H01L 21/768 — с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора
Микрокристаллические и нанокристаллические структуры с низкой диэлектрической проницаемостью для применения в области высоких технологий
Номер патента: 13649
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Калем Сереф
МПК: G06F 21/00, H01L 21/28, H01L 21/20...
Метки: низкой, проницаемостью, области, нанокристаллические, диэлектрической, применения, технологий, микрокристаллические, высоких, структуры
Формула / Реферат:
1. Способ синтеза микрокристаллических и нанокристаллических структур с низкой диэлектрической проницаемостью, имеющих свойства сегнетоэлектриков и способность к излучению в оптическом диапазоне, в тефлоновом контейнере на подложках на основе германия (Ge), алмаза (С) и/или кремния (Si), включающий следующие стадии:a) заполнение тефлонового контейнера (3) смесью реагентов HF и HNO3и образование в нем паров реагентов,b) контактирование смеси с...