклением к процентной величине солнечной энергии, проникающей внутрь здания (солнечный коэффициент или SF). Для получения наилучшей возможной селективности при одновременном сохранении хорошего уровня пропускания света (необходимого для комфорта обитателей комнат) важно найти застекление, обеспечивающее как можно более резкое сокращение пропускания между видимым спектром и инфракрасным спектром,и таким образом предотвратить передачу энергии, содержащейся в этой части пропускаемого спектра(кривая Parry-Moon). Поэтому идеальным спектром для контролирующего пропускание солнечного света-7 015109 застекления является ступенчатая функция, обеспечивающая пропускание в видимом спектре, но полностью отсекающем инфракрасный спектр. Определение стеков, имеющих три серебряных слоя и четыре серебряных слоя согласно данному изобретению, обеспечивает возможность повышения такой селективности. Это объясняется тем, что при хорошо подобранной толщине серебра и диэлектрика спектр пропускания застекления, включающего стек такого типа, приближается к ступенчатой функции и в результате обеспечивает возможность, при таком же уровне пропускания, существенного повышения селективности. Такой эффект может быть получен без потери нейтральности цвета застекления как при пропускании, так и отражении. Примеры конструкций стека приведены ниже, при этом стеки, включающие три функциональных слоя (примеры 21 и 23) и четыре функциональных слоя (пример 24), сравниваются с блоками, имеющими два функциональных слоя (примеры 22 и 25), для получения, соответственно, уровня пропускания,составляющего 50% (примеры 21 и 22) и уровня пропускания, составляющего 60% (примеры 23-25), и оптимизированной селективности. Все упомянутые образцы были получены по следующей схеме: снаружи/стекло (6 мм)/стек/пространство (15 мм)/стекло (6 мм)/внутри, при этом пространство заполнено смесью из 90% аргона и 10% сухого воздуха, а приведенные ниже результаты получают после операции по термическому улучшению при 620C в течение около 8 мин. Пример 21 с тремя слоями согласно данному изобретению и сравнительный пример 22 с двумя слоями, величина пропускания света каждого из которых составляет 50% (толщина слоев в нм):Ti верхний блокирующий слой, толщиной около 1 нм, также размещают непосредственно поверх каждого функционального слоя. Полученные технические характеристики: В данном случае при пропускании измеряют доминантный цвет, выражаемый d, и чистоту, выражаемую pe. Пример 23 с тремя слоями согласно данному изобретению, пример 24 с четырьмя слоями согласно данному изобретению и сравнительный пример 25 с двумя слоями, величина пропускания света каждого из которых составляет 60% (толщина слоев в нм):Ti верхний блокирующий слой, толщиной около 1 нм, также размещают непосредственно поверх каждого функционального слоя. Полученные технические характеристики: Как и ранее, в данном случае при пропускании измеряют доминирующий цвет, выражаемый d, и чистоту, выражаемую pe. Сравнение спектров из примеров 21, 23 и 24 согласно данному изобретению со спектрами из сравнительных примеров 22 и 25 по всему солнечному спектру, проиллюстрированному на фиг. 2-4, ясно показывает, что трехслойные стеки обеспечивают приближение к ступенчатой функции (очень резкое прекращение пропускания приблизительно при 780 нм - конец видимого диапазона и начало инфракрасного диапазона). Это же относится и к четырехслойным стекам. Более того, такое повышение селективности не ухудшает колориметрические свойства застекления: цвет внешнего отражения застекления является нейтральным (в системе Lab), при этом a и b являются отрицательными и имеют низкое аб-8 015109 солютное значение. Кроме того, цвет пропускания не имеет высокой чистоты, что позволяет находящимся в комнатах воспринимать внешнюю среду в ее истинных красках. Это проиллюстрировано на фиг. 3,показывающей наложение спектров из примеров 21 и 22 и чувствительность человеческого глаза. Фактически, данный график показывает, что оптический фильтр, получаемый при помощи тонкослойного стека из примера 21, является более широким, с точки зрения длины волны, чем распределение чувствительности человеческого глаза. 3. Примеры стеков для экранированного электромагнитным образом застекления и более конкретно для плазменных экранов. Структура стека, полученного для подтверждения положительного результата данного изобретения при электромагнитном экранировании, является следующей: прозрачная стеклянная подложка (2 мм)/тонкопленочный стек, имеющий по меньшей мере три функциональных слоя. Термическое улучшение, осуществляемое до проведения измерений, включает отжиг подложки, снабженной стеком, при температуре около 620C в течение 5 мин. Пример 31 согласно данному изобретению, четыре слоя: к тому же с титановым верхним блокирующим слоем поверх каждого функционального слоя (толщина приблизительно от 0,5 нм до 1 нм). Пример 32 согласно данному изобретению, четыре слоя: к тому же с титановым верхним блокирующим слоем поверх каждого функционального слоя (толщина приблизительно от 0,5 нм до 1 нм). Пример 33 согласно данному изобретению, четыре слоя: к тому же с титановым верхним блокирующим слоем поверх каждого функционального слоя (толщина приблизительно от 0,5 нм до 1 нм). Технические характеристики, полученные после отжига: В данном случае при отражении измеряют доминантный цвет, выражаемый d, и чистоту, выражаемую pe. Очевидно, что операция по термическому улучшению снижает сопротивляемость серебра и слегка модифицирует оптические свойства блока. Конкретно, в примере 31 удельное поверхностное сопротивление слоя такого стека до отжига составляет R=l,l / (для сопротивляемости 5,510-6 Омсм), т.