H01L 21/18 — приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения A

Номер патента: 18895

Опубликовано: 29.11.2013

Авторы: Будишевский Юрий Дмитриевич, Цой Броня, Шевелев Валентин Владимирович

МПК: H01L 21/18, H01L 31/04

Метки: перехода, электромагнитного, пучкового, пучковый, способ, преобразователь, изготовления, излучения

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления пучкового перехода, в котором на полупроводниковой подложке выполняют N>1 отдельных однотипных переходов, объединяют их в параллельную цепь посредством токовых электродов, характеризующийся тем, что объем каждого однотипного перехода выполняют меньше объема 1/с, где с - объемная концентрация дефектов, содержащего наиболее опасный характерный доминирующий дефект в полупроводниковой базе и площадью поверхности на...