е. снижение около 18%; в примере 32 удельное поверхностное сопротивление слоя такого стека до отжига составляет R=0,9 / (для сопротивляемости 5,010-6 Омсм), т.е. снижение около 22%; и в примере 33 удельное поверхностное сопротивление слоя такого стека до отжига составляет R=l,l / (для сопротивляемости 5,510-6 Омсм), т.е. снижение около 20%. Однако операция по термическому улучшению не приводит к существенному изменению цвета. Стек согласно данному изобретению может быть использован в комплекте, имеющем, например,структуру, проиллюстрированную на фиг. 5, таким образом, чтобы получить электромагнитный фильтр для экрана с использованием плазменной технологии. Такой комплект включает: 1) необязательный противоотражающий слой; 2) подложку, изготовленную из прозрачного стекла, которая также может быть оттенена; 3) тонкопленочный стек, имеющий по меньшей мере три функциональных слоя; 4) пластмассовый лист, изготовленный из PVB, который также может быть необязательно изготовлен из PSA; 5) необязательную пленку из PET. Таким образом, тонкопленочный стек помещают на лицевую сторону 2 комплекта. Подложка, на которой размещают стек, может быть подвергнута термическому улучшению после размещения на ней стека.-9 015109 Вышеизложенное описание настоящего изобретения представлено в качестве примера. Безусловно,специалист в данной области техники способен реализовать различные альтернативные варианты данного изобретения, не нарушая объем патента, определенный в формуле изобретения. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ 1. Элемент остекления, содержащий прозрачную подложку, снабженную тонкопленочным стеком,содержащим совокупность слоев, отличающийся тем, что указанный тонкопленочный стек содержит по меньшей мере три слоя из серебра, при этом каждый слой из серебра располагается между по меньшей мере одним нижним диэлектрическим слоем на основе ZnO и одним верхним диэлектрическим слоем на основе Si3N4, AlN или на основе смеси этих двух соединений для формирования для каждого функционального слоя следующей структуры: ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, и предпочтительно следующей структуры:ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4, при этом упомянутый стек имеет удельное поверхностное сопротивление слояR1,5 на квадрат и упомянутая подложка способна выдержать по меньшей мере одну тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C. 2. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что имеет величину пропускания света TL70%. 3. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что имеет величину пропускания света TL40%. 4. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что имеет величину пропускания света TL40% и удельное поверхностное сопротивление слоя R1,1 на квадрат. 5. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что подложка включает по меньшей мере четыре слоя из серебра. 6. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что общая толщина слоев из серебра превышает или равна 25 нм и предпочтительно составляет от 35 до 50 нм в том случае,если стек содержит три слоя из серебра, и от 28 до 64 нм в том случае, если стек содержит по меньшей мере четыре слоя из серебра. 7. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что упомянутые диэлектрические слои на основе ZnO являются легированными алюминием. 8. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что подложка непосредственно покрыта слоем на основе Si3N4, AlN или на основе смеси этих двух соединений. 9. Элемент остекления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что по меньшей мере для одного слоя из серебра и предпочтительно для каждого слоя из серебра верхний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, расположен между указанным слоем из серебра и по меньшей мере одним верхним диэлектрическим слоем. 10. Элемент остекления по любому из пп.1-9, отличающийся тем, что по меньшей мере для одного слоя из серебра и предпочтительно для каждого слоя из серебра нижний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, расположен между по меньшей мере одним нижним диэлектрическим слоем и указанным слоем из серебра. 11. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что составляющие слои в упомянутой структуре в случае трехслойного стека имеют следующую толщину:ZnO/Ag/ZnO/Si3N4 и предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 5-15/10-17/ 5-15/25-65 нм, предпочтительно 5-15/10-17/0,2-3/5-15/25-65 нм. 12. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что составляющие слои в упомянутой структуре в случае четырехслойного стека имеют следующую толщину:ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 5-15/7-15/ 5-15/23-65 нм, предпочтительно 5-15/7-15/0,2-3/5-15/23-65 нм. 13. Элемент остекления по п.1, отличающийся тем, что указанная подложка выполнена из стекла. 14. Способ изготовления элемента остекления, содержащего прозрачную подложку, в частности,изготовленную из стекла, снабженную тонкопленочным стеком, содержащим совокупность слоев из серебра, отличающийся тем, что располагают по меньшей мере три слоя из серебра на упомянутой подложке и для каждого слоя из серебра по меньшей мере один нижний диэлектрический слой на основеZnO распологается под указанным слоем из серебра и верхний диэлектрический слой на основе Si3N4,AlN или на основе смеси этих двух соединений располагается на указанном слое из серебра для формирования для каждого слоя из серебра следующей структуры:ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, и предпочтительно следующей структуры: ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4, при этом упомянутый стек имеет удельное поверхностное сопротивление слоя R1,5 на квадрат и упомянутая подложка выполнена с возможностью выдержать по меньшей мере одну тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C. 15. Способ по п.14, отличающийся тем, что размещают по меньшей мере четыре слоя из серебра на упомянутой подложке. 16. Способ по п.14 или 15, отличающийся тем, что общая толщина размещенных слоев из серебра превышает или равна 25 нм и предпочтительно составляет от 35 до 50 нм в том случае, если стек включает три слоя из серебра, и от 28 до 64 нм в том случае, если стек включает по меньшей мере четыре слоя- 10015109 из серебра. 17. Способ по любому из пп.14-16, отличающийся тем, что упомянутые диэлектрические слои на основе ZnO являются легированными алюминием. 18. Способ по любому из пп.14-17, отличающийся тем, что покрывают упомянутую подложку непосредственно слоем на основе Si3N4, AlN или на основе смеси этих двух соединений. 19. Способ по любому из пп.14-18, отличающийся тем, что по меньшей мере для одного слоя из серебра, предпочтительно для каждого слоя из серебра, располагают верхний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, поверх слоя из серебра и по меньшей мере под одним верхним диэлектрическим слоем. 20. Способ по любому из пп.14-19, отличающийся тем, что по меньшей мере для одного слоя из серебра, предпочтительно для каждого слоя из серебра, располагают нижний абсорбирующий металлический слой, предпочтительно на основе Ti, по меньшей мере поверх одного нижнего диэлектрического слоя и под слоем из серебра. 21. Способ по п.14, отличающийся тем, что составляющие слои в структуре в случае трехслойного стека имеют следующую толщину:ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 5-15/10-17/ 5-15/25-65 нм, предпочтительно 5-15/10-17/0,2-3/5-15/25-65 нм. 22. Способ по п.14, отличающийся тем, что составляющие слои в упомянутой структуре в случае четырехслойного стека имеют следующую толщину:ZnO/Ag/ZnO/Si3N4, предпочтительно ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4 5-15/7-15/ 5-15/23-65 нм, предпочтительно 5-15/7-15/0,2-3/5-15/23-65 нм. 23. Способ по любому из пп.14-22, отличающийся тем, что слои из серебра наносят, пропуская упомянутую подложку несколько раз через одну производственную установку. 24. Способ по п.23, отличающийся тем, что в том случае, когда упомянутый стек включает четыре слоя из серебра, слои из серебра наносят парами, пропуская упомянутую подложку дважды через одну производственную установку. 25. Способ по п.24, отличающийся тем, что толщина нанесенных слоев из серебра, по существу,одинакова во время каждого из двух проходов. 26. Способ по любому из пп.14-25, отличающийся тем, что в том случае, когда подложка подвергается операции трансформации, включающей тепловую обработку при температуре по меньшей мере 500C, ее удельное поверхностное сопротивление слоя R предпочтительно снижается по меньшей мере на 10% или даже по меньшей мере на 15%. 27. Остекление с целью теплового контроля, и/или электромагнитного экранирования, и/или нагревания, включающее по меньшей мере один элемент остекления по любому из пп.1-13. 28. Применение элемента остекления по любому из пп.1-13 для осуществления, альтернативно или кумулятивно, теплового контроля, и/или электромагнитного экранирования, и/или нагревания для плавления льда или для испарения конденсата.
МПК / Метки
МПК: C03C 17/36
Метки: элемент, остекления
Код ссылки
<a href="https://eas.patents.su/13-15109-element-ostekleniya.html" rel="bookmark" title="База патентов Евразийского Союза">Элемент остекления</a>
Предыдущий патент: Способ получения твердой фармацевтической композиции, содержащей валсартан
Следующий патент: Способ получения формованного сыпучего катализатора
Случайный патент: Сельскохозяйственная полимерная композиция, способ ее получения и применение